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对照表
整流二极管 | 稳压二极管 | |
| 稳定电压VZ | 额定反向关断电压VWM |
| 稳定电流IZ | 最大反向漏电自制纳米胶带教程流ID |
击穿电压VBR | 动态电阻RZ | 最小击穿电压VBR |
最大反向电流IR | | 击穿电流IR头部跟踪 |
最大平均整流电流IF | | 最大箝拉电压VC |
VF | | 最大峰值脉冲电流IPP |
| 额定功耗PZM=VZ*IZmax | 最大峰值脉冲功耗PM=VC*IPP |
| | |
1.整流二极管
最大平均整流电流IF：化工复合软管指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。
最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。
最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
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击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
2.稳压二极管
稳定电压VZ：Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。 稳定电流IZ：IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳
定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。
动态电阻RZ：rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小，表明稳压管性能越好。
额定功耗PZ：Pz是由管子温升所决定的参数， Pz＝Vz IZmax
3.瞬态抑制二极管
3.1 TVS 的命名规则:
TVS 管的型号由三部分组成：系列名N1+电压值N2+单/双向符号N3
N1 N2 N3
N1: 系列名代表不同的峰值脉冲功率和封装形式
1). SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ 表示贴片封装：分别代表的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W 和3000W；
2). 其它系列名表示同轴引线封装：P4KE 为400W、P6KE 为600W、1.5KE 为1500W，SA为500W、3KP 为3000W，其余类推（型号名KP 或KPA 前面的数字表示kW 数）。
N2: 系列名后的数字代表击穿电压标称值或反向断态电压值
1). P4KE、P6KE、1.5KE 系列中代表最小击穿电压标称值（VBR）；
2). 其它系列中代表反向断态电压值（VRWM）。
N3: A 表示单向，CA 表示双向。
注意：SAC（500W右旋氨基物）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS 管，只有单向，没有双向。
例： P6KE200A 即峰值脉冲功率600W，标称击穿电压200V，单向TVS二极管。
SA5.0A 即峰值脉冲功率500W，反向工作电压5V，单向TVS二极管。
3.2 TVS参数
简易说明：
VBR：崩溃电压@IT- TVS瞬间变为低阻抗的点
VRWM：维持电压-在此阶段TVS为不导通之状态
VC：钳制电压@Ipp -钳制电压约略等于1.3*VBR
VF：正向导通电压@IF -正向压降
IR：逆向漏电流＠VRWM
IT：崩溃电压之测试电流
IPP：突波峰值电流
IF：正向导通电流
测试电流(IT):TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得.一般情况下IT取1MA或10mA.
最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VRWM：VRWM 是TVS 最大连续工作的直流或脉冲电压，是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压
接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流 ID。
关态电压指的是 TVS在未击穿情况下所能承受的最高电压，是电路中在正常情况下不工作的保护器件的重要参数。(在此阶段瞬态电压抑制二极管为不导通之状态。Vrwm必需大於电路的正常工作电压,否则瞬态电压抑制二极管会不断截止迥路电压。但Vrwm需要尽量與被保护迥路的正常工作电压接近,这样才不会在瞬态电压抑制二极管工作以前使整个迥路面对过压威胁。) 最小击穿电压VBR @It 和击穿电流IR：VBR是TVS 最小的雪崩电压。当TVS流过规定的IR(反向电流)时，TVS 两极所测量到的电压，此时二极管处于低阻抗导通状态，一般情况下VBR高于VRWM。按TVS 的VBR 与标准值的离散程度，可把TVS 分为±5%VBR和平共处±10%VBR 两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR 来说，VWM=0.81VBR。 (瞬态电压抑制二极管是以反向电流的方式连接在线路上,一般都会有10-100μA的反向漏电电流。当瞬态电压超过Vbr,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平,提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开,避开被保护元件。)
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