基本概念光立方制作
基本概念
二极管是晶体二极管的简称，也叫半导体二极管，用半导体单晶材料（主要是锗和硅）制成，是半导体
器件中最基本的一种器件，是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。
一、二极管基本结构
二极管的基本结构是一个PN结，二极管的所有特性都取决于PN结特性。
从PN结的导电原理可知，只有在正向偏置条件下，二极管才处于导通状态，所以说二极管具有单方向导电特性。
二、电路符号
分类：半导体二极管种类很多。
制卡机
紫外可见漫反射光谱基本参数
基本参数
一、结压降：结压降是指当外加正向偏置电压时，二极管能进入正常导通状态时的必须具有的最小外 加电压值，也称为死区电压或导通电压。对于硅二极管，这个电压一般为0.6V左右；对于锗二极管，这个电压一般为0.2V左右。
二、正向直流电阻R D：正向直流电阻R D是指二极管在给定外加正向直流电压时的电压与电流之比，R D=V DQ/I DA。 三、正向交流电阻r d：正向交流电阻r d是指在给定外加正向交流电压时的D V D与D I D之比，r d=D V D/D I D。
四、反向击穿电压V BR：反向击穿电压V BR是指反向击穿电压增大到某个值，反向电流迅速增大时所对应的电压值。 新型地沟油五、最高反向工作电压V RM ：最高反向工作电压V RM是指二极管不被反向击穿的最高反向电压，一般取反向击穿电压的1/2。对有些小容量二极管，最高反向工作电压则定为反向击穿电压的2/3。应用中一定要保证不超过最大反向工作电压。防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
六、最大反向电流I BR：最大反向电流I BR是指在规定的反向偏压下，通过二极管的电流。这一电流在反向击穿之前大致不变，故又称为反向饱和电流，如图所示。通常硅管为几毫安以下，锗管为几百微安。反向电流的大小，反映了晶体二极管单向导电性能的好坏，反向电流的数值越小越好。
七、最高工作频率f M：最高工作频率f M指二极管能保持良好工作特性时的工作电压最高频率。有时手册中标出的不是“最高工作频率（f M）”，而是标出“频率（f）”，意义是一样的。典型的2AP系列二极管f M＜150MHz，而2AP系列f M＜50kHz。
八、最大整流电流I M：最大整流电流I M是指二极管长期正常工作条件下，能通过的最大正向电流值。二极管应用时要特别注意最大电流不得超过I M值。大电流整流二极管应用时要加散热片。
识别
二极管的识别
一、国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：（以器件2AP9为例）
实时调试
二、国际电子联合会对半导体器件型号的命名举例如下：（以器件AF239S为例）
集束天线
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