1 硅可以以合金的形式用于汽车和机械制造业，还可以与陶瓷材料做成金属陶瓷，纯二氧化硅可以制作玻璃纤维，硅还可以用在晶体管，整流器和集成电路。
2硅的生长方法，直拉法，区域融化法，布里奇曼法，枝蔓生长法和气相沉积生长发。
3切方磨圆，酸洗，粘胶，切片，清洗脱胶，超声波清洗，甩干，检片包装。 4晶体的特性：均匀性，有限性，对称性，各向异性与解离性。
5晶体内部原子排列长程有序，是单晶体；杂乱无序的，为多晶体；晶粒之间的界面为晶界。
6滚磨开方是一个机械销磨加工的过程，通过磨轮与工件产生相对运动，使磨轮上的金刚石颗粒对工件进行磨削而达到加工目的。
7磨削加工通常按磨削工具类型的类型分类，有固定磨粒加工与游离磨粒加工这两类。
8磨削过程三个阶段：弹性变形阶段，刻划阶段，切削阶段。
9磨削加工稳定性好，精度高，效率高，速度快且能加工各种高硬度材料。
10硅片参考面指硅片边缘专门制作的小平面，也成为定位面，主参的长度大于副参。判定方法：光图定向法，晶棱连线法，X射线衍射法。 11滚磨开方常用设备包括单晶切方滚磨机，带锯与线锯。
12采用专门的设备及工艺手段确定单晶或者晶片的晶向的过程称为定向。
13滚磨开方后晶体表面处理方法：化学腐蚀，机械剖光。 14酸腐蚀：HF+HNO3+Hac，速度快，产生氮化物。
自制自慰器15碱腐蚀：NaOH+H2O，慢腐蚀，需加温，80-95度。碱腐蚀的腐蚀速度由腐蚀液配比与腐蚀温度共同决定。
16宏观对称元素有：对称面，对称中心，对称轴和旋转演轴。
17微观对称元素有：平移轴，螺旋轴，滑移面。
18晶面间距大的晶面，面密度大，奸密度小；晶面间距小的，面密度小，键密度大。
19不同的器件对其有不同的要求，这不仅需要对单晶硅的晶向进行选择，还要在切割时按照一定的方向来进行，这就是定向切割。
20定向切割的方法：光图定向法，X射线衍射定向法。硅晶体的切割方式：内圆切割，多线切割。
21内源切割工艺特点：灵活多样的应对性，小批量生产的适应性。
22内圆切割机组成：机座，工作台，主轴系统，电气控制系统，冷却系统和液压系统。
23内园切割工艺过程：准备工作，粘结，定向与校对，上机切割，冲洗与去胶，送清洗。
24硅片边缘倒角 定义：利用专门的设备与工艺，是高转速的金刚石磨轮相对一定的转速的硅片做摩擦运动而对硅片边缘进行磨削的过程。
0目的：清除硅片边缘应力集中区域，减少后续工艺过程中硅片的损坏。
25硅片倒角按边缘轮廓分为两种：R型倒角，T型倒角。横幅制作
26硅片研磨工艺就是要通过对硅片上下两个平面的磨削，去除硅片表面的刀痕或线痕，改善硅片表面平整度，制造均匀一致的的表面损伤层，同时使每批鬼片的厚度偏离接近，为抛光工艺植被无损伤的硅片表面创造条件。
27硅片研磨的作用：切削作用，化学作用，塑性变形。
28磨削液的作用：冷却作用，排渣作用，润滑作用，防锈作用。
29磨削液系统：磨削液桶，泵，研磨液传送装置。
30所谓理想平面，指的是一个绝对平面，次平面上任意三点构成的平面都在这个平面上。
31硅片的理想状态两个特点：鬼片的上下表面所有对应测量点的垂直距离完全一样，且任何一个平面都与理想平面互相平行；硅片加工表面的晶格完整性好，所有非饱和悬挂键都在一个平面上。
32硅片的表面平整度可以用两个参数来表示：总指示读数（TIR），焦平面偏差（FPD）。
33硅片化学减薄主要有两种方法：酸腐蚀，碱腐蚀。
34硅片化学减薄工艺过程：准备工作，硅片厚度分选，化学腐蚀，冲洗甩干，送检。
35机械抛光利用抛光液中的磨料与硅片表面的机械摩擦作用来实现硅片的表面加工，速度快，平整度高，适应性强，但是由划痕并形成新的损伤层。
36硅片生产工艺中两个定律：摩尔定律，按照比例缩小原理。
电路板的制作37硅片抛光方式：碱性二氧化硅抛光，分为有蜡，无蜡，还有单面和双面抛光两种。
38硅片清洗，就是清洗硅片的表面，去除附着在上面的污染物。
39硅片表面沾污类型：有机杂志玷污，颗粒类杂质玷污，金属杂质玷污。
40化学清洗就是利用各种化学试剂对各种杂质的腐蚀，溶解，氧化及络合作用，去除杂质。
41物理清洗：超声波，兆声波清洗。
cn1069安瓿印字机
42超声波清洗特点：简单方便，安全有效，清楚硅表面附着的大块污染物。
43超声波清洗系统组成：超声波电源，清洗槽，换能器。
44超声波工作要素：频率，功率密度，杂质类型，温度，工作方式。
吊葫芦45
48硅片导电类型的检测方法：热探针法，冷探针法，点接触整流法，全类型系统测试法，霍尔效应极性法。
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议