(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910392379.8
(22)申请日 2019.05.10
(30)优先权数据
15/976,728 2018.05.10 US
(71)申请人 应用材料公司
地址 美国加利福尼亚州
(72)发明人 L ·多尔夫 O ·鲁赫尔
R ·丁德萨 J ·罗杰斯
S ·斯利尼瓦萨恩 A ·K ·米什拉
(74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
司 31100
代理人 侯颖媖 张鑫
(51)Int.Cl.
H01J 37/32(2006.01)
H01L 21/67(2006.01)
(54)发明名称
使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来
控制离子能量分布的方法
(57)摘要
本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉
冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内
并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状 和在基板表面中形成的特征的轮廓。权利要求书4页 说明书19页 附图15页CN 110473762 A 2019.11.19
C N 110473762
A
权 利 要 求 书1/4页CN 110473762 A
1.一种处理基板的方法，包括：
在基板的表面之上产生等离子体，所述基板设置于基板支撑组件上；和
使用偏置发生器来偏置设置在所述基板支撑组件内的偏置电极，所述偏置发生器使用发生器耦合组件电耦合到电导体的发生器端，所述电导体的电极端使用电极耦合组件电耦合到所述偏置电极，所述偏置发生器用于在所述偏置电极处建立脉冲电压波形，并且所述脉冲电压波形包括一系列重复循环， 其中所述一系列重复循环中的每个循环内的波形具有在第一时间间隔期间发生的第一部分和在第二时间间隔期间发生的第二部分，
其中正电压脉冲仅在所述第一时间间隔期间存在，
其中所述偏置发生器包括：
脉冲发生器，所述脉冲发生器电耦合到所述电导体的所述发生器端；和
电流返回输出级，其中
所述电流返回输出级的第一端电耦合到所述电导体，和
所述电流返回输出级的第二端电耦合到接地，和
其中，在所述第二时间间隔的至少一部分期间，电流通过所述电流返回输出级从所述偏置电极流到接地。
2.如权利要求1所述的方法，其中：
所述波形的所述第一部分进一步包括正电压脉冲，所述正电压脉冲导致鞘层电压降的恢复，其中鞘层在所述第一时间间隔的结束处形成于所述基板的面向等离子体的表面之上。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间间隔具有介于约200ns与约400ns之间的持续时间。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间间隔小于所述一系列重复循环中的循环的持续时间的约20％。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述一系列重复循环中的所述循环具有介于约2微秒(μs)与约3μs之间的持续时间。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述正电压脉冲介于约0.1千伏(kV)与约10kV之间。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述偏置电极通过所述电介质材料的层与所述基板支撑组件的基板支撑表面间隔开，并且其中包括所述偏置电极和所述电介质材料的所述层的平行板状结构具有介于约5nF与约50nF之间的有效电容。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
使用夹持电源将DC电压施加到所述偏置电极，所述夹持电源使用电源耦合组件电耦合到所述电导体的所述发生器端。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述电源耦合组件包括阻塞电阻器，所述阻塞电阻器具有大于约1兆欧的电阻。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述电导体进一步包括第一电导体和第二电导体，所述第一电导体和所述第二电导体串联电耦合，其中所述第一电导体的一端电耦合到所述偏置发生器的输出，并且所述第二电导体的一端电耦合到所述偏置电极。
11.一种处理腔室，包括：
2
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