一种晶圆片光电性检测方法及系统与流程

1.本发明涉及led芯片制作技术领域，特别涉及一种晶圆片光电性检测方法及系统。

背景技术：

2.在led晶圆片光电性测试环节中，需要通过探针对每个通道依次进行测试，为提高测试效率，通常会使用多晶并测的方式基于多组探针组对多个通道同时进行测试。
3.现有技术当中，在多晶并测方式下，因探针间磨损差异及晶粒距离收光位置不同多组探针组之间的数据会发生偏差，即通道差，同时由于光电性测量设备（点测机）的稳定性敏感度高，测量准确性会受时间，耗材磨损，外界温湿度，设备硬件磨损等因素影响，探针与待测晶圆片的通道之间易出现整体偏差，影响测试准确性。

技术实现要素：

4.针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种晶圆片光电性检测方法及系统，旨在解决现有技术中测试准确性较低的技术问题。
5.为了实现上述目的，本发明是通过如下技术方案来实现的：一种晶圆片光电性检测方法，包括以下步骤：基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道；筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据；将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组；将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组；根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。
6.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过以单晶测试的方式对晶圆片进行apc抽测，该抽测数据相对于多晶并测的方式消除了通道差，使得出的数据更为准确，进一步通过将第二测试数据组与第一测试数据组进行比对，依次计算出第一整体差数据及第一通道差数据组，并基于上述数据对第一测试数据组进行差异修正，消除整体差异及通道差异，从而提高测试准确性。
7.根据上述技术方案的一方面，所述根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据的步骤具体包括：筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照
组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据；按所述对照数据组的分组方式对所述输出对照组进行分组，计算每组输出数据的平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组；将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组；以所述最终数据组作为所述晶圆片的检测数据。
8.根据上述技术方案的一方面，在所述得到最终数据组的步骤之后，所述检测方法还包括：依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。
9.根据上述技术方案的一方面，在所述得到产品合格率的步骤之后，所述检测方法还包括：判断所述产品合格率是否大于预设良率；若是，则表示产品测试数据正常；基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正。
10.根据上述技术方案的一方面，所述方法还包括：依次对每个晶圆片的所述产品合格率进行记录，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片时，进行报警提示。
11.根据上述技术方案的一方面，所述将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组的步骤具体包括：依次将所述第一测试数据组中的每个原始数据基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组中的与所述原始数据对应的第一通道差数据按照以下公式进行差异修正，以得到所述输出数据组；a＝b*c*d；式中，a为所述输出数据、b为所述原始数据、c为所述第一整体差数据、d为所述第一通道差数据。
12.根据上述技术方案的一方面，所述第一测试数据组、所述第二测试数据组及所述输出数据组均包括工作电压vf数据、亮度iv数据及波长wld数据。
13.本发明的另一方面还提供了一种晶圆片光电性检测系统，包括：全测模块，用于基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；抽测模块，用于基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道；第一整体差异模块，用于筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据；第一通道差异模块，用于将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行
分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组；第一修正模块，用于将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组；检测模块，用于根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。
14.根据上述技术方案的一方面，所述检测模块具体包括：第二整体差异模块，用于筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据；第二通道差异模块，用于将所述输出对照组以探针组进行分组，计算每组所述测试数据的平均值，依次计算多个所述平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组；第二修正模块，用于将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组。
15.根据上述技术方案的一方面，所述检测系统还包括：判定模块，用于依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。
16.根据上述技术方案的一方面，所述检测系统还包括：判断模块，用于判断所述产品合格率是否大于预设良率；动态修正模块，用于若所述产品合格率大于预设良率，基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正。
17.根据上述技术方案的一方面，所述检测系统还包括：报警模块，用于依次对每个晶圆片的所述产品合格率进行记录，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片时，进行报警提示。
18.根据上述技术方案的一方面，所述第一修正模块具体包括：修正单元，用于依次将所述第一测试数据中的每个原始数据基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组中的与所述原始数据对应的第一通道差数据按照以下公式进行差异修正，以得到多个输出数据；a＝b*c*d；式中，a为所述输出数据、b为所述原始数据、c为所述第一整体差数据、d为所述第一通道差数据。
19.根据上述技术方案的一方面，所述第一测试数据组、所述第二测试数据组及所述输出数据组均包括工作电压vf数据、亮度iv数据及波长wld数据。
附图说明
20.本发明的上述与/或附加的方面与优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显与容易理解，其中：图1为本发明第一实施例中晶圆片光电性检测方法的流程图；图2为本发明第一实施例中部分通道亮度iv数据表；
图3为本发明第一实施例中第一通道差数据组及相关数据表；图4为本发明第二实施例中晶圆片光电性检测方法的流程图；图5为本发明第二实施例中产品合格率的判断示意图；图6为本发明第二实施例中机台闭环修正的操作流程图；图7为本发明第二实施例中机台闭环修正的流程框图；图8为本发明第二实施例中机台整体补偿值参数的表格图；图9为本发明第二实施例中机台通道差参数的表格图；图10为本发明第三实施例中晶圆片光电性检测系统的结构框图；图中主要元器件符号说明：全测模块10、抽测模块11、第一整体差异模块12、第一通道差异模块13、第一修正模块14、检测模块15、第二整体差异模块16、第二通道差异模块17、第二修正模块18、判定模块19、判断模块20、动态修正模块21、报警模块22。
具体实施方式
21.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的多实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
22.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
23.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
24.请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的晶圆片光电性检测方法的流程图，包括以下步骤；步骤s100，基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组。具体来说，在本步骤中，多晶并测指同时通过多组探针组对通道进行探针测试，上述探针测试基于点测机进行测试，通过多晶并测的方式可以提高测试效率，以快速得到每个通道的对应测试数据，即上述第一测试数据组，每个通道的测试数据均包括工作电压vf数据、亮度iv数据及波长wld数据。
25.步骤s110，基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道。
26.具体来说，在本步骤中，单晶测试指通过一组探针组对通道两侧进行测试，由于点测机的探针稳定性灵敏度较高，容易出现探针偏移的情况，相对于多晶并测，不会出现由于单次测试中多组探针组之间的通道差，造成数据偏移，本步骤中通过apc进行抽测，得到准确度较高的第二测试数据组。在本实施例的一些应用场景中，上述步骤s100中的多晶并测是基于纵向排布的8组探针组，沿x轴方向移动测试直至完成8个横列的通道测试，然后朝y
轴方向移动，继续完成8个横列的通道测试，直至完成所有通道的测试，上述步骤s110中的单晶并测是通过单个探针组沿y轴方向移动测试，直至完成1个纵列的通道测试，在本步骤中，上述预设通道组包括进行一次多晶并测所选取的8个通道，以保证第二测试数据组中包括与上述8个通道对应的无通道差的测试数据。
27.步骤s120，筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对（将抽测数据和全测数据相除求出比值），以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据。
28.具体来说，在本步骤中，通过将同坐标通道中分别基于多晶并测方式及单晶测试方式得到的两个测试数据进行差值比对，得到第一差值数据，并计算多个第一差值数据的平均值得到第一整体差数据。
29.便于理解地，在本实施例的一些应用场景中，上述计算亮度iv数据的第一整体差数据的过程如图2所示，此外，实际过程中还要计算其它光电性数据差异，比如工作电压vf数据，波长wld数据等，过程逻辑一致。
30.需要说明地，在本实施例中，上述多个第一差值数据是基于抽测数据与全测数据的比值得出，在本发明的其他实施例中，上述第一差值数据还可以基于抽测数据与全测数据的差值得出。
31.步骤s130，将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组。具体来说，由于对照数据组是基于多晶并测的方式所得到，上述根据探针坐标进行分组，即分组后的单个数据组中的若干个测试数据都是基于同一探针所测试得出，即多晶并测所采用的探针数量即上述分组的数量。
32.便于理解地，在本实施例的一些应用场景中，基于上述第一整体差数据得出第一通道差数据组的过程如图3所示，此外，实际过程中还要计算其它光电性数据差异，比如工作电压vf数据，波长wld数据等，过程逻辑一致。
33.具体来说，在本步骤中，通过将单次多晶并测中的每个单通道数据，求出平均值可以一定程度上的减小通道差异，并以此计算多个平均值与上述第一整体差数据的差值进一步消除整体差异，得到第一通道差数据组，第一通道差数据组由每个探针所对应的第一通道差数据组成。
34.步骤s140，将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组。
35.步骤s150，根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。
36.综上，本发明上述实施例当中的晶圆片光电性检测方法，通过以单晶测试的方式对晶圆片进行apc抽测，该抽测数据相对于多晶并测的方式消除了通道差，使得出的数据更为准确，进一步通过将第二测试数据组与第一测试数据组进行比对，依次计算出第一整体差数据及第一通道差数据组，并基于上述数据对第一测试数据组进行差异修正，消除整体差异及通道差异，从而提高测试准确性。
37.请查阅图4，所示为本发明第二实施例中的晶圆片光电性检测方法的流程图，包括以下步骤：
步骤s200，基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组。
38.步骤s210，基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道。
39.步骤s220，筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据。
40.步骤s230，将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组。
41.步骤s240，依次将所述第一测试数据组中的每个原始数据基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组中的与所述原始数据对应的第一通道差数据按照以下公式进行差异修正，以得到所述输出数据组；a＝b*c*d；式中，a为所述输出数据、b为所述原始数据、c为所述第一整体差数据、d为所述第一通道差数据。
42.步骤s250，筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据。
43.具体来说，在本步骤中，通过将输出数据组进行二次apc对比，得到第二整体差数据。
44.步骤s260，以所述对照数据组的分组方式对所述输出对照组进行分组，计算每组输出数据的平均值，依次计算多个所述平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组。通过求出一次多晶并测中各通道的平均值，以减少部分通道差的影响，然后将该平均值与第二整体差数据进行求差，相当于进一步去除整体偏差的影响，得到第二通道差数据，上述第二通道差数据组由每个探针所对应的第二通道差数据组成。
45.步骤s270，将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组。便于理解地，在本步骤中，差异修正的具体方法可参见上述步骤s240，得到经过二次修正的最终数据组，以确保产品数据的准确性，便于后续对参数的离散度进行卡控，减少误卡率，防堵真正产品点测异常，避免异常流出。
46.步骤s271，以所述最终数据组作为所述晶圆片的检测数据。
47.步骤s280，依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。具体来说，在本实施例的一些应用场景中，系统重新按照apc文档坐标调用全测修正后文档同坐标数据，再次进行点对点对比，对比光电性项目和方式一致；如图5所示，此处计算所得之结果系统会进行判定是否落在设定卡控（min，max）范围内，并求得落入设定卡控（min，max）范围内的占比，比如对比300颗点，落入范围内的为295颗，则产品合格率=295/300=98.33%。
48.步骤s290，判断所述产品合格率是否大于预设良率；若是，则表示产品测试数据正常，基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正。
49.可以理解地，现有技术中，因光电性测量设备（点测机）的固有特性，测量准确性会受时间，耗材磨损，外界温湿度，设备硬件磨损等因素而出现测试不准确情况，需要人员定期校准，原有方法一般是间隔12h或24h进行一次；又因测量设备体积小，数量多，分布广，人员每天需要行走大量的距离，每天修正大量的机台，耗费掉太多的人力成本，负担很重；且人员修正只能控制在一定的时间间隔，时间间隔内机台的稳定性和准确性无法做到实时监控，产品测试准确性不佳，本技术通过将第二整体差数据及第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正，即在每个晶圆片完成测试后都可以对测试机进行修正，使其拉回准位，防止经长期使用导致误差越来越大，消除测量波动性，同时还可取消人员验机机制，节省大量人力。
50.在本实施例的一些应用场景中，全测机台闭环修正的流程图如图6-图7所示；其中，基于第二部分apc对比得出的整体差和通道差数值，系统通过网络地址访问此机台号对应的参数档存放文件夹，到对应的档案并打开，到对应的参数栏位，现有值*/+修正值=最终最新参数（包括整体补偿值和通道补偿值）。便于理解地，如图8所示为电压，亮度，波长整体补偿值位置，图9所示为通道差参数位置。
51.步骤s291，依次对每个晶圆片的所述产品合格率进行记录，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片时，进行报警提示。
52.此外，在本实施例的一些场景中，在步骤s280后，若产品的合格率小于预设良率，此时表示产品测试数据异常，则无需将第二整体差数据及第二通道差数据组传回测试机台，同时自动hold产品，给工程人员确认，进一步地，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片，则说明可能是机台设备出现异常，通过报警提示工程人员进行检修确认。
53.具体来说，在本实施例的一些应用场景中，为便于大量点测机的系统化管理，通过监控显示设备并基于上述比对判断可实时显示每个机台的晶圆片检测状况：pass-绿：表示apc对比pass的颜，每片对比后实时更新；fail-红：第一片fail，颜由绿变更为红，后每连续增加一片fail，增加角标数字显示fail片数；可以理解地，当后续下一个晶圆片出现“pass”则自动转为绿，表示机台本身并未异常，同时机台一侧会自动hold产品，给工程人员确认。
54.已修正-蓝：工程人员进行gain修正后由红转变为蓝。可以理解地，修正时间点前map产出的wafer（map开始点测时间） apc fail不再触发颜变化，直到新产出的晶圆片触发；超时-黄：超过一定时间（可自行设定）未出现apc结果的变更此颜，标识超时未产出。
55.进一步地，在本实施例的一些应用场景中，工程人员根据上述监控显示设备对异常机台进行修正的步骤如下所示：（1）双击机台图标进入此机台历史apc对比结果画面，人员可通过查看历史结果进行判定修正项目幅度，（2）可在此界面进行相关参数修正，修正后此机台图标颜由红转为蓝；（3）修正需输入工号密码权限卡控，并输出修正报表；（4）配置每个项目修正幅度范围；（5）修正项目可配置卡控（vf4 wld wlp lop）
（6）系统自动根据最新一片结果给出参考修正数值提供人员判定；（7）如果人为判定为原点等异常无需修正，直接点击不修正释放，机台颜转蓝，并等待下一片apc结果；综上，本实施例中的本发明上述实施例当中的晶圆片光电性检测方法，通过以单晶测试的方式对晶圆片进行apc抽测，该抽测数据相对于多晶并测的方式消除了通道差，使得出的数据更为准确，进一步通过将第二测试数据组与第一测试数据组进行比对，依次计算出第一整体差数据及第一通道差数据组，并基于上述数据对第一测试数据组进行差异修正，消除整体差异及通道差异，从而提高测试准确性，进一步通过将输出数据组与第二测试数据进行二次apc比对，进一步消除整体差异及通道差异，同时对产品合格率进行判断，当产品合格时，通过将第二整体差数据及第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正，即在每个晶圆片完成测试后都可以对测试机进行修正，使其拉回准位，防止经长期使用导致误差越来越大，消除测量波动性，同时还可取消人员验机机制，节省大量人力，当连续存在若干个不合格产品时，大概率是机台出现误差通过报警，以提示工程人员进行检修确认。
56.如图10所示，本发明的第三实施例提供了一种晶圆片光电性检测系统，包括：全测模块10，用于基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；抽测模块11，用于基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道；第一整体差异模块12，用于筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据；第一通道差异模块13，用于将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组；第一修正模块14，用于将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组。具体来说，在本实施例中，上述第一修正模块具体包括：修正单元，用于依次将所述第一测试数据中的每个原始数据基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组中的与所述原始数据对应的第一通道差数据按照以下公式进行差异修正，以得到多个输出数据；a＝b*c*d；式中，a为所述输出数据、b为所述原始数据、c为所述第一整体差数据、d为所述第一通道差数据；检测模块15，用于根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。
57.进一步地，在本实施例中，上述检测模块15具体包括：第二整体差异模块16，用于筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值
数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据；第二通道差异模块17，用于按所述对照数据组的分组方式对所述输出对照组进行分组，计算每组输出数据的平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组；第二修正模块18，用于将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组。
58.优选地，在本实施例中，上述晶圆片光电性检测系统还包括判定模块19，用于依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。进一步地，在本实施例中，上述检测系统还包括：判断模块20，用于判断所述产品合格率是否大于预设良率；动态修正模块21，用于若所述产品合格率大于预设良率，基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正；报警模块22，用于依次对每个晶圆片的所述产品合格率进行记录，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片时，进行报警提示。
59.综上，本实施例中的晶圆片光电性检测系统，通过抽测模块11以单晶测试的方式对晶圆片进行apc抽测，该抽测数据相对于多晶并测的方式消除了通道差，使得出的数据更为准确，进一步通过将第二测试数据组与根据全测模块10得到的第一测试数据组进行比对，根据第一整体差异模块12及第一通道差异模块13依次得到第一整体差数据及第一通道差数据组，并通过第一修正模块14对第一测试数据组进行差异修正，消除整体差异及通道差异，从而提高测试准确性，进一步通过将输出数据组与第二测试数据进行二次apc比对，进一步消除整体差异及通道差异，同时对产品合格率进行判断，当产品合格时，通过动态修正模块21将第二整体差数据及第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正，即在每个晶圆片完成测试后都可以对测试机进行修正，使其拉回准位，防止经长期使用导致误差越来越大，消除测量波动性，同时还可取消人员验机机制，节省大量人力，当连续存在若干个不合格产品时，大概率是机台出现误差通过报警，以提示工程人员进行检修确认。
60.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
61.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出多种变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：

1.一种晶圆片光电性检测方法，其特征在于，包括以下步骤：基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道；筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据；将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组；将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组；根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。2.根据权利要求1所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，所述根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据的步骤具体包括：筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据；按所述对照数据组的分组方式对所述输出对照组进行分组，计算每组输出数据的平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组；将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组；以所述最终数据组作为所述晶圆片的检测数据。3.根据权利要求2所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，在所述得到最终数据组的步骤之后，所述检测方法还包括：依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。4.根据权利要求3所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，在所述得到产品合格率的步骤之后，所述检测方法还包括：判断所述产品合格率是否大于预设良率；若是，则表示产品测试数据正常，基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组对测试机的现有原点参数进行修正。5.根据权利要求3所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，所述方法还包括：依次对每个晶圆片的所述产品合格率进行记录，若连续出现若干个产品合格率低于预设良率的晶圆片时，进行报警提示。6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，所述将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组的步骤具体包括：依次将所述第一测试数据组中的每个原始数据基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组中的与所述原始数据对应的第一通道差数据按照以下公式进行差异修正，以
得到所述输出数据组；a＝b*c*d；式中，a为所述输出数据、b为所述原始数据、c为所述第一整体差数据、d为所述第一通道差数据。7.根据权利要求6所述的晶圆片光电性检测方法，其特征在于，所述第一测试数据组、所述第二测试数据组及所述输出数据组均包括工作电压vf数据、亮度iv数据及波长wld数据。8.一种晶圆片光电性检测系统，其特征在于，包括：全测模块，用于基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；抽测模块，用于基于单晶测试的方式完成所述晶圆片中的预设通道组的apc抽测，以得到第二测试数据组，其中，所述预设通道组包括任意一次所述多晶并测所选取的通道；第一整体差异模块，用于筛选出所述第一测试数据组中与所述预设通道组对应的对照数据组，将所述对照数据组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第一差值数据，计算多个所述第一差值数据的平均值以得到第一整体差数据；第一通道差异模块，用于将所述对照数据组中的多个测试数据根据探针坐标进行分组，计算每组测试数据的平均值与所述第一整体差数据的差值，以得到第一通道差数据组；第一修正模块，用于将所述第一测试数据组基于所述第一整体差数据及所述第一通道差数据组进行差异修正，得到输出数据组；检测模块，用于根据所述输出数据组以得到所述晶圆片的检测数据。9.根据权利要求8所述的晶圆片光电性检测系统，其特征在于，所述检测模块具体包括：第二整体差异模块，用于筛选出所述输出数据组中与所述预设通道组对应的输出对照组，将所述输出对照组与所述第二测试数据组进行差值比对，以得到多个第二差值数据，计算多个所述第二差值数据的平均值以得到第二整体差数据；第二通道差异模块，用于将所述输出对照组以探针组进行分组，计算每组所述测试数据的平均值，依次计算多个所述平均值与所述第二整体差数据的差值，以得到第二通道差数据组；第二修正模块，用于将所述输出数据组基于所述第二整体差数据及所述第二通道差数据组进行差异修正，得到最终数据组。10.根据权利要求9所述的晶圆片光电性检测系统，其特征在于，所述检测系统还包括：判定模块，用于依次判断所述最终数据组中的各数据是否处于预设范围内，并以此得到产品合格率。

技术总结

本发明提供一种晶圆片光电性检测方法及系统，该方法包括以下步骤：基于多晶并测的方式依次完成晶圆片上的全部通道的探针测试，以得到第一测试数据组；基于单晶测试的方式完成通道中的预设通道组的APC抽测，以得到第二测试数据组；计算第一整体差数据及第一通道差数据组，并对第一测试数据组进行差异修正，得到输出数据组。通过以单晶测试的方式对晶圆片进行APC抽测，并依次计算出整体差数据及通道差数据组，并基于上述数据对第一测试数据组进行差异修正，消除整体差异及通道差异，从而提高测试准确性，通过对机台进行监控并基于二次APC对比对机台参数进行自动修正，同时对产品进行离散度卡控，防堵真正产品点测异常，避免异常流出。异常流出。异常流出。