[转][N1盒⼦]扩容
评：动⼿能⼒强的⼈还是很多的。
淘宝搜索快克焊接台。
NANDFLASH与eMMC的区别
NANDFLASH与eMMC的区别为：来源不同、⽤途不同、读取不同。
⼀、来源不同
1、NANDFLASH：NANDFLASH是东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的。
2、eMMC：eMMC为MMC协会所订⽴的。
⼆、⽤途不同
1、NANDFLASH：NANDFLASH适合⽤于储存卡之类的⼤量存储设备。
2、eMMC：eMMC主要是针对⼿机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
三、读取不同
1、NANDFLASH：NANDFLASHI/O接⼝并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的⽅式进⾏读取。
2、eMMC：eMMC在封装中集成了⼀个控制器，提供标准接⼝进⾏读取并管理闪存。 NAND Flash的存储单元分为SLC（Single Layer Cell）、MLC (Multi-Layer Cell)以及TLC（Triple Layer Cell），⽬前，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC迈进。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采⽤统⼀的MMC标准接⼝，⾃⾝集成MMC Controller，存储单元与NANDFLASH相同。针对Flash的特性，eMMC产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
但当前NAND Flash在嵌⼊式产品中应⽤仍然极为⼴泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NAND Flash使⽤⼚家通软件进⾏完善。
在ARM核⼼板、ARM开发板、ARM⼯控板领域，M3352核⼼板、M283核⼼板、M287核⼼板、M3517核⼼板、EPC-8000⼯控主板、EPC-9600、EPC-9200、EPC-9100⼯控主板等产品，针对NandFlash有着完善的坏块管理、掉电保护等措施，例如分别在wince 与linux系统下加固flash驱动、
对操作系统进⾏双备份以及对flash进⾏10万次掉电测试等。
今天跟⼤家聊聊eMMC与NAND Flash有什么区别和联系。
⾸先我们要认识Flash，Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为⾮易失性闪存模块。上个世纪⼋⼗年代，⽇本发表了NAND Flash结构，强调降低每⽐特的成本，更⾼的性能，并且像磁盘⼀样可以通过接⼝轻松升级。因为NAND Flash的晶⽚容量相对于NOR⼤，更像硬盘，写⼊与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应⽤在⼩型机以储存资料为主。⽬前已⼴泛应⽤在各种存储设备上，可存储代码和资料。
NAND Flash的存储单元从最初的SLC，到2003年开始兴起MLC，发展⾄今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC 迈进。纳⽶制程⼯艺和存储单元的发展，使得同样⼤⼩的芯⽚有更⾼密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还⼤幅降低了单位存储容量的成本。
然⽽NAND Flash 随着纳⽶制程和存储技术的主流趋势发展，性能却在不断下降。可擦写寿命短，出错概率⾼，读写速度慢，稳定性差。嵌⼊式存储芯⽚eMMC就可以弥补这个市场需求和NAND Flash发展的缺⼝。
⽽eMMC和Nand flash 之间的区别，主要是：在组成结构上，eMMC存储芯⽚简化了存储器的设计，
将NAND Flash芯⽚和控制芯⽚以MCP 技术封装在⼀起，省去零组件耗⽤电路板的⾯积，同时也让⼿机⼚商或是计算机⼚商在设计新产品时的便利性⼤⼤提⾼。⽽NAND Flash仅仅只是⼀块存储设备，若要进⾏数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进⾏操作，两者的结构图如下：
从闪存的发展历史看，eMMC与NAND Flash有什么区别与联系？
在功能上：eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相⽐于直接将NAND Flash接⼊到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进⾏特殊的处理。同时，eMMC通过使⽤Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也⽐ NAND
Flash要好很多。
宏旺半导体总结⼀下：NAND Flash 是⼀种存储介质，要在上⾯读写数据，外部要加主控和电路设计；eMMC是NAND flash+主控IC ，对外的接⼝协议与SD、TF卡类似；对⼚家⽽⾔简化了电路设计，降低了成本。
从闪存的发展历史看，eMMC与NAND Flash有什么区别与联系？
使⽤emmc的好处是，除了得到⼤容量的空间（这⼀点，只⽤NAND FLASH多堆叠也可以做到），还有就是emmc可以管理NAND （坏块处理，ECC)等。宏旺半导体推出的eMMC⽀持命令⾏序列，能够⼤幅度提升闪存的性能表现，另外还⽀持安全写保护功能，可提升安全性，容量从8GB到128GB不等，封装尺⼨为11.5*13mm，在不久的将来，宏旺半导体将推出更多⾼品质⾼性能的存储产品。
⼿⾥有⼀个斐讯的N1盒⼦，装了10多个APP，有⼏个集合类电影的，需要缓存到本地才能看，⽐如⼈⼈影视这类的，8G的空间只剩下2G多些，经常提⽰缓存已满，于是想改造下，扩容！
收集了资料，⼤致的思路是，拆下原闪存→焊到安国的主控U盘板上（做读卡器）→读取全盘数据做备份→写⼊新的emmc上→新的emmc焊回到n1上→通电，双清思路很简单，但是......事情往往没那么顺利，咱们还是看图说话吧
先拆机，最后⼀次全家福。。。
拆emmc
好了到⽬前为⽌⼀切顺利
植锡，焊到安国主控的U盘板⼦上
植锡的过程可以说问题不少，⽽且卡在这⼀步，最后也没成功
因为新买的植锡板，新⼿未掌握要领，芯⽚掉了好⼏处焊点，并且严重变形报废了，
我简单的总结了下没成功的原因，1.锡膏涂抹的时候未压实 2.锡膏应该晾晾，太稀3.热风温度太⾼（350），锡膏沸腾焊糊了
4.⾃⼰太⾃信了，没练就直接上⼿
这个就是那个被我反复蹂躏的8gemmc，报废了
没有备份，怎么办，难道要成⼫体
⽹上疯狂的备份，结果⼀⽆所获
最后联系到了⼀个⽜⼈----⼩韩
给了我⼀个n1的boot的备份⽂件，
再他的帮助下，重新整理了下思路。
新的32gemmc中写⼊boot，然后连接ttl，按n1救砖教程，
刷⼊固件。
⽤这个软件写⼊
写的有点慢，耐⼼等待。。。
写好了
对⽐下，别刷错了。。。。
ok，可以焊到n1了，这次吸取上了上次的教训，⼀次植锡成功
焊上ttl线
连接ttl通电，激动的时刻来了
可以了。。。
电脑上打开USB_Burning_Tool⼯具
选好刷⼊的固件，去掉擦除flash和擦除bl，并连接好usb，
短接好刷机救砖的那两个点（此处可参照⽹上n1救砖教程）
接上电，然后狂按Ctrl+C就进⼊了命令⾏，输⼊命令update
成功刷机
可是还是8g，不急这⾥需要双清或是格式化⽤户分区
我直接格式化分区了
没啥技术含量，别⼈也发过，在这⾥我是记录下我的过程，并感谢帮助过我的--⼩韩
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议