显影液
AZ300 MIF生产商
安智电子材料有限公司（AZ Electronic Materials）作为业界领头羊，一直为平板显示器和录音磁头市场提供电子材料，其投资方为喀莱尔集团（Carlyle Group）。 AZ EM在50年代第一个开始正光阻蚀刻液的开发，先进的生产和研究能力，其产品质量引领世界先进水平。以在美国和日本的研究所为中心在德国、法国设立服务中心，并在美国国内、中国大陆和台湾、韩国设立生产基地，将销售和技术支持中文设立在用户附近。 公司的主要产品是光阻蚀刻液，是一种电子感光材料，应用在电子线路图形印刻等方面，另外AZ还提供电绝缘材料，光膜材料和硅制品等。
AZ300 MIF其最小精度打到0.25μm，基本成分是四甲基氢氧化铵（tetramethyl
ammonium hydroxide (TMAH)），其电子等级达到2.38，是一种活性较高的电子材料。
在一般的菲林胶片中则多用到温水、无水亚硫酸钠、无水碳酸钠、溴化钾
米吐尔（甲基-4-氨基苯酚硫酸盐(CH3NHC6H4OH)2·H2SO4）
几奴尼（对苯二酚）
蚀刻液
CR-7T生产商：
帆宣系统科技股份有限公司于1988年由高新明董事长暨执行长所创立。成立以来，一向专注于半导体、平面显示器设备及耗材代理，厂务系统TURNKEY服务等业务；近年来帆宣公司更进一步跨入LED、OLED等光电制程设备与技术开发，并进入微机电及生技等产业，朝多元化方向发展。
帆宣公司业务领域包括：代理销售CMP、光罩等半导体之制程及检测机台与耗材，SOI Wafer，LCD制程及检测设备及材料等；客户委托之设备组装制造；以及专业之无尘室及机电统包工程，包括设计、安装、采购、工程管理、施工、测试，纯水、气体及化学品供应系统设计执行、废气废水废溶剂处理和监控系统等。
帆宣公司企业总部设于台北，全省北中南据点包括新竹、湖口、台中、台南及高雄；海外服务点遍布于中国大陆、新加坡、韩国及美国。
Etching rate: CR-3S (Angstrom per Second);
CR-7S 24 (Angstrom per Second)
主要由双氧水和盐酸构成形成的过氯酸来腐蚀铬，因为各厂家技术要求指标不同，所以其中相关化学成分的配比也有所不同。（由HCLO4+Ce(NH4)2(NO3)6+H2O组成反应物质） 特点 :
高纯度 6
高稳定性
高洁净度
SPC 生产控制
蚀刻技术及蚀刻液的分析
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻，在湿蚀刻中使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，而干蚀刻通常是一种等离子体蚀刻，其作用可能是等离子体撞击芯片表面的物理作用，或者可能是等离子体活性基与芯片表面原子间的化学反应，甚至也可能是两者的复合作用。 1. 晶圆蚀刻
在集成电路制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，它们的形成可以借由蚀刻技术完成。早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿蚀刻，主要是借由溶液与待蚀刻材质间的化学反应，因此可借由调配与选取适当的化学溶液，得到所需的蚀刻速率，以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比。但是随着集成电路中组件尺寸越做越小，由于化学反应没有方向性，而湿蚀刻是等向性的，此时当蚀刻溶液做纵向蚀刻时，侧向的蚀刻将同时发生，进而造成底切现象，导致图案线宽失真。因此湿蚀刻在次微米组件（3微米以下）的制程中已被干蚀刻所取代。
半导体制程中常见的几种物质的湿蚀刻是硅、二氧化硅、氮化硅及铝。单晶硅与复晶硅的蚀刻通常是利用硝酸与的混合液来进行，此反应是利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅，再利用将形成的二氧化硅溶剂去除，反应如下：
Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O
二氧化硅的湿蚀刻通常采用溶液加以进行，反应如下：
SiO2 + 6HF = H2 + SiF6 + 2H2O
实际应用上是用稀释的或添加氟化铵作为缓冲剂来控制蚀刻速率。
氮化硅可利用加热至180°C的磷酸溶液(85%)来进行蚀刻。
铝或铝合金的湿蚀刻主要是利用磷酸、硝酸、醋酸及水的混合溶液加以进行，典型的比例为80％的磷酸、5％的硝酸、5％的醋酸及10％的水。由硝酸将铝氧化成氧化铝，接着再利用磷酸将氧化铝予以溶解去除，如此反复进行以达到蚀刻的效果。
2. PCB蚀刻
目前用作蚀刻溶剂的有：氯化铁（Ferric Chloride）、 氯化铜（Cupric Chloride）、碱性氨（Alkaline Ammonia）、硫酸加过氧化氢（Sulfuric Acid + Hydrogen Peroxide）、硫酸－铬酸蚀刻液、过硫酸铵蚀刻液。
蚀刻液主要有氯化铜液、三氯化铁液、碱性蚀刻液、硫酸/过氧化氢（双氧水）系蚀刻液。
氯化铜蚀刻液由氯化铜(CuCl2･2H2O)+盐酸(HCl)+过氧化氢(H2O2)+水(H2O)组成；三氯化铁蚀刻液是由三氯化铁(FeCl３)+盐酸(HCl)+水(H2O)组成的；碱性蚀刻液的主要成分是有铜氨络离子；硫酸/过氧化氢（双氧水）蚀刻液以硫酸与过氧化氢（双氧水）为主成分。
以蚀刻化铜及氯化铁的市场使用情况，PCB厂商约有95%使用氯化铜(CuCl2)，IC载板厂商约80%使用氯化铁(FeCl3)，20%使用氯化铜(CuCl2)
三氯化铜蚀刻和三氯化铁蚀刻有什么不同，他们的各自的优点和缺点在哪些地方
酸性氯化铜蚀刻过程的主要化学反应在蚀刻过程中，氯铜中的Cu2+具有氧化性，能将板氧
化成Cu+ ,其反应如下：
蚀刻反应：Cu+CuCl2=Cu2Cl2
形成的Cu2Cl2是不易溶于水的,在有过量的Cl-存在下，能形成可溶性的络合离子，其反应如下：
络合反应： Cu2Cl2 +4Cl- =2[CuCl3]2-
随着铜的蚀刻，溶液中的Cl+越来越多，蚀刻能力很快就会下降，直到最后失去效能。为保持蚀刻能力，可以过溶液再生的方式将Cu+重新生成Cu2+.恢复蚀刻能力.
蚀刻液的再生：
再生的原理主要是利用氧化剂将溶液中的Cu1+ 氧化成Cu2+。
随着电子技术的发展，越来越需要许多几何形状复杂、精密度要求高而机械加工难以实现的超薄形工件。而照相腐蚀（或称金属蚀刻）方法却易达到部件平整、无毛刺、图形复杂的要求，且加工周期短、成本低。它的化学原理是利用三氯化铁水溶液作为腐蚀剂与金属反应：
2FeCl 3 ＋ F e＝ 2FeCl 2 2FeCl 3 ＋ C u＝ CuCl 2 ＋ 2FeCl 2
在氯离子和氧化剂共存的条件下就可以发生金属腐蚀。 FeCl 3 作为一种较强的氧化剂，其腐蚀作用取决于 Fe 3 + ＋ e → Fe 2+ 反应的氧化还原电位（ 0.77V ），加之溶液中含有大量的氯离子，且 PH 值低、酸性强，所以对金属有强烈的腐蚀倾向。
由腐蚀反映原理可知，三氯化铁随着反应进行， Fe 3+ 离子浓度越来越低，而 Fe 2+ 离子浓度越来越高。一般经验数据表明：在 Be 4 2 0 的三氯化铁溶液中的 Fe 2+ 离子浓度超过一定量时，腐蚀剂对金属腐蚀速度就显著下降，腐蚀质量变差， 此时就需要更新。若经常更换腐蚀溶液，一则对环境产生污染，二则造成浪费，提高产品成本，如果能把 Fe 2+ 氧化再生就可能解决这些问题。化学蚀刻
化学蚀刻（Chemical）
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。
蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类。
通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护摸去处，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，名牌及传统加工法难以加工之薄形工件等之加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
比如Moto V3的键盘，文字和符号均为采用镂空蚀刻工艺成型。
过程：清洗板材(不锈钢其它金属材料)---烘干---涂布---曝光--- 显影--蚀刻--脱膜
玻璃表面化学加工
用对玻璃制品的局部表面进行腐蚀，在其表面刻画出各种花纹、图案、刻度、格子等。化学蚀刻过程是现在需蚀刻的玻璃表面涂上保护漆或石蜡。然后放入和少量NH4F组成的蚀刻液，玻璃表面层与作用，生成的氟化物溶解在蚀刻液中或沉积在
玻璃表面。
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