名称 | 符号 | 用途 |
HF | 刻蚀二氧化硅SiO2以及清洗石英器皿 | |
盐酸 | HCl | 湿法清洗化学品,2号标准清洗液的一部分, 用来去除硅中的重金属元素 |
硫酸 | H2SO4 | |
缓冲氧化层蚀刻BOE 和氟化铵溶液 | HF/ NH4F | 刻蚀二氧化硅薄膜SiO2 |
磷酸 | H3PO4 | 刻蚀氮化硅Si3N4 |
硝酸 | HNO3 | 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃PSG |
名称 | 符号 | 用途 |
氢氧化钠 | NaOH | 湿法刻蚀 |
氢氧化铵 | NH4OH | 清洗剂 |
氢氧化钾 | KOH | 正性光刻胶显影剂 |
氢氧化四甲基铵 | TMAH | 正性光刻胶显影剂 |
名称 | 符号 | 用途 |
去离子水 | DI water | 广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂 |
异丙醇 | IPA | 通用的清洗剂 |
三氯乙烯 | TCE | 用于硅片和一般用途的清洗溶剂 |
丙酮 | Acetone | 通用的清洗剂比IPA更强 |
二甲苯 | Xylene | 强的清洗剂,也可以用来去除硅片边缘光刻胶 |
性质 | 名称/符号 | 用途 |
惰性 | 氮气/N2 | 排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体,有时也作为某些淀积工艺的工艺气体 |
氩气/Ar | 在硅片工艺过程中用在工艺腔体中 | |
氦气/He | 工艺腔气体,也用于真空室的漏气检查 | |
还原性 | 氢气/H2 | 外延层工艺的运载气体,也用在热氧化工艺中与O2反应生成水蒸气等 |
氧化性 | 氧气/O2 | 工艺腔气体 |
性质 | 名称/符号 | 用途 |
氢化物 | 硅烷/SiH4 | 气相沉积工艺的硅源 |
/AsH3 | n型硅片离子注入的砷源 | |
磷化氢/PH3 | n型硅片离子注入的磷源 | |
乙/B2H6 | p型硅片离子注入的硼源 | |
原硅酸四乙酯/ TEOSSiOC2H54 | 气相沉积工艺的二氧化硅源 | |
二氯硅烷/SiH2Cl2 | 气相沉积工艺的硅源 | |
氟化物 | 三氟化氮/NF3 | 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 |
六氟化钨/WF6 | 金属淀积工艺的钨源 | |
四氟甲烷/CF4 | 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 | |
四氟化硅/SiF4 | 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 | |
酸性气体 | 三氟化氯/ClF3 | 工艺腔体清洁气体 |
BF3 | p型硅片离子注入的硼源 | |
/Cl2 | 金属刻蚀中所用氯的来源 | |
三氯化硼/BCl3 | p型硅片离子注入的硼源, 金属刻蚀中所用氯的来源 | |
其他 | 氯化氢/HCl | 工艺腔体清洁气体和去污剂 |
氨气/NH3 | 工艺气体用来和SiH2Cl2反应生成淀积用的Si3N4 | |
笑气一氧化二氮/N2O | 与硅反应生成二氧化硅的氧源 | |
一氧化碳/CO | 用在刻蚀工艺中 | |
本文发布于:2024-09-20 16:37:58，感谢您对本站的认可！
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