存储器器件以及操作存储器器件的方法与流程

1.本发明的实施例涉及存储器器件以及操作存储器器件的方法。

背景技术：

2.诸如计算机、便携式设备、智能电话、物联网(iot)设备等的电子设备的发展已促使对存储器器件的需求增加。通常，存储器器件可以是易失性存储器器件和非易失性存储器器件。易失性存储器器件可以在供电时储存数据，但一旦断电，可能会丢失储存的数据。与易失性存储器器件不同，非易失性存储器器件即使在电源关闭后也可以保留数据，但可能比易失性存储器器件慢。

技术实现要素：

3.根据本发明的实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：储存数据的存储器单元；以及耦合到存储器单元的输出驱动器，输出驱动器用于：响应于指示存储器单元处于操作状态的休眠追踪信号，生成指示储存的数据的输出信号，并且响应于指示存储器单元处于休眠状态的休眠追踪信号，生成的具有预定电压的输出信号而与储存的数据无关，其中，休眠追踪信号从使存储器单元在休眠状态或操作状态下操作的休眠控制信号延迟。
4.根据本发明的实施例的另一个方面，提供了一种存储器器件，包括：储存数据的存储器单元；延迟电路，延迟电路用于：接收指示存储器单元处于休眠状态还是处于操作状态的休眠追踪信号，和延迟休眠追踪信号以得到延迟休眠追踪信号；以及唤醒检测电路，耦合到延迟电路，唤醒检测电路基于延迟休眠追踪信号生成指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态是否完成的唤醒完成信号。
5.根据本发明的实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，包括：通过控制器生成休眠控制信号以使存储器单元在第一时间处从休眠状态转换到操作状态；通过控制器检测在第一时间之后的第二时间处存储器单元已从休眠状态转换到操作状态；通过控制器使输出驱动器耦合到存储器单元以保持输出信号具有预定电压而与存储器单元储存的数据无关，直到第二时间；以及通过控制器使输出驱动器在第二时间之后生成指示由存储器单元储存的数据的输出信号。
附图说明
6.当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
7.图1图示了根据一些实施例的示例存储器器件的示意框图。
8.图2图示了根据一些实施例的包括用于执行唤醒序列的电路的示例存储器器件的示意框图。
9.图3图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器的部分的示意图。
10.图4图示了根据一些实施例的存储器器件的唤醒序列的时序图。
11.图5图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器的部分的示意图。
12.图6图示了根据一些实施例的电源检测电路的示意图。
13.图7图示了根据一些实施例的存储器器件的唤醒序列的时序图。
14.图8图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器的部分的示意图。
15.图9a至图9d图示了根据一些实施例的延迟电路的示意图。
16.图10图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器的部分的示意图。
17.图11是示出根据一些实施例的由存储器器件执行唤醒序列的方法的流程图。
18.图12是根据一些实施例的计算系统的示例框图。
具体实施方式
19.以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
20.此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在
…
下方”、“在
…
下面”、“下部”、“在
…
上面”、“上部”等的间隔关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，间隔关系术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的间隔关系描述符可以同样地作相应地解释。
21.本文所公开的内容涉及在从休眠状态转换到操作状态时降低存储器器件的功耗。在一个方面，存储器器件包括用于储存数据的存储器单元。在一个方面，存储器器件包括输出驱动器，输出驱动器被配置为：响应于指示存储器单元处于操作状态的休眠追踪信号生成指示所储存的数据的输出信号，并且响应于指示存储器单元处于休眠状态的休眠追踪信号生成具有预定电压的输出信号而与所储存的数据无关。在一个方面，休眠追踪信号从使得存储器单元进入休眠状态或操作状态的休眠控制信号延迟。
22.有利地，当从休眠状态转换到操作状态时，存储器器件可以降低功耗。在一个方面，控制器可以生成使存储器单元进入休眠状态或操作状态的休眠控制信号。响应于休眠控制信号，存储器单元可以相应地进入休眠状态或操作状态。在一个方面，休眠控制信号通过多个缓冲器电路传播，以使存储器单元的集合进入休眠状态或操作状态。例如，第一缓冲器电路可以接收休眠控制信号并生成第一延迟控制信号以将存储器单元的集合的第一子集配置在休眠状态或操作状态。每个剩余缓冲器电路可以从在前的缓冲器电路接收延迟的控制信号并生成相应的延迟控制信号以将存储器单元的集合的相应子集配置在休眠状态或操作状态。通过缓冲器电路的集合的最后一个缓冲器电路传播的休眠控制信号可以是指示存储器单元的集合从休眠状态转换到操作状态是否完成的休眠追踪信号。由于存储器单元的电容负载和/或缓冲器电路的数量，休眠追踪信号可能相对于休眠控制信号被延迟。在
一个方面，使输出驱动器响应于休眠控制信号生成具有预定电压的输出信号，可以使输出驱动器在存储器单元没有足够地从休眠状态转换到操作状态时消耗功率。通过使输出驱动器响应于休眠追踪信号生成具有预定电压的输出信号，当存储器单元没有足够地从休眠状态转换到操作状态时输出驱动器的功耗可以被减少或消除。
23.在一个方面，存储器器件包括延迟电路以延迟休眠追踪信号。存储器器件还可以包括耦合到延迟电路的唤醒检测电路。唤醒检测电路可以基于延迟休眠追踪信号生成指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态是否完成的唤醒完成信号。例如，响应于指示存储器单元处于休眠状态的具有高电压(例如，1v)的延迟休眠追踪信号，唤醒完成信号可以具有高电压(例如，1v)以指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态未完成。例如，响应于指示存储器单元处于操作状态的具有低电压(例如，0v)或逻辑值“0”的延迟休眠追踪信号，唤醒完成信号可以具有低电压(例如，0v)以指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态未完成。
24.在一个方面，存储器器件包括电源检测电路，其被配置为检测提供给输出驱动器中的一个或多个电路的内部供电电压，并生成指示内部供电电压是否已达到阈值的电源检测信号电压。唤醒检测电路可以进一步基于电源检测信号生成唤醒完成信号。例如，响应于指示内部供电电压尚未达到阈值电压的具有高电压(例如，1v)的电源检测信号，唤醒完成信号可以具有高电压(例如，1v)以指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态未完成。例如，响应于指示内部供电电压已达到阈值电压的具有低电压(例如，0v)的电源检测信号，唤醒完成信号可以具有低电压(例如，0v)以指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态已完成。
25.有利地，当存储器单元和输出驱动器已从休眠状态转换到操作状态时，唤醒检测电路可以准确地生成唤醒完成信号。在一个方面，提供给输出驱动器的一个或多个电路的内部供电电压可以响应于休眠控制信号而改变。例如，当输出驱动器处于休眠状态时，内部供电电压可以被设置为第一电压(例如，0v)，而当输出驱动器处于操作状态时，内部供电电压可以被设置为第二电压(例如，1v)。由于电容负载，内部供电电压的变化可能会相对于休眠控制信号的变化有所延迟。通过使唤醒检测电路基于延迟休眠追踪信号和/或电源检测信号生成唤醒完成信号，可以在内部供电电压达到使输出驱动器可操作的足够电压时准确地生成唤醒完成信号。因此，可以避免在存储器单元和输出驱动器已足够地从休眠状态转换到操作状态之前，过早地引起诸如读取存储器单元所储存的数据的其他操作，使得存储器器件可以以降低功耗的可靠方式操作。
26.在一些实施例中，一个或多个组件可以实施为一个或多个晶体管。本公开中的晶体管被示为具有特定类型(n型或p型)，但实施例不限于此。晶体管可以是任何合适类型的晶体管，包括但不限于金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、双极结型晶体管(bjt)、高压晶体管、高频晶体管、finfet、具有凸起的源电极/漏电极的平面mos晶体管、纳米片fet、纳米线fet等。此外，本文所示或描述的一个或多个晶体管可以实施为并联连接的两个或多个晶体管。
27.图1是根据一个实施例的存储器器件100的示意图。在一些实施例中，存储器器件100包括存储器控制器105和存储器阵列120。存储器阵列120可以包括布置成二维或三维阵列的多个储存电路或存储器单元125。每个存储器单元125可以耦合到对应的字线wl和对应
的位线bl。存储器控制器105可以根据通过字线wl和位线bl的电信号将数据写入存储器阵列120或从存储器阵列120读取数据。在其他实施例中，存储器器件100包括比图1所示更多、更少或不同的组件。
28.存储器阵列120是储存数据的硬件组件。在一个方面，存储器阵列120被实施为半导体存储器器件。存储器阵列120包括多个储存电路或存储器单元125。存储器阵列120包括各自都在第一方向(例如，x方向)上延伸和字线wl0、wl1
…
wlj，以及各自都在第二方向(例如，y方向)上延伸的位线bl0、bl1
…
blk。字线wl和位线bl可以是导电金属或导电轨。在一个方面，每个存储器单元125耦合对应的字线wl和对应的位线bl，并且可以根据通过对应的字线wl和对应的位线bl的电压或电流来操作。在一些实施例中，每个位线包括耦合到沿第二方向(例如，y方向)设置的存储器单元125的组中的一个或多个存储器单元125的位线bl、blb。位线bl、blb可以接收和/或提供差分信号。每个存储器单元125可以包括易失性存储器、非易失性存储器或它们的组合。在一些实施例中，每个存储器单元125被实施为静态随机存取存储器(sram)单元或其他类型的存储器单元。在一些实施例中，存储器阵列120包括附加的线(例如，选择线、参考线、参考控制线、电源轨等)。
29.存储器控制器105是控制存储器阵列120的操作的硬件组件。在一些实施例中，存储器控制器105包括位线控制器112、字线控制器114和主控制器110。位线控制器112、字线控制器114和主控制器110可以实施为逻辑电路、模拟电路或它们的组合。在一种配置中，字线控制器114是通过存储器阵列120的一个或多个字线wl提供电压或电流的电路，并且位线控制器112是通过存储器阵列120的一个或多个位线bl提供或感测电压或电流的电路。在一种配置中，主控制器110是提供控制信号或时钟信号以同步位线控制器112和字线控制器114的操作的电路。在一些实施例中，主控制器110被实施为或包括处理器和储存指令的非暂时性计算机可读介质，当指令由处理器执行时使处理器执行本文描述的主控制器110或存储器控制器105的一个或多个功能。位线控制器112可以耦合到存储器阵列120的位线bl，并且字线控制器114可以耦合到存储器阵列120的字线wl。在一些实施例中，存储器控制器105包括更多、更少、或不同于图1所示的组件。
30.在一个示例中，主控制器110可以生成控制信号以协调位线控制器112和字线控制器114的操作。例如，主控制器110可以生成一个或多个使能信号以启用或禁用操作。在一种方法中，为了将数据写入存储器单元125，主控制器110可以使字线控制器114通过耦合到存储器单元125的字线wl向存储器单元125施加电压或电流，并且使位线控制器112通过耦合到存储器单元125的位线bl施加对应于要储存到存储器单元125的数据的电压或电流。在一种方法中，为了从存储器单元125读取数据，主控制器110可以使字线控制器114通过耦合到存储器单元125的字线wl向存储器单元125施加电压或电流，并且使位线控制器112通过耦合到存储器单元125的位线bl感测与存储器单元125所储存的数据相对应的电压或电流。
31.在一些实施例中，主控制器110包括休眠控制电路175和唤醒检测电路185。通过这些组件，主控制器110可以执行唤醒序列并报告存储器器件100的状态。
32.休眠控制电路175是生成休眠控制信号以使存储器单元125和存储器控制器105的一个或多个组件(例如，位线控制器112和字线控制器114)进入休眠状态(也称为“电源管理状态”)或操作状态的电路。例如，具有第一电压(例如，0v)的休眠控制信号可以使存储器控制器105的一个或多个组件(例如，位线控制器112和字线控制器114)进入操作状态。例如，
具有第二电压(例如，1v)的休眠控制信号可以使存储器控制器105的一个或多个组件(例如，位线控制器112和字线控制器114)进入休眠状态。在休眠状态中，存储器单元125和存储器控制器105的一个或多个组件可以被断电或者可以消耗比在操作状态下更低的功率。在操作状态下，存储器单元125和存储器控制器105的一个或多个组件可以完全被操作以支持读取数据或写入数据，并且可以比休眠状态消耗更多的功率。
33.唤醒检测电路185是生成唤醒完成信号的电路，唤醒完成信号指示唤醒序列是否完成。在一个方面，唤醒检测电路185可以接收休眠追踪信号。休眠追踪信号可以是追踪存储器单元125的组的状态的信号。例如，休眠追踪信号可以指示存储器单元125的组是处于休眠状态还是处于操作状态。基于休眠追踪信号，唤醒检测电路185可判断唤醒序列是否完成，并据此生成唤醒完成信号。根据唤醒完成信号，存储器器件100可以执行各种操作。例如，响应于指示存储器单元125尚未完成唤醒序列的唤醒完成信号，存储器器件100可以不执行读取操作或写入操作。例如，响应于指示存储器单元125已完成唤醒序列的唤醒完成信号，存储器器件100可以执行读取操作或写入操作。下面结合图2至图11提供唤醒检测电路185的实施和操作的详细描述。
34.图2图示了根据一些实施例的包括用于执行唤醒序列的电路的示例存储器器件100的示意框图。在一些实施例中，存储器器件100包括设置在存储器阵列120下方的存储器控制器105。
35.在一些实施例中，存储器阵列120可以被划分为区域，并且每个区域可以被单独或独立地配置。在一个示例中，存储器阵列120可以被划分为顶部区域和底部区域。存储器阵列120可以包括从存储器控制器105接收顶部控制信号top和时钟信号iclk的接口电路215a，并根据顶部控制信号top和时钟信号iclk操作存储器阵列120的顶部区域中的存储器单元125。存储器阵列120可以包括从存储器控制器105接收底部控制信号bot和时钟信号iclk和接口电路215b，并根据底部控制信号bot和时钟信号iclk操作存储器阵列120的底部区域中的存储器单元125。
36.在一个方面，接口电路215a、215b从存储器控制器105接收休眠控制信号slp或休眠控制信号slp的延迟信号，并根据休眠控制信号slp使存储器单元125改变状态。休眠控制信号可以是使存储器单元125进入休眠状态或操作状态的信号。例如，存储器阵列120包括传播休眠控制信号slp的缓冲器电路245a
…
245c。可以级联连接缓冲器电路245a
…
245c以传播休眠控制信号slp。每个缓冲器电路245可以延迟休眠控制信号或延迟的休眠控制信号，从而可以单独或独立地控制存储器单元的对应区域。不是同时配置大集合的存储器单元的状态，而是根据延迟的控制信号配置存储器单元的子集或区域的状态，可以帮助防止大量电流在短时间内通过存储器单元的集合以保护存储器单元。在一种配置中，接口电路215b接收休眠控制信号slp并根据休眠控制信号slp使底部区域的左侧部分205a中的存储器单元125进入休眠状态或操作状态。缓冲器电路245a可以延迟休眠控制信号slp以获得第一延迟信号208a。接口电路215b可以接收第一延迟信号208a，并根据第一延迟信号208a使底部区域右侧部分205b中的存储器单元125进入休眠状态或操作状态。缓冲器电路245b可以延迟第一延迟信号208a以获得第二延迟信号208b。接口电路215a可以接收第二延迟信号208b，并根据第二延迟信号208b使顶部区域的左侧部分205c中的存储器单元125进入休眠状态或操作状态。缓冲器电路245c可以延迟第二延迟信号208b以获得休眠追踪信号slp_
trk。接口电路215a可以接收休眠追踪信号slp_trk，并根据休眠追踪信号slp_trk使位于顶部区域的右侧部分205d中的存储器单元125进入休眠状态或操作状态。在一个方面，休眠追踪信号slp_trk是通过缓冲器电路245a
…
245c传播的休眠控制信号slp的最后延迟的信号。尽管在图2中示出了三个缓冲器电路245a
…
245c，但存储器器件100可以包括不同数量的缓冲器电路245。
37.在一些实施例中，存储器控制器105包括休眠控制电路175，唤醒检测电路185a、185b，解码器230，输出驱动器280a、280b以及延迟电路290a、290b、295a、295b、292。这些组件可以一起操作以配置存储器阵列120的状态，并生成报告存储器阵列120的状态的信号。在一些实施例中，存储器控制器105包括比图2所示更多、更少或不同的组件。
38.在一些实施例中，解码器230是例如从主设备或处理器接收时钟信号clk、使能信号ceb和地址信号adr[n:0]的组件，并相应地生成时钟信号iclk、顶部控制信号top和底部控制信号bot。在一些实施例中，解码器230可以由可以执行本文公开的解码器230的功能的不同组件替换。例如，解码器230可以响应于使能信号ceb而生成具有时钟信号clk的脉冲的时钟信号iclk，使时钟信号iclk能够被提供给顶部区域或底部区域。解码器230可以根据地址信号adr[n:0]选择顶部区域或底部区域，并据此生成顶部控制信号top或底部控制信号bot。例如，响应于指示存储器单元的顶部区域的地址信号adr[n:0]，解码器230可以生成顶部控制信号top以使得能够将时钟信号iclk提供给存储器单元的顶部区域。例如，响应于指示存储器单元的底部区域的地址信号adr[n:0]，解码器230可以生成底部控制信号bot以使得能够将时钟信号iclk提供给存储器单元的底部区域。
[0039]
在一些实施例中，休眠控制电路175接收信号dslp和信号sd，并根据信号dslp和信号sd生成休眠控制信号slp。信号dslp、sd可以是用于将存储器器件100配置在休眠状态或操作状态的信号。可以从第一器件(例如，处理器或外部主设备)提供信号dslp，其中可以从第二器件(例如，控制器件或内部器件)提供信号sd。休眠控制电路175可以实施为or(或)门。休眠控制电路175可以对信号dslp和信号sd执行or运算以生成休眠控制信号slp。例如，休眠控制电路175可响应于信号dslp或信号sd中的任一个具有高电压(例如，1v)而生成具有高电压(例如，1v)的休眠控制信号slp。例如，休眠控制电路175可以响应于信号dslp和信号sd两者具有低电压(例如，0v)而生成具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp。在一些实施例中，休眠控制电路175可以由可以执行本文所公开的休眠控制电路175的功能的不同组件代替。
[0040]
在一些实施例中，延迟电路290a、290b、292是对休眠追踪信号slp_trk进行延迟的电路。延迟电路290a、290b、292中的每个可包括偶数个反相器电路、一个或多个放大器电路、一个或多个缓冲器电路、一个或多个电阻延迟电路、可调延迟电路或任何延迟电路。延迟电路290a可以延迟休眠追踪信号slp_trk以获得延迟信号slpq_trk_left并将延迟信号slpq_trk_left提供给输出驱动器280a。延迟电路290a可以作为缓冲器电路245c和输出驱动器280a之间的缓冲器来操作，以减少缓冲器电路245c的输出处的电容负载。类似地，延迟电路290b可以延迟休眠追踪信号slp_trk以获得延迟信号slpq_trk_right，并将延迟信号slpq_trk_right提供给输出驱动器280b。延迟电路290b可以作为缓冲器电路245c和输出驱动器280b之间的缓冲器来操作，以减少缓冲器电路245c的输出处的电容负载。在一些实施例中，延迟电路292接收延迟信号slpq_trk_right和延迟信号slpq_trk_right以获得延迟
信号slpq_trkr。延迟电路292可以将延迟信号slpq_trkr提供给唤醒检测电路185a、185b。在一些实施例中，延迟电路292可以接收延迟信号slpq_trk_left(而不是延迟信号slpq_trk_right)并且将延迟信号slpq_trk_left延迟以获得延迟信号slpq_trkr。
[0041]
在一些实施例中，延迟电路295a、295b是对休眠控制信号slp进行延迟的电路。延迟电路295a可以延迟休眠控制信号slp以获得延迟信号slpq_left，并将延迟信号slpq_left提供给输出驱动器280a。延迟电路295a可以作为休眠控制电路175和输出驱动器280a之间的缓冲器来操作，以减少休眠控制电路175的输出处的电容负载。类似地，延迟电路295b可以延迟休眠控制信号slp以获得延迟信号slpq_right，并将延迟信号slpq_right提供给输出驱动器280b。延迟电路295b可以作为休眠控制电路175和输出驱动器280b之间的缓冲器来操作，以减少休眠控制电路175的输出处的电容负载。
[0042]
在一些实施例中，输出驱动器280a、280b是提供由存储器单元125的集合所储存的数据的电路。在一个方面，输出驱动器280a耦合到一个或多个感测放大器，该感测放大器放大与左侧区域中的存储器单元125所储存的数据相对应的信号。在一个方面，输出驱动器280b耦合到一个或多个感测放大器，该感测放大器放大与右侧区域中的存储器单元125所储存的数据相对应的信号。输出驱动器280a可以接收延迟信号slpq_trk_left、延迟信号slpq_left和来自与左侧区域中的存储器单元125对应的感测放大器的放大信号，并且相应地生成与由左侧区域中的存储器单元125所储存的数据对应的输出数据信号q1
…
qn。例如，响应于延迟信号slpq_trk_left指示存储器单元125处于休眠状态或延迟信号slpq_left使输出驱动器280a被配置为休眠状态，输出驱动器280a可以生成具有预定电压(例如，对应于位“0”的0v)的输出数据信号q1
…
qn。例如，响应于延迟信号slpq_trk_left指示存储器单元125处于操作状态和延迟信号slpq_left使输出驱动器280a被配置为操作状态，输出驱动器280a可以根据来自感测放大器的放大信号生成表示所储存的数据的输出数据信号q1
…
qn。对于延迟信号slpq_trk_right、延迟信号slpq_right和来自与右侧区域中的存储器单元125对应的感测放大器的放大信号，输出驱动器280b可以以类似于输出驱动器280a的方式操作，并且相应地生成与由右侧区域中的存储器单元125所储存的数据对应的输出数据信号qn+1
…
qm。下面参照图3至图4提供关于输出驱动器280a、280b的配置和操作的详细描述。
[0043]
在一些实施例中，唤醒检测电路185a、185b是生成唤醒完成信号wakeup_done_sd、wakeup_done_dslp(也称为“wakeup_done”)的电路。唤醒完成信号wakeup_done可以指示唤醒序列是否完成。在一个方面，唤醒检测电路185a、185b接收延迟信号slpq_trk_right或延迟信号slpq_trk_left，并相应地生成唤醒完成信号wakeup_done。例如，响应于延迟信号slpq_trk_right或延迟信号slpq_trk_left指示存储器单元125操作于休眠状态，唤醒检测电路185a、185b可以生成具有第一电压(例如，1v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示唤醒序列未完成。例如，响应于延迟信号slpq_trk_right或延迟信号slpq_trk_left指示存储器单元125在操作状态下操作，唤醒检测电路185a、185b可以生成具有第二电压(例如，0v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示唤醒序列已完成。下面参考图3至图8、图10和图11提供关于唤醒检测电路185a、185b的配置和操作的详细描述。
[0044]
图3图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器105的部分298a的示意图。在一个方面，存储器控制器105的部分298a包括输出驱动器280b1
…
280bm，延迟电路290b、292、295(例如，295b)和唤醒检测电路185a、185b。在一些实施例中，延迟电路290b接收休眠
追踪信号slp_trk并生成延迟信号slpq_trk_right。输出驱动器280b1...280bm可以接收延迟信号slpq_trk_right并根据延迟信号slpq_trk_right生成输出数据信号qn+1...qm。延迟电路292可以在延迟信号slpq_trk_right被提供给输出驱动器280bm之后接收延迟信号slpq_trk_right，并且对延迟信号slpq_trk_right进行延迟以获得另一个延迟信号slpq_trkr。延迟电路292可以将延迟休眠追踪信号slpq_trkr提供给延迟电路330。延迟电路292可以作为缓冲器或放大器操作以放大提供给输出缓冲器280b1
…
280bm的延迟信号slpq_trk_right。延迟电路330可以接收延迟信号slpq_trkr并对延迟信号slpq_trkr进行延迟以获得延迟信号335。延迟电路330可以用作缓冲器或放大器以放大从延迟电路292通过沿着输出缓冲器280b1
…
280bm延伸的长金属导轨提供的延迟休眠追踪信号slpq_trkr。延迟电路330可以包括偶数个反相器电路、一个或多个放大器电路、一个或多个缓冲器电路、一个或多个电阻延迟电路、可调延迟电路或任何延迟电路。延迟电路330可以将延迟信号335提供给唤醒检测电路185a、185b。
[0045]
在一些实施例中，唤醒检测电路185a包括或实施为or门。唤醒检测电路185a可以接收延迟信号335和信号dslp，并根据or运算将延迟信号335与信号dslp进行or运算，以生成唤醒完成信号wakeup_done_dslp。
[0046]
在一些实施例中，唤醒检测电路185b包括或实施为or门。唤醒检测电路185b可以接收延迟信号335和信号sd，并根据or运算将延迟信号335与信号sd进行or运算，以生成唤醒完成信号wakeup_done_sd。
[0047]
在一个方面，每个输出驱动器280包括锁存电路350、电源开关sw和输出电路380。这些组件可以一起操作以根据延迟休眠控制信号slpq_right、延迟休眠追踪信号slpq_trk_right或上述二者选择性地提供输出数据q。例如，响应于延迟信号slpq_trk_right指示存储器单元125处于休眠状态或延迟信号slpq_right使锁存电路350被配置在休眠状态，输出驱动器280可以生成具有预定电压(例如，对应于位“0”的0v)的输出数据信号q。例如，响应于延迟信号slpq_trk_right指示存储器单元125处于操作状态和延迟信号slpq_right使锁存电路350被配置在操作状态，输出驱动器280可以根据来自耦合到存储器单元125的感测放大器的放大信号生成指示所储存的数据的输出数据信号q。
[0048]
在一种配置中，电源开关sw被实施为p型晶体管。在一些实施例中，电源开关sw可以由可执行本文公开的电源开关sw的功能的不同组件代替。电源开关sw可以包括耦合到电源轨以接收供电电压vdd的源电极、耦合到延迟电路295的输出的栅电极和耦合到锁存电路350的漏电极。电源开关sw可以接收延迟休眠控制信号slpq_right，并根据延迟休眠控制信号slpq_right选择性地向锁存电路350提供对应于供电电压vdd的内部供电电压vddi。例如，电源开关sw可以响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠控制信号slpq_right而被启用，以将供电电压vdd提供给锁存电路350的内部供电电压vddi。例如，响应于具有高电压(例如，1v)的延迟休眠控制信号slpq_right，可以禁用电源开关sw，以不向锁存电路350的内部供电电压vddi提供供电电压vdd。
[0049]
锁存电路350从感测放大器接收与存储器单元所储存的数据相对应的放大信号，并且储存放大信号。在一些实施例中，锁存电路350可以由可以执行本文所公开的锁存电路350的功能的不同组件代替。在一种配置中，锁存电路350包括耦合到感测放大器的输出的输入和耦合到输出电路380的第一输入的输出。在这种配置中，当内部供电电压vddi具有足
够的电压时(例如，大于0.7～0.9v)，锁存电路350可被启用，并且接收和储存来自感测放大器的放大信号qb。当内部供电电压vddi不具有足够的电压时，锁存电路350可能被禁用或可能不是可操作的，并且可能不储存来自感测放大器的放大信号qb。
[0050]
输出电路380是根据所储存的来自感测放大器的放大信号qb和延迟休眠追踪信号slpq_trk_right生成输出数据q的组件。在一些实施例中，输出电路380被实施为nor(或非)电路。在一些实施例中，输出电路380可以由可以执行本文公开的输出电路380的功能的不同组件代替。在一种配置中，输出电路380包括耦合到锁存电路350的输出的第一输入以及耦合到延迟电路290b的输出的第二输入。在该配置中，输出电路380可以在第一输入处接收所储存的放大信号qb并且在第二输入处接收延迟休眠追踪信号slpq_trk_right，并且对所存储的放大信号qb和延迟休眠追踪信号slpq_trk_right执行or运算以生成输出数据q。
[0051]
在一些实施例中，延迟电路295接收休眠控制信号slp并根据休眠控制信号slp生成控制信号slpq_right。根据控制信号slpq_right，输出驱动器280b1
…
280bm可以被启用或禁用。在一种配置中，存储器控制器105包括耦合到延迟电路295的输出的电源开关sw0。在一种配置中，电源开关sw0被实施为p型晶体管。电源开关sw0可以是与输出驱动器280中的电源开关sw相同类型的晶体管。在一些实施例中，电源开关sw0可以由能够执行本文公开的电源开关sw0的功能的不同组件代替。电源开关sw0可以包括耦合到电源轨以接收供电电压vdd的源电极、耦合到延迟电路295的输出的栅电极以及耦合到电源检测电路(未示出)的漏电极。在此配置中，电源开关sw0的漏电极可具有内部供电电压vddi，内部供电电压vddi可提供给电源检测电路以确定提供给输出驱动器280的内部供电电压vddi。
[0052]
有利地，存储器器件100可以在从休眠状态转换到操作状态时降低功耗。在一个方面，响应于休眠控制信号slp或控制信号slpq_right，使输出电路380生成具有预定电压(例如，0v)的输出信号q可以使输出驱动器280在存储器单元125没有足够地从休眠状态转换到操作状态时消耗功率。通过使输出电路380响应于休眠追踪信号slp_trk或延迟休眠追踪信号slpq_trk_right而生成具有预定电压的输出信号q，当存储器单元125没有足够地从休眠状态转换到操作状态时减少或消除了输出驱动器280的功耗。
[0053]
有利地，当存储器单元125和输出驱动器280已从休眠状态转换到操作状态时，唤醒检测电路185可以准确地生成唤醒完成信号wakeup_done(例如，wakeup_done_sd或wakeup_done_dslp)。在一个方面，提供给输出驱动器280的一个或多个电路的内部供电电压vddi可以响应于休眠控制信号slp而改变。例如，当具有第二电压(例如，1v)的休眠控制信号slp使输出驱动器280处于休眠状态时，内部供电电压vddi可以被设置为第一电压(例如，0v)。当具有第一电压(例如，0v)的休眠控制信号slp使输出驱动器280处于操作状态时，内部供电电压vddi可以被设置为第二电压(例如，1v)。由于电容负载，内部供电电压vddi的变化可能相对于休眠控制信号slp或控制信号slpq_right的变化而延迟。通过使唤醒检测电路185基于延迟信号335生成唤醒完成信号wakeup_done，可以在内部供电电压vddi达到可以足够运行输出驱动器280的电压时准确地生成唤醒完成信号wakeup_done。因此，可以避免在存储器单元125和输出驱动器280已从休眠状态转换到操作状态之前过早地引起诸如读取存储器单元125所储存的数据的其他操作，使得存储器器件100可以以降低功耗的可靠方式操作。
[0054]
图4是示出根据一些实施例的存储器器件100的唤醒序列的时序图400。在一个方
面，存储器器件100在时间段t0期间操作于操作状态，然后在时间段t1期间进入休眠状态。然后，存储器器件100在时间段t2期间进入转换状态(或唤醒状态)，并且在时间段t3期间进入操作状态。
[0055]
在时间段t0中，休眠控制电路175生成具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp，使得存储器单元125在操作状态下操作。在时间段t0中，休眠控制信号slp通过缓冲器电路245a
…
245c传播，其中每个缓冲器电路245可以生成延迟控制信号来配置存储器单元的对应区域。在时间段t0中，缓冲器电路245c(或最后的缓冲器电路)生成具有低电压(例如0v)的休眠追踪信号slp_trk以指示存储器单元125处于操作状态。
[0056]
在时间段t0中，延迟电路290b接收休眠追踪信号slp_trk，并响应于具有低电压的休眠追踪信号slp_trk而生成具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)。延迟电路290b可以将延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)提供给输出电路380。延迟电路292可以接收延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)，并响应于具有低电压的延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)，生成指示存储器单元125和输出驱动器280处于操作状态的具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr。在时间段t0中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr，唤醒检测电路185可以生成具有低电压(例如，0v)的唤醒完成信号wakeup_done以指示存储器器件100在操作状态下操作。
[0057]
在时间段t0中，延迟电路295b(或295)接收休眠控制信号slp，并在具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp之后或延迟后生成控制信号slpq_right。在时间段t0中，响应于具有低电压(例如，0v)的控制信号slpq_right，锁存电路350可以被通电，并且可以将所储存的放大信号qb提供给输出电路380。在时间段t0中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)，输出电路380可以根据所储存的放大信号qb生成指示存储器单元125所储存的数据的输出信号q。例如，在时间段t0中，输出电路380可以响应于延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)具有低电压(例如，0v)，而生成输出信号q，输出信号q指示由存储器单元125所储存的数据为所储存的放大信号qb的反相(或相对的值)。
[0058]
在时间段tl中，休眠控制电路175生成具有高电压(例如，1v)的休眠控制信号slp，使得存储器单元125在休眠状态下操作。在时间段t0中，休眠控制信号slp通过缓冲器电路245a
…
245c传播。在时间段t1中，由于缓冲器电路245a
…
245c，所以在一定的延迟之后，缓冲器电路245c(或最后的缓冲器电路)生成具有高电压(例如1v)的休眠追踪信号slp_trk以指示存储器单元125处于休眠状态。
[0059]
在时间段tl中，延迟电路290b接收休眠追踪信号slp_trk，并响应于具有高电压的休眠追踪信号slp_trk生成具有高电压(例如1v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)。延迟电路290b可将延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)提供给输出电路380。延迟电路292可以接收延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)，并响应于具有高电压的延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)生成具有高电压(例如，1v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr，以指示存储器单元125和输出驱动器280处于休眠状态。在时间段t1中，响应于延迟休眠追踪信号slpq_trkr具有高电压(例如1v)，唤醒检测电路185可以生成具有高电压(例如1v)的唤醒完成信号wakeup_done以指示存储器器件100
操作于休眠状态或唤醒序列尚未完成。
[0060]
在时间段tl中，延迟电路295b(或295)接收休眠控制信号slp，并在具有高电压(例如，1v)的休眠控制信号slp之后或延迟后生成控制信号slpq_right。在时间段t1中，锁存电路350可以响应于具有高电压(例如，1v)的控制信号slpq_right而被断电。此外，在时间段t1中，响应于延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)具有高电压(例如，1v)，输出电路380可以输出信号q。
[0061]
在时间段t2中，休眠控制电路175生成具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp以启动唤醒序列。从高电压(例如，1v)转换到低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp可以使存储器单元125从休眠状态转换到操作状态。在时间段t2中，休眠控制信号slp通过缓冲器电路245a
…
245c传播，其中每个缓冲器电路245可以生成延迟控制信号来配置存储器单元的对应区域。由于与缓冲器电路245a
…
245c相关的延迟，所以休眠追踪信号slp_trk可以相对于休眠控制信号slp延迟。在时间段t2中，在从休眠控制信号slp转换到低电压(例如，0v)的一定延迟(与缓冲器电路245a
…
245c相关联)之后，缓冲器电路245c(或最后的缓冲器电路)生成具有低电压(例如，0v)的休眠追踪信号slp_trk。
[0062]
在时间段t2中，延迟电路290b接收休眠追踪信号slp_trk，并根据休眠追踪信号slp_trk生成延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)。在时间段t2中，由于与延迟电路290b相关的延迟，延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)可以仍具有高电压(例如，1v)。在时间段t2中，延迟电路290b可以提供延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)至输出电路380。在时间段t2中，延迟电路292可以接收延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)，并在具有高电压(例如1v)的休眠追踪信号slp_trk或延迟休眠追踪信号slpq_trk(或slpq_trk_right)之后生成延迟休眠追踪信号slpq_trkr，以指示唤醒程序尚未完成。在时间段t2中，由于与延迟电路292相关的延迟，延迟休眠追踪信号slpq_trkr可能仍然具有高电压(例如，1v)。在时间段t2中，响应于延迟休眠追踪信号slpq_trkr具有高电压(例如，1v)，唤醒检测电路185可以生成具有高电压(例如，1v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示存储器器件100仍然操作在休眠状态或唤醒序列尚未完成。
[0063]
在时间段t2中，延迟电路295b(或295)接收休眠控制信号slp，并在一定的延迟(例如，与延迟电路295相关的延迟)之后生成控制信号slpq_right，控制信号slpq_right在具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp之后或从具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp延迟。在时间段t2中，响应于具有低电压(例如，0v)的控制信号slpq_right，锁存电路350可以被通电。在时间段t2中，锁存电路350可以接收对应于存储器单元125所储存的数据的放大信号并储存放大信号qb。然而，在时间段t2中，响应于具有高电压(例如，1v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)，输出电路380可以保持输出信号q具有预定电压(例如，0v)，而不管存储器单元125所储存的数据如何。
[0064]
在时间段t3中，休眠控制信号slp具有低电压(例如，0v)。在时间段t3中，休眠追踪信号slp_trk可以具有低电压(例如，0v)。在时间段t3中，控制信号slpq_right也可以具有低电压(例如，0v)。在时间段t3中，延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)跟随或延迟于可具有低电压(例如，0v)的休眠追踪信号slp_trk。在时间段t3中，锁存电路350仍可响应于具有低电压(例如，0v)的控制信号slpq_right而被通电，并可将所储存的放大信号qb提供给输出电路380。在时段t3中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号
slpq_trk_right(或slpq_trk)，输出电路380可以根据所储存的放大信号qb生成输出信号q，输出信号q指示存储器单元125所储存的数据。在时间段t3中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)，延迟电路292可以生成具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr。例如，在时间段t3中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trk_right(或slpq_trk)，输出电路380可以生成指示存储器单元125所储存的数据的输出信号q，输出信号q为所存储的放大信号qb的反相(或相对的值)。在时间段t3中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr，唤醒检测电路185可以生成具有低电压(例如，0v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示存储器器件100在操作状态下操作或唤醒序列已完成。
[0065]
有利地，存储器器件100可以在唤醒状态或从休眠状态转换到操作状态时降低功耗。在一个方面，响应于休眠控制信号slp或控制信号slpq_right使输出电路380生成具有预定电压(例如，0v)的输出信号q，可以使输出驱动器280在存储器单元125没有足够地从休眠状态转换到操作状态时消耗功率。通过使输出电路380响应于休眠追踪信号slp_trk或延迟休眠追踪信号slpq_trk_right而生成具有预定电压的输出信号q，当存储器单元125没有足够从休眠状态转换到操作状态时，可以减少或消除输出驱动器280的功耗。
[0066]
图5图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器105的部分298b的示意图。在一个方面，存储器控制器105的部分298b类似于图3中的存储器控制器105的部分298a，除了存储器控制器105包括耦合到电源开关sw0的漏电极和唤醒检测电路185a、185b的电源检测电路520之外。因此，为简洁起见，此处省略对其重复部分的详细描述。
[0067]
在一些实施例中，电源检测电路520包括耦合到电源开关sw0的漏电极的输入，以及耦合到唤醒检测电路185a、185b的输入的输出。在此配置中，电源检测电路520可以从电源开关sw0接收内部供电电压vddi，并且根据内部供电电压vddi生成电源检测信号vddi_rdyb。例如，如果内部供电电压vddi高于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则电源检测电路520可以生成具有低电压(例如，0v)的电源检测信号vddi_rdyb，以指示输出驱动器280具有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。例如，如果内部供电电压vddi小于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则电源检测电路520可以生成具有高电压(例如，1v)的电源检测信号vddi_rdyb，以指示输出驱动器280没有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。
[0068]
唤醒检测电路185a、185b可以进一步基于电源检测信号vddi_rdyb生成唤醒完成信号wakeup_done_sd、wakeup_done_dslp。例如，唤醒检测电路185a可以实施为三输入or门，其对输入信号dslp、电源检测信号vddi_rdyb和延迟信号335进行根据or运算，以生成唤醒完成信号wakeup_done_dslp。类似地，例如，唤醒检测电路185b可以实施为三输入or门，其对输入信号sd、电源检测信号vddi_rdyb和延迟信号335进行or运算，以根据or运算生成唤醒完成信号wakeup_done_sd。
[0069]
有利地，当存储器单元125和输出驱动器280已从休眠状态转换到操作状态时，唤醒检测电路185可以准确地生成唤醒完成信号wakeup_done。在一个方面，提供给输出驱动器280的一个或多个电路的内部供电电压vddi可以响应于休眠控制信号slp而改变。例如，当休眠控制信号slp具有使输出驱动器280处于休眠状态的高电压(例如，1v)时，内部供电电压vddi可以被设置为第一电压(例如，0v)。当休眠控制信号slp具有使输出驱动器280处于操作状态的低电压(例如，0v)时，内部供电电压vddi可以被设置为第二电压(例如，1v)。
由于电容负载，内部供电电压vddi的变化可能相对于休眠控制信号slp或控制信号slpq_right的变化有所延迟。通过使唤醒检测电路185基于延迟信号335和电源检测信号vddi_rdyb生成唤醒完成信号wakeup_done，可以在内部供电电压vddi达到使输出驱动器280工作的足够高电压时准确地生成唤醒完成信号wakeup_done。因此，可避免在存储器单元125及输出驱动器280已足够地从休眠状态转换至操作状态之前，过早地引起诸如读取存储器单元125所储存的数据的其他操作，使得存储器器件100可以以降低功耗的可靠方式操作。
[0070]
图6图示了根据一些实施例的电源检测电路520的示意图。在一些实施例中，电源检测电路520包括晶体管m1
…
m6。晶体管m1
…
m3实施为p型晶体管，并且晶体管m4
…
m6实施为n型晶体管。这些组件可以一起操作以检测内部供电电压vddi并且根据内部供电电压vddi生成电源检测信号vddi_rdyb。例如，如果内部供电电压vddi高于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则电源检测电路520可以生成具有低电压(例如，0v)的电源检测信号vddi_rdyb，以指示输出驱动器280具有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。例如，如果内部供电电压vddi小于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则电源检测电路520可以生成具有高电压(例如，1v)的电源检测信号vddi_rdyb，以指示输出驱动器280没有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。在一些实施例中，电源检测电路520包括比图6所示更多、更少或不同的组件。
[0071]
在一种配置中，晶体管ml包括耦合到电源轨以接收供电电压vdd的源电极和耦合到电源检测电路520的输入的栅电极。在一种配置中，晶体管ml的漏电极耦合晶体管m2的源电极和晶体管m3的源电极。在一种配置中，晶体管m2包括耦合到电源检测电路520的输入的栅电极和耦合到电源检测电路520的输出的漏电极。在一种配置中，晶体管m3包括耦合到电源检测电路520的输出的栅电极，以及耦合到地轨以接收地电压vss的漏电极。
[0072]
在一种配置中，晶体管m4包括耦合到接地轨以接收地电压vss的源电极，以及耦合到电源检测电路520的输入的栅电极。在一种配置中，晶体管m4的漏电极耦合晶体管m5的源电极和晶体管m6的源电极。在一种配置中，晶体管m5包括耦合到电源检测电路520的输入的栅电极和耦合到电源检测电路520的输出的漏电极。在一种配置中，晶体管m6包括耦合到电源检测电路520的输出的栅电极，以及耦合到电源轨以接收供电电压vdd的漏电极。
[0073]
在此配置中，晶体管ml
…
m6可以被布置为施密特触发器，并根据内部供电电压vddi生成电源检测信号vddi_rdyb。例如，如果内部供电电压vddi高于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则可以启用晶体管m4、m5并且可以禁用晶体管m1、m2以下拉电源检测电路520。通过拉低电源检测电路520的输出处的电压，电源检测电路520的输出处的电源检测信号vddi_rdyb可以具有低电压(例如，0v)，以指示输出驱动器280具有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。例如，如果内部供电电压vddi小于阈值电压(例如，0.7～0.9v)，则晶体管m4、m5可以被禁用并且晶体管m1、m2可以被启用，以上拉电源检测电路520的输出处的电压。通过上拉电源检测电路520的输出处的电压，电源检测电路520的输出处的电源检测信号vddi_rdyb可以具有高电压(例如，1v)，以指示输出驱动器280没有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。
[0074]
图7是示出根据一些实施例的存储器器件100的唤醒序列的时序图700。在一个方面，信号slp、slpq_right、wake_done和slpq_trkr类似于图4中描述的信号。因此，为简洁起见，此处省略对其重复部分的详细描述。
[0075]
在时间段t0中，延迟电路295响应于具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp，生成具有低电压(例如，0v)的延迟信号slpq_right。响应于具有低电压的延迟信号slpq_right，可以启用电源开关sw。通过启用电源开关sw，内部供电电压vddi可以具有高电压(例如，1v)以启用输出驱动器280的锁存电路350。在时间段t0中，电源检测电路520可以检测到供电电压vddi高于阈值电压并生成具有低电压(例如，0v)的电源检测信号vddi_rdyb，以指示输出驱动器280具有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。在时间段t0中，响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr(或slpq_trk_right)和具有低电压(例如，0v)的电源检测信号vddi_rdyb，唤醒检测电路185可生成具有低电压(例如，0v)的唤醒完成信号wakeup_done以指示存储器器件100在操作状态操作。
[0076]
在时间段tl中，延迟电路295响应于具有高电压(例如，1v)的休眠控制信号slp，生成具有高电压(例如，1v)的延迟信号slpq_right。响应于具有高电压(例如，1v)的slpq_right，可以禁用电源开关sw。通过禁用电源开关sw，内部供电电压vddi可以向低电压(例如，0v)降低，以禁用输出驱动器280的锁存电路350。由于输出驱动器280的电容负载，内部供电电压vddi可能不会立即改变或下降。在时间段t1中，电源检测电路520可检测到供电电压vddi仍高于阈值电压，并生成或维持具有低电压(例如0v)的电源检测信号vddi_rdyb以指示输出驱动器280有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。在时间段t1中，响应于具有高电压(例如，1v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr(或slpq_trk_right)，唤醒检测电路185可以生成具有高电压(例如，1v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示存储器器件100在休眠状态操作。
[0077]
在时间段t2中，休眠控制信号slp具有低电压(例如，0v)以启动唤醒序列。具有低电压(例如，0v)的休眠控制信号slp可以使存储器单元125在操作状态下操作。在时间段t2中，在从休眠控制信号转换到低电压的一定延迟(例如，与延迟电路295相关的延迟)之后，延迟电路295生成具有低电压(例如，0v)的延迟信号slpq_right。在时间段t2中，当slpq_right具有低电压(例如，0v)时，电源开关sw被启用。通过启用电源开关sw，内部供电电压vddi可以向高电压(例如，1v)增加，以启用输出驱动器280的锁存电路350。然而，由于输出驱动器280的电容负载，内部供电电压vddi可能不会立即改变。因此，电源检测电路520可以保持电源检测信号vddi_rdyb具有高电压(例如，1v)，因为内部供电电压vddi可能仍然低于阈值电压。在时间段t2中，在一定延迟(例如，与延迟电路290b、292相关的延迟)之后，休眠追踪信号slp_trk之后的或从休眠追踪信号slp_trk延迟的延迟休眠追踪信号slpq_trkr(或slpq_trk_right)可以从高电压(例如1v)转换到低电压(例如0v)。在时间段t2中，响应于：i)延迟休眠追踪信号slpq_trkr(或slpq_trk_right)在转换到低电压(例如0v)之前的时间段t2的第一部分期间具有高电压(例如1v)，以及ii)在时间段t2的第二部分期间电源检测信号vddi_rdyb具有高电压(例如，1v)，唤醒检测电路185可以生成或维持具有高电压(例如，1v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示存储器器件100仍操作于休眠状态或唤醒程序尚未完成。
[0078]
在时间段t3中，电源检测电路520可检测到供电电压vddi大于阈值电压，并生成具有低电压(例如，0v)的电源检测信号vddi_rdyb以指示输出驱动器280有足够的电源或内部供电电压vddi以进行操作。在时间段t3中，唤醒检测电路185响应于具有低电压(例如，0v)的延迟休眠追踪信号slpq_trkr(或slpq_trk_right)和具有低电压(例如，0v)的电源检测
信号vddi_rdyb，可以生成具有低电压(例如，0v)的唤醒完成信号wakeup_done，以指示唤醒序列已完成并且存储器器件100正在操作状态下操作。
[0079]
有利地，当存储器单元125和输出驱动器280已从休眠状态转换到操作状态时，唤醒检测电路185可以准确地生成唤醒完成信号wakeup_done。在一个方面，提供给输出驱动器280的一个或多个电路的内部供电电压vddi可以响应于休眠控制信号slp而改变。例如，当休眠控制信号slp具有使输出驱动器280处于休眠状态的第二电压(例如，1v)时，内部供电电压vddi可以被设置为第一电压(例如，0v)，并且当休眠控制信号slp具有使输出驱动器280处于操作状态的第一电压(例如，0v)时，内部供电电压vddi可以被设置为第二电压(例如，1v)。由于电容负载，内部供电电压vddi的变化可能相对于休眠控制信号slp或控制信号slpq_right的变化而延迟。通过使唤醒检测电路185基于延迟信号335和电源检测信号vddi_rdyb生成唤醒完成信号wakeup_done，可以在内部供电电压vddi达到使输出驱动器280操作的足够高电压时准确地生成唤醒完成信号wakeup_done。因此，可以避免在存储器单元125和输出驱动器280已足够地从休眠状态转换至操作状态之前，过早地引起诸如读取存储器单元125所储存的数据的其他操作，以使存储器器件100可以以低功耗的可靠方式操作。
[0080]
图8图示了根据一些实施例的图1中的存储器控制器105的部分298c的示意图。在一个方面，存储器控制器105的部分298c类似于图3中的存储器控制器105的部分298a，除了存储器控制器105包括延迟电路830、840、890以分别代替延迟电路330、292、290b之外。因此，为简洁起见，此处省略对其重复部分的详细描述。延迟电路830、840、890中的每个都可以如图9a至图9d所示的实施例。
[0081]
图9a至图9d示出了根据一些实施例的延迟电路900a
…
900d的示意图。延迟电路900a
…
900d中的每个可以实施为本文所公开的一个或多个延迟电路。在一些实施例中，存储器器件100可以实施与图9a至图9d所示不同的延迟电路。在一些实施例中，图9a中的延迟电路900a包括与图6所示的电源检测电路520或施密特触发器类似的第一延迟电路910，并且第二延迟电路920实施为反相器电路。在一些实施例中，图9b中的延迟电路900b可以包括实施为反相器电路的第一延迟电路930和实施为反相器电路的第二延迟电路920。在一些实施例中，图9c中的延迟电路900c可以包括第一延迟电路910、第二延迟电路920和位于第一延迟电路910和第二延迟电路920之间的电阻元件925(例如，金属轨或高电阻材料)。在一个方面，可以选择或调整电阻元件925以获得目标延迟。在一些实施例中，图9d中的延迟电路900d可以包括级联连接的偶数个反相器950。在一个方面，可以选择或调整多个反相器950以获得目标延迟。
[0082]
图10图示了根据一些实施例的图2中的存储器控制器105的部分298d的示意图。在一个方面，存储器控制器105的部分298d类似于图3中的存储器控制器105的部分298b。除了存储器控制器105包括在电源检测电路520和唤醒检测电路185之间的延迟电路1010之外。因此，为简洁起见，此处省略对其重复部分的详细描述。延迟电路1010可以如图9a至图9d所示的实施例。在一些实施例中，延迟电路1010可以实施为可变延迟电路。通过延迟电源检测电路520的输出，可以避免在存储器单元125和输出驱动器280足够转换到操作状态之前过早地生成唤醒完成信号wakeup_done(例如，wakeup_done_sd、wakeup_done_dslp)。
[0083]
图11图示了根据一些实施例的由存储器器件执行唤醒序列的方法1100的流程图。
在一些实施例中，方法1100由控制器(例如，存储器控制器105或主控制器110)执行。在一些实施例中，方法1100由其他实体执行。在一些实施例中，方法1100包括比图11所示更多、更少或不同的步骤。
[0084]
在一种方法中，1110，控制器生成休眠控制信号(例如，休眠控制信号slp)，以使存储器单元(例如，存储器单元125)从休眠状态转换到操作状态，从而启动唤醒序列。例如，存储器阵列120包括传播休眠控制信号slp的缓冲器电路245a
…
245c。可以级联连接缓冲器电路245a
…
245c以传播用于不同存储器单元125的休眠控制信号slp。
[0085]
在一种方法中，1120，控制器响应于休眠追踪信号生成输出信号(例如，输出信号q)以具有预定电压(例如，0v)，表示存储器单元尚未转换到操作状态，而不管存储器单元125所储存的数据如何。在一种方法中，控制器的输出驱动器(例如，输出电路380)接收休眠追踪信号(例如，slp_trk)。休眠追踪信号可以从休眠控制信号slp延迟。例如，休眠追踪信号可以是来自缓冲器电路245a
…
245c的最后缓冲器电路的最后延迟信号。因此，休眠追踪信号可以指示存储器单元的集合中的最后一个存储器单元已从休眠状态转换到操作状态。直到指示存储器单元已转换到操作状态的休眠追踪信号，控制器的输出驱动器(例如，输出电路380)可以生成并维持输出信号在具有预定状态。
[0086]
在一种方法中，1130，控制器检测存储器单元已从休眠状态转换到操作状态。在一种方法中，在从休眠控制信号的一定延迟之后，休眠追踪信号可以指示存储器单元已完成唤醒序列并且从休眠状态转换到操作状态。
[0087]
在一种方法中，1140，在存储器单元已从休眠状态转换到操作状态之后，控制器生成输出信号以指示由存储器单元所储存的数据。例如，响应于指示存储器单元已转换到操作状态的休眠追踪信号，控制器的输出驱动器(例如，输出电路380)可以例如从感测放大器或耦合到感测放大器的锁存器(例如，350)接收指示由存储器单元所储存的数据的信号，并生成指示数据的输出信号。
[0088]
有利地，当从休眠状态转换到操作状态时，存储器器件可以降低功耗。在一个方面，使输出驱动器响应于休眠控制信号生成具有预定电压的输出信号，可以使输出驱动器在存储器单元没有足够地从休眠状态转换到操作状态时消耗功率。通过使输出驱动器响应于休眠追踪信号生成具有预定电压的输出信号，当存储器单元没有足够地从休眠状态转换到操作状态时可以减少或消除输出驱动器的功耗。
[0089]
现在参考图12，示出了根据本公开的一些实施例的计算系统1200的示例框图。计算系统1200可由集成电路设计的电路或布局设计者使用。如本文所用，“电路”是电气组件的互连，诸如电阻器、晶体管、开关、电池、电感器或配置用于实施所需功能的其他类型的半导体器件。计算系统1200包括与存储器器件1210相关联的主设备1205。主设备1205可以被配置为从一个或多个输入设备1215接收输入并向一个或多个输出设备1220提供输出。主设备1205可以是配置为分别通过适当的接口1225a、1225b和1225c与存储器器件1210、输入设备1215和输出设备1220通信。计算系统1200可以在各种计算设备中实施，诸如计算机(例如，台式机、膝上型电脑、服务器、数据中心等)、平板电脑、个人数字助理、移动设备、其他手持或便携式设备或适合于使用主设备1205执行原理图设计和/或布局设计的计算单元的任何其他设备。
[0090]
输入设备1215可以包括多种输入技术中的任何一种，诸如键盘、触控笔、触摸屏、
鼠标、轨迹球、小键盘、麦克风、语音识别、动作识别、遥控器、输入端口、一个或多个按钮、刻度盘、操纵杆和与主设备1205相关联并且允许诸如用户(例如，电路设计者或布局设计者)将外部源的信息(例如，数据)输入到主设备1205以向主设备发送指令的任何其他输入外围设备。类似地，输出设备1220可以包括多种输出技术，诸如外部存储器、打印机、扬声器、显示器、麦克风、发光二极管、耳机、视频设备以及被配置为接收来自主设备1205的信息(例如，数据)的任何其他输出外围设备。输入到主设备1205和/或从主设备1205输出的“数据”可以包括多种文本数据、电路数据、信号数据、半导体设备数据、图形数据中的任何一种数据、它们的组合、或适合使用计算系统1200处理的其他类型的模拟和/或数字数据。
[0091]
主设备1205包括一个或多个处理单元/处理器或者与一个或多个处理单元/处理器相关联，诸如中央处理单元(“cpu”)核心1230a
…
1230n。cpu核心1230a
…
1230n可以实施为专用集成电路(“asic”)、现场可编程门阵列(“fpga”)或任何其他类型的处理单元。cpu核1230a
…
1230n中的每个可以被配置为执行用于运行主设备1205的一个或多个应用程序的指令。在一些实施例中，运行一个或多个应用程序的指令和数据可以储存在存储器器件1210内。主设备1205还可以被配置为将运行一个或多个应用程序的结果储存在存储器器件1210内。因此，主设备1205可以被配置为请求存储器器件1210执行各种操作。例如，主设备1205可以请求存储器器件1210读取数据、写入数据、更新或删除数据，和/或执行管理操作或其他操作。主设备1205可以被配置为运行的一个这样的应用程序可以是标准单元应用程序1235。标准单元应用程序1235可以是主设备1205的用户可以使用的计算机辅助设计或电子设计自动化软件套件的部分创建或修改电路的标准单元。在一些实施例中，执行或运行标准单元应用程序1235的指令可以储存在存储器器件1210内。标准单元应用程序1235可以由cpu核心1230a
…
1230n中的一个或多个使用与来自存储器器件1210的标准单元应用程序相关联的指令来执行。在一个示例中，标准单元应用程序1235允许用户利用存储器器件100或存储器器件100的部分预先生成的示意图和/或布局设计来帮助集成电路设计。在集成电路的布局设计完成后，制造设备可以根据布局设计制造多个集成电路，例如包括存储器器件100或存储器器件100的任何部分。
[0092]
仍然参考图12，存储器器件1210包括存储器控制器1240，其被配置为从存储器阵列1245读取数据或向存储器阵列1245写入数据。存储器阵列1245可以包括多种易失性和/或非易失性存储器。例如，在一些实施例中，存储器阵列1245可以包括nand闪存核心。在其他实施例中，存储器阵列1245可以包括nor闪存核心、静态随机存取存储器(sram)核心、动态随机存取存储器(dram)核心、磁阻式随机存取存储器(mram)核心、相变存储器(pcm)核心、电阻式随机存取存储器(reram)核心、3dxpoint存储器核心、铁电随机存取存储器(feram)核心以及适用于存储器阵列的其他类型的存储器核心。存储器阵列1245内的存储器可由存储器控制器1240单独且独立地控制。换言之，存储器控制器1240可被配置为单独且独立地与存储器阵列1245内的每个存储器通信。通过与存储器阵列1245通信，存储器控制器1240可以被配置为响应于从主设备1205接收的指令从存储器阵列读取数据或向存储器阵列写入数据。虽然显示为存储器器件1210的部分，但在一些在实施例中，存储器控制器1240可以是主设备1205的部分或计算系统1200的另一个组件的部分并且与存储器器件1210相关联。存储器控制器1240可以被实施为软件、硬件、固件中的逻辑电路或其组合以执行本文的功能。例如，在一些实施例中，存储器控制器1240可以被配置为在接收到来自主设
备1205的请求时检索与储存在存储器器件1210的存储器阵列1245中的标准单元应用程序1235相关联的指令。
[0093]
应当理解，图12中仅示出和描述了计算系统1200的一些组件。然而，计算系统1200可以包括其他组件，诸如各种电池和电源、网络接口、路由器、交换机、外部存储器系统、控制器等。一般来说，计算系统1200可以包括各种硬件、软件和/或在执行本文描述的功能时被需要或被认为期望的固件组件中的任何一个。类似地，主设备1205、输入设备1215、输出设备1220和包括存储器控制器1240和存储器阵列1245的存储器器件1210可以包括在执行本文描述的功能时被需要或被认为期望的其他硬件、软件和/或固件组件。
[0094]
在本公开的一个方面，公开了一种存储器器件。在一些实施例中，存储器器件包括储存数据的存储器单元。在一些实施例中，存储器器件包括耦合到存储器单元的输出驱动器。在一些实施例中，输出驱动器被配置为：响应于指示存储器单元处于操作状态的休眠追踪信号，生成指示储存的数据的输出信号，并且响应于指示存储器单元处于休眠状态的休眠追踪信号，生成的具有预定电压的输出信号而与储存的数据无关。在一些实施例中，休眠追踪信号从使存储器单元在休眠状态或操作状态下操作的休眠控制信号延迟。
[0095]
在一些实施例中，输出驱动器包括nor电路，nor电路包括接收指示由存储器单元储存的数据的信号的第一输入和接收休眠追踪信号的第二输入。
[0096]
在一些实施例中，存储器器件还包括：休眠控制电路，用于生成休眠控制信号，使存储器单元在第一时间处从休眠状态转换到操作状态，其中，休眠追踪信号指示存储器单元在第一时间之后的第二时间从休眠状态转换到操作状态，并且其中，输出驱动器将输出信号维持在预定电压处，直到休眠追踪信号指示存储器单元在第二时间处已从休眠状态转换到操作状态。
[0097]
在一些实施例中，存储器器件还包括：延迟电路，用于延迟休眠追踪信号；和唤醒检测电路，耦合到延迟电路，唤醒检测电路基于延迟的休眠追踪信号生成指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态是否完成的唤醒完成信号。
[0098]
在一些实施例中，延迟电路包括一个或多个缓冲器电路。
[0099]
在一些实施例中，输出驱动器包括电源开关，电源开关用于根据休眠控制信号向输出驱动器中的一个或多个电路提供供电电压。
[0100]
在一些实施例中，存储器器件还包括：电源检测电路，用于生成指示输出驱动器的供电电压是否达到阈值电压的电源检测信号。
[0101]
在一些实施例中，唤醒检测电路进一步基于指示输出驱动器的供电电压已达到阈值电压的电源检测信号来生成唤醒完成信号。
[0102]
在一些实施例中，唤醒检测电路是or门，or门包括：接收休眠追踪信号的第一输入，和接收电源检测信号的第二输入。
[0103]
在本公开的另在一个方面，公开了一种存储器器件。在一些实施例中，存储器器件包括储存数据的存储器单元。在一些实施例中，存储器器件包括延迟电路，其被配置为接收指示存储器单元处于休眠状态还是处于操作状态的休眠追踪信号，并且延迟休眠追踪信号以得到延迟的休眠追踪信号。在一些实施例中，存储器器件包括耦合到延迟电路的唤醒检测电路。在一些实施例中，唤醒检测电路被配置为基于延迟的休眠追踪信号生成指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态是否完成的唤醒完成信号。
[0104]
在一些实施例中，存储器器件还包括：输出驱动器，耦合到存储器单元，输出驱动器基于休眠追踪信号生成指示储存的数据的输出信号。
[0105]
在一些实施例中，输出驱动器包括nor电路，nor电路包括接收指示储存的数据的信号的第一输入和接收休眠追踪信号的第二输入。
[0106]
在一些实施例中，输出驱动器包括电源开关，电源开关用于根据使存储器单元从休眠状态转换到操作状态的休眠控制信号向输出驱动器中的一个或多个电路提供供电电压。
[0107]
在一些实施例中，存储器器件还包括电源检测电路，电源检测电路用于生成指示输出驱动器的供电电压是否已达到阈值电压的电源检测信号。
[0108]
在一些实施例中，唤醒检测电路进一步基于指示输出驱动器的供电电压已达到阈值电压的电源检测信号来生成唤醒完成信号。
[0109]
在一些实施例中，唤醒检测电路是or门，or门包括：接收休眠追踪信号的第一输入，和接收电源检测信号的第二输入。
[0110]
在一些实施例中，延迟电路包括一个或多个缓冲器电路。
[0111]
在本公开的又在一个方面，公开了一种操作存储器器件的方法。在一些实施例中，该方法包括通过控制器生成休眠控制信号以使存储器单元在第一时间处从休眠状态转换到操作状态。在一些实施例中，该方法包括通过控制器检测在第一时间之后的第二时间处存储器单元已从休眠状态转换到操作状态。在一些实施例中，该方法包括通过控制器使输出驱动器耦合到存储器单元以保持输出信号具有预定电压而与存储器单元储存的数据无关，直到第二时间。在一些实施例中，该方法包括通过控制器使输出驱动器在第二时间之后生成指示由存储器单元储存的数据的输出信号。
[0112]
在一些实施例中，方法还包括：通过控制器生成指示存储器单元处于休眠状态还是处于操作状态的休眠追踪信号；通过控制器延迟休眠追踪信号；和基于延迟的休眠追踪信号，通过控制器生成指示存储器单元从休眠状态转换到操作状态是否完成的唤醒完成信号。
[0113]
在一些实施例中，方法还包括：通过控制器生成指示输出驱动器的供电电压是否达到阈值电压的电源检测信号；和其中，控制器进一步基于电源检测信号生成唤醒完成信号。
[0114]
术语“耦合”及其变体包括将两个构件直接或间接地彼此接合。术语“电耦合”及其变体包括通过导电材料(例如，金属或铜迹线)将两个构件直接或间接地彼此连接。这种连接可以是静止的(例如，永久的或固定的)或者是可移动的(例如，可移除的或可释放的)。这种连接可以通过两个构件直接相互耦合或相互耦合来实现，两个构件使用一个单独的中间构件相互耦合、任何额外的中间构件相互耦合、或者使用与两个构件中的一个构件一体地形成为单个整体的介入构件使两个构件相互耦合。如果“耦合”或其变体被附加术语修饰(例如，直接耦合)，则上面提供的“耦合”的通用定义由附加术语的简单语言含义进行修改而具有比上面提供的“耦合”的一般定义更窄的定义(例如，“直接耦合”表示连接没有任何单独的中间构件的两个构件)。这种耦合可以是机械的、电气的或流体的。
[0115]
上述概述了几个实施例的特征，以便本领域技术人员可以更好地理解本公开的各个方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改用于实现
本文所介绍的实施例的相同目的和/或实现其相同优点的其它过程和结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，此类等效结构不背离本发明的精神和范围，并且它们可以在不背离本发明的精神和范围的情况下在本发明中进行各种改变、替换以及改变。

技术特征：

1.一种存储器器件，包括：储存数据的存储器单元；以及耦合到所述存储器单元的输出驱动器，所述输出驱动器用于：响应于指示所述存储器单元处于操作状态的休眠追踪信号，生成指示所储存的所述数据的输出信号，并且响应于指示所述存储器单元处于休眠状态的所述休眠追踪信号，生成的具有预定电压的输出信号而与所储存的所述数据无关，其中，所述休眠追踪信号从使所述存储器单元在所述休眠状态或所述操作状态下操作的休眠控制信号延迟。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述输出驱动器包括：或非电路，包括接收指示由所述存储器单元所储存的所述数据的信号的第一输入和接收所述休眠追踪信号的第二输入。3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：休眠控制电路，用于生成休眠控制信号，使所述存储器单元在第一时间处从所述休眠状态转换到所述操作状态，其中，所述休眠追踪信号指示所述存储器单元在所述第一时间之后的第二时间从所述休眠状态转换到所述操作状态，并且其中，所述输出驱动器将所述输出信号维持在所述预定电压处，直到所述休眠追踪信号指示所述存储器单元在所述第二时间处已从所述休眠状态转换到所述操作状态。4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：延迟电路，用于延迟所述休眠追踪信号；和唤醒检测电路，耦合到所述延迟电路，所述唤醒检测电路基于延迟的所述休眠追踪信号生成指示所述存储器单元从所述休眠状态转换到所述操作状态是否完成的唤醒完成信号。5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述延迟电路包括一个或多个缓冲器电路。6.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述输出驱动器包括：电源开关，用于根据所述休眠控制信号向所述输出驱动器中的一个或多个电路提供供电电压。7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括：电源检测电路，用于生成指示所述输出驱动器的所述供电电压是否达到阈值电压的电源检测信号。8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述唤醒检测电路进一步基于指示所述输出驱动器的所述供电电压已达到所述阈值电压的所述电源检测信号来生成所述唤醒完成信号。9.一种存储器器件，包括：储存数据的存储器单元；延迟电路，所述延迟电路用于：接收指示所述存储器单元处于休眠状态还是处于操作状态的休眠追踪信号，和
延迟所述休眠追踪信号以得到延迟的休眠追踪信号；以及唤醒检测电路，耦合到所述延迟电路，所述唤醒检测电路基于延迟的所述休眠追踪信号生成指示所述存储器单元从所述休眠状态转换到所述操作状态是否完成的唤醒完成信号。10.一种操作存储器器件的方法，包括：通过控制器生成休眠控制信号以使存储器单元在第一时间处从休眠状态转换到操作状态；通过所述控制器检测在所述第一时间之后的第二时间处所述存储器单元已从所述休眠状态转换到所述操作状态；通过所述控制器使输出驱动器耦合到所述存储器单元以保持输出信号具有预定电压直到所述第二时间，而与所述存储器单元所储存的数据无关；以及通过所述控制器使所述输出驱动器在所述第二时间之后生成指示由所述存储器单元所储存的所述数据的所述输出信号。

技术总结

本发明的实施例公开了一种存储器器件以及操作存储器器件的方法。本文所公开的实施例涉及在从休眠状态转换到操作状态时降低存储器器件的功耗。在一个方面，存储器器件包括用于储存数据的存储器单元。在一个方面，存储器器件包括输出驱动器，其被配置为：响应于指示存储器单元处于操作状态的休眠追踪信号生成指示储存的数据的输出信号，并且响应于指示存储器单元处于休眠状态的休眠追踪信号生成具有预定电压的输出信号而与储存的数据无关。在一个方面，休眠追踪信号从休眠控制信号延迟，使存储器单元在休眠状态或操作状态下操作。使存储器单元在休眠状态或操作状态下操作。使存储器单元在休眠状态或操作状态下操作。