H05B33/08
1.一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号处理系统,其特征在于, 主要由处理芯片U,三极管VT1,串接处理芯片U的FDBK管脚与三极管VT1 的集电极之间的信号偏置校正电路,N极与处理芯片U的FDBK管脚相连接、P 极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D2,P极经电阻R7 后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极 管D3,分别与处理芯片U的VINP管脚和GNEG管脚相连接的低通滤波电路, 分别与三极管VT1哦发射极和处理芯片U相连接的信号发射调理电路,以及串 接在信号发射调理电路与处理芯片U的VOUT管脚之间的信号缓冲电路组成; 所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号 处理系统,其特征在于,所述信号偏置校正电路由三极管VT2,三极管VT3, 正极经可调电阻R24后与三极管VT3的基极相连接、负极作为信号偏置校正电 路的输入端并与处理芯片U的FDBK管脚相连接的极性电容C15,正极经电阻 R21后与极性电容C15的负极相连接、负极接地的极性电容C14,N极可调电 阻R26后与三极管VT3的集电极相连接、P极经电阻R23后与极性电容C14的 负极相连接的二极管D9,负极与三极管VT2的基极相连接、正极与极性电容 C15的负极相连接的极性电容C16,N极与三极管VT2的集电极相连接、P极 经电阻R22后与极性电容C16的正极相连接的二极管D7,P极经电阻R27后 与三极管VT3的发射极相连接、N极作为信号偏置校正电路的输出端并与三极 管VT1的集电极相连接的二极管D8,以及正极经电阻R25后与三极管VT2的 集电极相连接、负极经电阻R28后与二极管D8的N极相连接的极性电容C17 组成;所述三极管VT2的发射极与可调电阻R24的可调端相连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号 处理系统,其特征在于,所述信号缓冲电路由放大器P3,正极与放大器P3的正 极相连接、负极作为信号缓冲电路的输入端并与处理芯片U的VOUT管脚相连 接的极性电容C10,N极经电阻R15后与放大器P3的负极相连接、P极经电阻 R13后与极性电容C10的负极相连接的二极管D5,负极经电阻R16后与放大器 P3的负极相连接、正极经电阻R14后与二极管D5的P极相连接的极性电容C11, 正极经电阻R20后与放大器P3的输出端相连接、负极接地的极性电容C12,负 极经电阻R19后与放大器P3的输出端相连接、正极经电阻R17后与放大器P3 的正极相连接的极性电容C13,以及P极与放大器P3的正极相连接、N极经电 阻R18后与极性电容C13的负极相连接的二极管D6组成;所述极性电容C11 的负极接地;所述放大器P3的输出端作为信号缓冲电路的输出端并与信号发射 调理电路相连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号 处理系统,其特征在于,所述低通滤波电路由放大器P1,正极与放大器P1的正 极相连接、负极作为低通滤波电路的输入端的极性电容C1,一端与极性电容C1 的负极相连接、另一端接地的电阻R1,正极经电阻R2后与放大器P1的负极相 连接、负极接地的极性电容C2,正极经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、 负极与放大器P1的输出端相连接的极性电容C3,P极与放大器P1的正极相连 接、N极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的二极管D1,以及负极与放 大器P1的输出端相连接、正极经电阻R5后与处理芯片U的GNEG管脚相连接 的极性电容C4组成;所述放大器P1的输出端与处理芯片U的VINP管脚相连 接。
5.根据权利要求4所述的一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号 处理系统,其特征在于,所述信号发射调理电路由场效应管MOS,放大器P2, N极与场效应管MOS的漏极相连接、P极经电阻R8后与处理芯片U的VPOS 管脚相连接的二极管D4,负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接、正 极经电阻R9后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C5,一端与场效应管 MOS的源极相连接、另一端与放大器P2的输出端相连接的可调电阻R10,负极 与场效应管MOS的源极相连接、正极与放大器P2的正极相连接的极性电容C6, 正极与三极管VT1的发射极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的负极相 连接的极性电容C7,正极与放大器P2的输出端相连接、负极作为信号发射调 理电路的输出端的极性电容C8,以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极 与极性电容C8的负极相连接的极性电容C9组成;所述极性电容C7的负极接 地;所述场效应管MOS的栅极与放大器P3的输出端相连接。
6.根据权利要求5所述的一种基于信号发射调理电路的光控LED用信号 处理系统,其特征在于,所述处理芯片U为AD603集成芯片。
本发明涉及电子领域,具体的说,是一种基于信号发射调理电路的光控LED 用信号处理系统。
目前,由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点,其已经 成为了人们生活照明的主流产品之一。在生活中人们多采用声控或光控控制系 统来实现对LED灯的开启与关闭。光控LED控制系统因其能根据LED灯使用 环境的亮度来控制LED灯的开启与关闭,且能有效的满足人们对LED灯在节能 方面的要求,而备受人们的青睐。然而,现有的光控LED控制系统的信号处理 系统易受外界的电磁波干扰而对亮度信号处理不准确,导致光控控制系不能根 据环境的光照强度准确的控制LED灯的开启与关闭,从而无法很好的满足人们 在节能方面的要求。
因此,提供一种能对亮度信号准确处理的信号处理系统便是当务之急。
本发明的目的在于克服现有技术中的光控LED控制系统的信号处理系统易 受外界的电磁波干扰而对亮度信号处理不准确的缺陷,提供的一种基于信号发 射调理电路的光控LED用信号处理系统。
本发明通过以下技术方案来实现:一种基于信号发射调理电路的光控LED 用信号处理系统,主要由处理芯片U,三极管VT1,串接处理芯片U的FDBK 管脚与三极管VT1的集电极之间的信号偏置校正电路,N极与处理芯片U的 FDBK管脚相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极 管D2,P极经电阻R7后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极管VT1 的基极相连接的二极管D3,分别与处理芯片U的VINP管脚和GNEG管脚相连 接的低通滤波电路,分别与三极管VT1哦发射极和处理芯片U相连接的信号发 射调理电路,以及串接在信号发射调理电路与处理芯片U的VOUT管脚之间的 信号缓冲电路组成;所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK管脚相连 接。
所述信号偏置校正电路由三极管VT2,三极管VT3,正极经可调电阻R24 后与三极管VT3的基极相连接、负极作为信号偏置校正电路的输入端并与处理 芯片U的FDBK管脚相连接的极性电容C15,正极经电阻R21后与极性电容C15 的负极相连接、负极接地的极性电容C14,N极可调电阻R26后与三极管VT3 的集电极相连接、P极经电阻R23后与极性电容C14的负极相连接的二极管D9, 负极与三极管VT2的基极相连接、正极与极性电容C15的负极相连接的极性电 容C16,N极与三极管VT2的集电极相连接、P极经电阻R22后与极性电容C16 的正极相连接的二极管D7,P极经电阻R27后与三极管VT3的发射极相连接、 N极作为信号偏置校正电路的输出端并与三极管VT1的集电极相连接的二极管 D8,以及正极经电阻R25后与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R28 后与二极管D8的N极相连接的极性电容C17组成;所述三极管VT2的发射极 与可调电阻R24的可调端相连接。
所述信号缓冲电路由放大器P3,正极与放大器P3的正极相连接、负极作为 信号缓冲电路的输入端并与处理芯片U的VOUT管脚相连接的极性电容C10, N极经电阻R15后与放大器P3的负极相连接、P极经电阻R13后与极性电容 C10的负极相连接的二极管D5,负极经电阻R16后与放大器P3的负极相连接、 正极经电阻R14后与二极管D5的P极相连接的极性电容C11,正极经电阻R20 后与放大器P3的输出端相连接、负极接地的极性电容C12,负极经电阻R19后 与放大器P3的输出端相连接、正极经电阻R17后与放大器P3的正极相连接的 极性电容C13,以及P极与放大器P3的正极相连接、N极经电阻R18后与极性 电容C13的负极相连接的二极管D6组成;所述极性电容C11的负极接地;所 述放大器P3的输出端作为信号缓冲电路的输出端并与信号发射调理电路相连 接。
所述低通滤波电路由放大器P1,正极与放大器P1的正极相连接、负极作为 低通滤波电路的输入端的极性电容C1,一端与极性电容C1的负极相连接、另 一端接地的电阻R1,正极经电阻R2后与放大器P1的负极相连接、负极接地的 极性电容C2,正极经电阻R3后与放大器P 1的正极相连接、负极与放大器P1 的输出端相连接的极性电容C3,P极与放大器P1的正极相连接、N极经电阻 R4后与极性电容C3的负极相连接的二极管D1,以及负极与放大器P1的输出 端相连接、正极经电阻R5后与处理芯片U的GNEG管脚相连接的极性电容C4 组成;所述放大器P1的输出端与处理芯片U的VINP管脚相连接。
所述信号发射调理电路由场效应管MOS,放大器P2,N极与场效应管MOS 的漏极相连接、P极经电阻R8后与处理芯片U的VPOS管脚相连接的二极管 D4,负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接、正极经电阻R9后与场效 应管MOS的漏极相连接的极性电容C5,一端与场效应管MOS的源极相连接、 另一端与放大器P2的输出端相连接的可调电阻R10,负极与场效应管MOS的 源极相连接、正极与放大器P2的正极相连接的极性电容C6,正极与三极管VT1 的发射极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接的极性电容C7, 正极与放大器P2的输出端相连接、负极作为信号发射调理电路的输出端的极性 电容C8,以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极与极性电容C8的负极相 连接的极性电容C9组成;所述极性电容C7的负极接地;所述场效应管MOS 的栅极与放大器P3的输出端相连接。
为了本发明的实际使用效果,所述处理芯片U则优先采用AD603集成芯片 来实现。
本发明与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
(1)本发明能将输入信号因外界干扰电波而产生的谐波消除或抑制;并且 本发明还能对输出信号的带宽进行调整,使输出信号与输入的采集信号一致, 从而确保了本发明对信号处理的准确性,有效的确保了光控LED控制系统对 LED灯的开启与关闭控制的准确性。
(2)本发明能信号处理中因温度等原因引起的信号偏置漂移进行校正,使 信号的静点保持平稳,从而提高了本发明对信号处理的准确性。
(3)本发明能提高信号大范围输出的信号摆幅的转换速率,有效的提高了 光控LED控制系统对LED灯的开启与关闭控制的速率和准确性,从而很好的满 足人们在节能方面的要求。
(4)本发明的处理芯片采用了AD603集成芯片来实现,该芯片性能稳定与 外部电路相结合有效的提高了本发明对信号处理的准确性。
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的信号缓冲电路的电路结构示意图。
图3为信号偏置校正电路的电路结构示意图。
下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施 方式不限于此。
实施例
如图1所示,本发明主要由处理芯片U,三极管VT1,串接处理芯片U的 FDBK管脚与三极管VT1的集电极之间的信号偏置校正电路,N极与处理芯片 U的FDBK管脚相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的 二极管D2,P极经电阻R7后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极 管VT1的基极相连接的二极管D3,分别与处理芯片U的VINP管脚和GNEG 管脚相连接的低通滤波电路,分别与三极管VT1哦发射极和处理芯片U相连接 的信号发射调理电路,以及串接在信号发射调理电路与处理芯片U的VOUT管 脚之间的信号缓冲电路组成;所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK 管脚相连接。
其中,所述低通滤波电路由放大器P1,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻 R4,电阻R5,极性电容C1,极性电容C2,极性电容C3,极性电容C4,以及 二极管D1组成。
连接时,极性电容C1的正极与放大器P1的正极相连接、其负极作为低通 滤波电路的输入端并与亮度传感器相连接。电阻R1的一端与极性电容C1的负 极相连接、其另一端接地。极性电容C2的正极经电阻R2后与放大器P1的负极 相连接、其负极接地。极性电容C3的正极经电阻R3后与放大器P 1的正极相 连接、其负极与放大器P1的输出端相连接。
同时,二极管D1的P极与放大器P1的正极相连接、其N极经电阻R4后 与极性电容C3的负极相连接。极性电容C4的负极与放大器P1的输出端相连接、 其正极经电阻R5后与处理芯片U的GNEG管脚相连接。所述放大器P1的输出 端与处理芯片U的VINP管脚相连接。
进一步地,所述信号发射调理电路由场效应管MOS,放大器P2,电阻R8, 电阻R9,可调电阻R10,电阻R11,电阻R12,极性电容C5,极性电容C6, 极性电容C7,极性电容C8,极性电容C9,二极管D4组成。
连接时,二极管D4的N极与场效应管MOS的漏极相连接、其P极经电 阻R8后与处理芯片U的VPOS管脚相连接。极性电容C5的负极经电阻R11后 与放大器P2的输出端相连接、其正极经电阻R9后与场效应管MOS的漏极相连 接。可调电阻R10的一端与场效应管MOS的源极相连接、其另一端与放大器 P2的输出端相连接。
同时,极性电容C6的负极与场效应管MOS的源极相连接、其正极与放大 器P2的正极相连接。极性电容C7的正极与三极管VT1的发射极相连接、其负 极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接。极性电容C8的正极与放大器P2 的输出端相连接、其负极作为信号发射调理电路的输出端并与光控LED控制器 相连接。极性电容C9的正极与放大器P2的输出端相连接、其负极与极性电容 C8的负极相连接。所述极性电容C7的负极接地;所述场效应管MOS的栅极与 放大器P3的输出端相连接。
如图2所示,所述信号缓冲电路由放大器P3,电阻R13,电阻R14,电阻 R15,电阻R16,电阻R17,电阻R18,电阻R19,电阻R20,极性电容C10, 极性电容C11,极性电容C12,极性电容C13,二极管D5,以及二极管D6组成。
连接时,极性电容C10的正极与放大器P3的正极相连接、其负极作为信号 缓冲电路的输入端并与处理芯片U的VOUT管脚相连接。二极管D5的N极经 电阻R15后与放大器P3的负极相连接、其P极经电阻R13后与极性电容C10 的负极相连接。极性电容C11的负极经电阻R16后与放大器P3的负极相连接、 其正极经电阻R14后与二极管D5的P极相连接。
同时,极性电容C12的正极经电阻R20后与放大器P3的输出端相连接、其 负极接地。极性电容C13的负极经电阻R19后与放大器P3的输出端相连接、其 正极经电阻R17后与放大器P3的正极相连接。二极管D6的P极与放大器P3 的正极相连接、其N极经电阻R18后与极性电容C13的负极相连接。所述极性 电容C11的负极接地;所述放大器P3的输出端作为信号缓冲电路的输出端并与 信号发射调理电路相连接。
如图3所示,所述信号偏置校正电路由三极管VT2,三极管VT3,电阻R21, 电阻R22,电阻R23,可调电阻R24,电阻R25,可调电阻R26,电阻R27,电 阻R28,极性电容C14,极性电容C15,极性电容C16,极性电容C17,二极管 D7,二极管D8,以及二极管D9组成。
连接时,极性电容C15的正极经可调电阻R24后与三极管VT3的基极相连 接、其负极作为信号偏置校正电路的输入端并与处理芯片U的FDBK管脚相连 接。极性电容C14的正极经电阻R21后与极性电容C15的负极相连接、其负极 接地。二极管D9的N极可调电阻R26后与三极管VT3的集电极相连接、其P 极经电阻R23后与极性电容C14的负极相连接。极性电容C16的负极与三极管 VT2的基极相连接、其正极与极性电容C15的负极相连接。
同时,二极管D7的N极与三极管VT2的集电极相连接、其P极经电阻R22 后与极性电容C16的正极相连接。二极管D8的P极经电阻R27后与三极管VT3 的发射极相连接、其N极作为信号偏置校正电路的输出端并与三极管VT1的集 电极相连接。极性电容C17的正极经电阻R25后与三极管VT2的集电极相连接、 其负极经电阻R28后与二极管D8的N极相连接。所述三极管VT2的发射极与 可调电阻R24的可调端相连接。
实施时,本发明能将输入信号因外界干扰电波而产生的谐波消除或抑制; 并且本发明还能对输出信号的带宽进行调整,使输出信号与输入的采集信号一 致,从而确保了本发明对信号处理的准确性。本发明将分析处理后的信号转换 为准确的数据信号后并传输给光控LED控制系统的控制器,控制器则根据接收 的数据信号来控制LED灯的开启与关闭。
同时,本发明采用了AD603集成芯片来作为处理芯片,该芯片性能稳定与 外部电路相结合有效的提高了本发明对信号处理的准确性。本发明能提高信号 大范围输出的信号摆幅的转换速率,有效的提高了光控LED控制系统对LED灯 的开启与关闭控制的速率和准确性,从而很好的满足人们在节能方面的要求。 为了本发明的实际使用效果,所述处理芯片U则优先采用AD603集成芯片来实 现。
按照上述实施例,即可很好的实现本发明。
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