H03F1/26 H03F1/02 H03F3/20 H03F3/189
1.一种射频功率放大器电路,其特征在于:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容 和电感 组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成;内部匹配网络由可调电容 和电感 组成;功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成;内部匹配网络由电容 及电感 组成,其中 为可调电容;输入端口1 和输出端口2 均接50 欧姆阻抗。
2.根据权利要求1 所述的一种射频功率放大器电路,其特征在于驱动电路由四个CMOS管晶体管组成;功率放大部分由四个CMOS管晶体管组成;匹配网络均由无源元件可调电容、电感实现实现,其中输入匹配网络采用 形结构实现;中间匹配网络采用T型网络结构实现;输出匹配网络采用 型网络结构实现。
3.根据权利要求1 或2 所述的一种基于CMOS晶体管的射频功率放大器电路,其特征在于:其电路结构可在10MHz-10GHz 频段内实现不同带宽的功率放大。
本发明属于射频功率放大器电路,特别是电子与通信领域。
近些年来,国内外开展了一系列关于射频功率放大器电路的研究。在特定的频段内,取得了不少成果,尤其是运用在WCDMA 技术中,使用在功率放大器前端和天线馈电部分,但是,其设计结构仅仅只能在特定的频段内使用,并且带宽较小、信号衰减较大,使得系统体积较大,通用性不强。同时传统的射频功率放大电路由于其电路结构的问题,使得对温度敏感性极强,适用性受到很大限制。本发明针对以上问题,可以有效解决,以满足系统要求,并且具有可调性、稳定性高、体积小、加工简单,适用范围广泛。
本发明目的在于提供一种利用CMOS晶体管和集总式混合形式元器件搭建、具有功率放大效果、结构简单、多频段、体积小、稳定性高、温度敏感性相对较小的可调射频功率放大电路。
实现本发明目的的技术方案是:一种射频功率放大器电路:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容 和电感组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成;内部匹配网络由可调电容和电感组成;功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成;内部匹配网络由电容及电感组成,其中为可调电容;输入端口1 和输出端口2 均接50 欧姆阻抗。
与现有技术相比,由于本发明采用CMOS晶体管串并联结构和集总结构元器件混合构成,所带来的显著优点是:(1)信号衰减更小;(2)带宽可调;(3)结构简单,体积较小;(4)带外噪声抑制良好;(6)稳定性好;(7)温度不敏感性强;(8)适用性广泛,可适用于各种对性能要求较高的系统中。
图1 是本发明一种射频功率放大器电路结构示意图。
图2 是本发明一种射频功率放大器电路图。
图3 是本发明一种射频功率放大器输出匹配网络电路图。
图4 是本发明一种射频功率放大器输出匹配网络响应曲线。
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
结合图1及图2,本发明是一种射频功率放大器电路,选取一定波段的一个实例进行详细描述,包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容和电感组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成;内部匹配网络由可调电容和电感组成;功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成;内部匹配网络由电容及电感组成,其中为可调电容;输入端口1 和输出端口2 均接50 欧姆阻抗。
结合图3,通过仿真结果图4可以看出,此输出匹配网络具有较宽的带宽,且带宽可调。并且以满足系统的线性度要求。
本发明一种射频功率放大器电路,结合图1,其工作原理简述如下:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口组成。当信号进入输入端主电路后,可以通过调节匹配网络中的电容的大小,将信号放大到输出端口,从而实现了功率放大的效果。
本发明射频功率放大电路中的主电路由CMOS晶体管结构和集总元件组成,结构简单,性能良好,满足系统线性度要求,能够满足系统的各项要求。
本文发布于:2024-09-25 19:14:51,感谢您对本站的认可!
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