发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置

本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置。

在半导体引线框架制造技术领域中，用蚀刻技术将金属素材制造加工成多种多样的高科技领域所需的精密半导体电子产品成为目前十分重要的课题。例如，半导体集成电路的重要技术核心，芯片制造技术是高尖端科学技术发展的重要基础及核心组成部分；半导体引线框架作为集成电路的芯片载体，是电子信息产业中重要的基础原材料；因而半导体引线框架制造技术是制造高精密半导体集成电路的重要基础材料。

在现代电子信息产业领域当中，半导体引线框架蚀刻设备是非常重要的基础制造核心技术。目前，半导体引线框架蚀刻制造设备是影响现代集成电路半导体引线框架制造水平的至关重要的核心基础。只有不断提高蚀刻制造设备的工艺水平和制造加工精度，才能不断提高现代电子信息产业中半导体集成电路引线框架的制造技术的持续发展。

然而在使用半导体引线框架蚀刻制造设备的实际工业生产当中，蚀刻后的金属感光膜材料在脱膜工段，存在产品附着异物，致使产品质量不稳定的异常现象。

本发明的目的是提供发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，以解决蚀刻后的金属感光膜材料在脱膜工段，存在产品附着异物，致使产品质量不稳定的技术问题，达到能够通过脱膜装置的喷射浸润、喷射浸渍和喷射冲击，使蚀刻产品附着异物的现象大幅度下降的目的。

为了解决上述技术问题，本发明提供了发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，包括：

依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构；

所述浸水洗上槽连通有上水过滤系统，所述上水过滤系统采用水泵输送，所述浸水洗上槽连通有母槽自循环系统；

所述喷水洗上槽包括槽体、设于槽体底部的内子槽和设于槽体上部的上喷管；

所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽对接的对接框架、设于对接框架内的转动滚筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机，所述对接框架远离所述喷水洗上槽一侧设置有出料口，所述对接框架内设置有脱膜喷水管。

进一步的，所述浸水洗上槽包括依次连通的第一浸水洗槽和第二浸水洗槽。

进一步的，所述上水过滤系统包括若干个连通所述浸水洗上槽的上水过滤筒和用于将所述浸水洗上槽内的水通入上水过滤筒的上水水泵。

进一步的，所述母槽自循环系统包括过滤母槽和设于过滤母槽上的过滤水泵。

进一步的，所述出料口下方设置有膜回收槽。

进一步的，所述对接框架内设置有承托机构；

所述承托机构包括设于所述对接框架底部的承接竖板和转动连接于承接竖板上的承托滚轮，所述承托滚轮与所述转动滚筒转动连接。

本发明的有益效果是：

1、通过依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构，能够使蚀刻设备

经过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击，从而除去曝光区域的感光干膜，得到具有产品结构图案的蚀刻铜合金材料。

2、通过转动滚筒能够将膜和液体分离，从而提升自动化。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置的结构示意图；

图2是图1中A处的放大图；

图3是本发明的脱模机构的内部结构示意图；

图4是本发明的喷射工序的示意图。

图中：

1、浸水洗上槽；11、第一浸水洗槽；12、第二浸水洗槽；

2、喷水洗上槽；21、槽体；22、内子槽；23、上喷管；

3、脱膜机构；31、对接框架；32、转动滚筒；33、转动电机；34、出料口；35、脱膜喷水管；

4、上水过滤系统；41、上水过滤筒；42、上水水泵；

5、母槽自循环系统；51、过滤母槽；52、过滤水泵；

6、膜回收槽；

7、承托机构；71、承接竖板；72、承托滚轮。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例：

如图1至图3所示，发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，包括：依次连通的浸水洗上槽1、喷水洗上槽2和脱膜机构3，从而能够使蚀刻产品通过依次连通的浸水洗上槽1、喷水洗上槽2和脱膜机构3，能够使蚀刻设备经过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击，从而除去曝光区域的感光干膜。在本实施例中，喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击的压力和速度都能分别设定和控制，喷射压力范围0.3-1.3Pa，喷射速度范围5.3-10.3升/分；其特征还在于，由于显影过的干膜与未显影过的干膜与脱膜溶液的反应有较大差异，除膜溶液需要选择碱性较强的溶液组成。其中，喷水洗上槽2包括槽体21、设于槽体21底部的内子槽22和设于槽体21上部的上喷管23，通过上喷管23能够对内子槽22内的蚀刻产品进行喷淋，从而提升蚀刻产品的脱模效果。

在本实施例中，浸水洗上槽1包括依次连通的第一浸水洗槽11和第二浸水洗槽12，从而能够提升浸水洗上槽1的脱模效果。

如图4所示，蚀刻产品在本实施例中可以采用但不限于铜合金材料150，铜合金材料150以2m/min的速度以水平运行继续「三道脱膜→四道水洗→酸活化→四道水洗→」除膜装置处理系统，通过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击，以及脱膜溶液压力控制、流速的控制、脱膜溶液各组分浓度的自动分析和自动补加、脱下的膜与脱膜溶液在自动分离控制装置的同步运行条件下，共需要约150-210秒的脱膜溶解处理，得到除去曝光区域感光干膜的半导体引线框架蚀刻产品160。

脱膜工艺的推荐喷射压力范围0.3-1.5Pa，较好适宜范围0.5-1.3Pa；最适宜范围0.7-1.2Pa；脱膜溶液喷射速度范围5.3-10.5升/分，较好适宜范围5.5-10.3升/分，最适宜范围5.7-10.1升/分。

如图1所示，浸水洗上槽1连通有上水过滤系统4，上水过滤系统4采用水泵输送。其中，上水过滤系统4包括若干个连通浸水洗上槽1的上水过滤筒41和用于将浸水洗上槽1内的水通入上水过滤筒41的上水水泵42，上水水泵42将浸水洗上槽1内的水流泵入若干个上水过滤筒41，若干个上水过滤筒41分别进行过滤，从而提升过滤效果，也能够使本脱模装置循环使用，提升使用耐久。

在本实施例中，浸水洗上槽1连通有母槽自循环系统5，母槽自循环系统5包括过滤母槽51和设于过滤母槽51上的过滤水泵52，通过过滤水泵52将浸水洗上槽1内的液体泵入过滤母槽51，浸水洗上槽1内的液体能够在过滤母槽51内存放，从而起到扩大浸水洗上槽1的体积的作用，从而提升可以循环的液体的总量，在液体总量提升的情况下，能够提升浸水洗上槽1使用的总时长，从而提升脱模装置的自动化程度。

如图1和图3所示，其中，脱模机构包括与喷水洗上槽2对接的对接框架31、设于对接框架31内的转动滚筒32和用于驱动转动滚筒32转动的转动电机33，对接框架31远离喷水洗上槽2一侧设置有出料口34，出料口34下方设置有膜回收槽6，对接框架31内设置有脱膜喷水管35。同时，在对接框架31内设置有承托机构7；其中，承托机构7包括设于对接框架31底部的承接竖板71和转动连接于承接竖板71上的承托滚轮72，承托滚轮72与转动滚筒32转动连接，从而提升转动滚筒32的运动稳定性。

综上所述：通过依次连通的浸水洗上槽1、喷水洗上槽2和脱膜机构3，能够使蚀刻设备经过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击，从而除去曝光区域的感光干膜，得到具有产品结构图案的蚀刻铜合金材料。通过转动滚筒32能够将膜和液体分离，从而提升自动化。

本申请中选用的各个器件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本领域技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。

在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。