显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

2.随着现代显示技术的快速发展，oled(organic light-emitting diode)显示装置，又称为有机电激发光显示装置、有机发光半导体显示装置等应运而生，oled显示面板比lcd液晶显示面板更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高，能满足消费者对显示技术的新需求，逐渐成为各大厂商研究的热点。
3.但是，目前的oled显示装置中的发光结构多为平面多层结构，此类结构无法激发侧边材料或者说无法利用侧面部分产生的光，另外在垂直结构中也存在上下面的全反射的现象，不利于出光，对显示装置的发光效率产生影响。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决现有的oled显示装置中侧边不发光、显示装置出光效率不高等技术问题。
5.为实现上述目的，本技术提供一种显示面板，包括：阵列基板；发光结构，呈凸起状设于所述阵列基板的一侧；以及封装结构，设于所述发光结构远离所述阵列基板的一侧。
6.进一步地，所述发光结构包括：像素定义层，凸出于所述阵列基板的表面；第一电极层，设于所述阵列基板的一侧，且延伸至所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧；发光层，设于所述第一电极层远离所述像素定义层的一侧，且与所述像素定义层相对设置；以及第二电极层，设于所述发光层远离所述第一电极层的一侧。
7.进一步地，所述发光结构远离所述阵列基板的一侧面的形状为圆弧形，所述发光结构的截面形状为椭圆形或半圆形中的一种。
8.进一步地，所述发光结构远离所述阵列基板的一侧面为平整面，所述发光结构的截面形状为梯形或台状结构中的一种。
9.进一步地，所述发光结构从远离所述阵列基板的一侧到靠近所述阵列基板的一侧的高度为1微米～2微米。
10.进一步地，定义所述发光结构远离所述阵列基板一侧的表面为第一表面，所述第一表面为粗糙表面，所述第一表面的平均粗糙度小于1.2纳米，所述第一表面处的最大粗糙度小于6纳米。
11.进一步地，所述封装结构包括：第一无机封装层，覆盖所述发光结构的所述第二电极层，且所述第一无机封装层具有凸起部，所述凸起部与所述发光结构的所述发光层相对设置；有机封装层，设于所述第一无机封装层远离所述阵列基板的一侧，所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧面为平整面；以及第二无机封装层，设于所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧。
12.为实现上述目的，本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：制备一
阵列基板；在所述阵列基板的上表面制备凸起状的发光结构；以及在所述发光结构的上表面制备封装结构。
13.进一步地，所述在所述阵列基板的上表面制备凸起状的发光结构的步骤包括：在所述阵列基板的上表面形成一层绝缘层，图案化处理所述绝缘层后形成凸起状的像素定义层；在所述像素定义层以及所述阵列基板的上表面刻蚀出第一电极沟道，图案化处理后在所述像素定义层的上表面形成第一电极层，所述第一电极层设于所述阵列基板的上表面，并穿过所述阵列基板上的绝缘膜层，连接至所述阵列基板上的源漏极层；在所述第一电极层的上表面制备有机发光材料，形成发光层，所述发光层与所述像素定义层相对设置，所述发光层为凸起状膜层；在所述发光层的上表面制备第二电极层。
14.为实现上述目的，本技术还提供一种显示装置，包括如前文所述的显示面板。
15.本技术的技术效果在于，将像素定义层做成凸起状，在凸起状的像素定义层上的发光结构整体也呈现为凸起结构，在发光区域面积固定的情况下，上表面较大的凸起发光结构能增加发光活性物质，增大发光面积，提高发光性能。同时，类圆形的凸起状发光结构能激发侧边发光材料发光，减小像素内的全反射现象，可有效调节微腔效应，有利于光提取，进一步增加显示装置的出光效率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
18.图2是本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；
19.图3是本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；
20.图4是本技术实施例提供的制备像素定义层之后的结构示意图。
21.附图标记说明：
22.100、阵列基板；200、发光结构；300、封装结构；
23.101、基板；102、遮光层；103、缓冲层；104、有源层；105、栅极绝缘层；106、第一金属层；107、介电层；108、第二金属层；109、钝化层；110、平坦层；
24.201、像素定义层；202、第一电极层；203、发光层；204、第二电极层；210、第一表面；
25.301、第一无机封装层；302、有机封装层；303、第二无机封装层。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方
向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
27.如图1至图4所示，本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
28.如图1所示，本技术提供的显示面板包括阵列基板100、发光结构200以及封装结构300。其中，所述发光结构200呈凸起状设于所述阵列基板100的一侧；所述封装结构300设于所述发光结构200远离所述阵列基板100的一侧。下文将对该显示面板的结构进行详细描述。
29.所述阵列基板100包括：基板101、遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、第一金属层106、介电层107、第二金属层108、钝化层109以及平坦层110。
30.所述基板101为玻璃基板，起到支撑作用以及衬底作用。
31.所述遮光层102呈图案化设于所述基板101的一侧，在本实施例中，所述遮光层102设于所述基板101的上表面。所述遮光层102所用材料一般为深的遮光金属材料。
32.所述缓冲层103设于所述基板101的一侧，且覆盖所述遮光层102，在本实施例中，所述缓冲层103设于所述基板101的上表面且覆盖所述遮光层102。所述缓冲层103所用材料为无机材料，例如氧化硅、氮化硅等。
33.所述有源层104设于所述缓冲层103远离所述基板101的一侧，在本实施例中，所述有源层104设于所述缓冲层103的上表面，且与部分的所述遮光层102相对设置，所述遮光层102在薄膜晶体管的工作状态中起到相关的遮光效果。所述有源层104包括位于中间的沟道部分以及位于外围的导电部分，所述沟道部分具有半导体性能，并不具备导电性能，而所述导电部分经导体化处理后则具有良好的导电性能，与所述第二金属层108之间形成电性连接。
34.所述栅极绝缘层105包括设于所述有源层104远离所述缓冲层103一侧的部分栅极绝缘层105以及设于所述缓冲层103远离所述基板101一侧的另一部分栅极绝缘层105。所述栅极绝缘层105起到隔绝两侧导电层之间电连接的效果，同时，将其部分设于所述缓冲层103的上表面，位于薄膜晶体管之外，是为了起到一定的垫高作用，这部分栅极绝缘层105与所述发光结构200的凸起部分相对设置。
35.所述第一金属层106设于所述栅极绝缘层105远离所述有源层104的一侧，在本实施例中，所述第一金属层106设于所述栅极绝缘层105的上表面，且与所述有源层相对设置，进一步地，所述第一金属层106与所述有源层104的所述沟道部分相对设置。所述第一金属层106为栅极层，可接入扫描信号。
36.所述介电层107覆盖所述第一金属层106、所述栅极绝缘层105、所述有源层104以及所述缓冲层103。所述介电层107具有良好的绝缘效果。
37.所述第二金属层108设于所述介电层107远离所述缓冲层103的一侧，在本实施例中，所述第二金属层108设于所述介电层107的上表面，且穿过所述介电层107电连接至所述有源层104的所述导电部分，与其形成所述薄膜晶体管内部的电性连接，也便于给所述发光结构200提供驱动信号。所述第二金属层108在本实施例中为源漏极层，在所述薄膜晶体管中，源极接入电源信号，漏极接入数据信号。
38.所述钝化层109设于所述介电层107远离所述缓冲层103的一侧，且覆盖所述第二金属层108，在本实施例中，所述钝化层109设于所述介电层107的上表面，且覆盖所述第二
金属层108，所述钝化层109以及所述介电层107在与所述发光结构200的凸起部分相对应的位置处，也可设置成凸起结构，因为有部分所述栅极绝缘层105设于所述缓冲层103上表面的缘故，所以其上方的所述介电层107也存在部分凸起，相应的，其上方的钝化层109也可存在相应的凸起结构。
39.所述平坦层110设于所述钝化层109远离所述介电层107的一侧，在本实施例中，所述平坦层110设于所述钝化层109的上表面，起到平整表面的作用，便于后续膜层的均匀制备。
40.所述发光结构200包括：像素定义层201、第一电极层202、发光层203以及第二电极层204，下文将对所述发光结构200进行详细描述。
41.所述像素定义层201凸出于所述阵列基板100的表面，在本实施例中，所述像素定义层201设于所述平坦层110的上表面，其整体为一个凸起结构，其上表面的形状可为圆弧形，所述像素定义层201的截面形状可为椭圆形或半圆形中的一种。在本实施例中，所述像素定义层201以类圆形凸起为例进行进一步说明。
42.但在本技术的其他实施例中，所述像素定义层201上表面可为平整面，但是所述像素定义层201的截面形状为梯形或台状结构中的一种，同时，该梯形或是台状结构的上表面的宽度要大于下表面的宽度，这样能确保所述像素定义层201具有较大的表面积，利于所述发光层203的铺设。
43.所述第一电极层202设于所述阵列基板100的一侧，且延伸至所述像素定义层201远离所述阵列基板100的一侧，在本实施例中，所述第一电极层202为阳极层，所述阳极层设于所述阵列基板100的所述平坦层110的上表面，并延伸至凸起的所述像素定义层201的上表面，部分所述阳极层穿过所述平坦层110以及所述钝化层109，连接至所述第二金属层108，所述阳极层与所述第二金属层108之间形成电性连接，所述第二金属层108为所述阳极层提供驱动信号。所述第一电极层202所用材料为透明的氧化铟锡材料(ito)，具有良好的导电效果。
44.在所述平坦层110的上表面还设有绝缘层，所述绝缘层并未覆盖凸起的像素定义层201和所述第一电极层202，只设于平整面上，起到对两侧导电膜层之间的绝缘作用。
45.所述发光层203设于所述第一电极层202远离所述像素定义层201的一侧，且与所述像素定义层201相对设置，在本实施例中，所述发光层203整个为凸起状，铺设于所述第一电极层202的上表面，在所述像素定义层201所定义出的发光区域的大小固定的前提下，圆弧形的发光层203能具有较大的表面积，此时发光活性物质就增多，同时，因为其为圆弧形，所以能激发侧边的发光材料进行发光，减少像素内的全反射，有利于调节微腔效应，增大所述发光结构200的出光效率。
46.在所述第一电极层202与所述发光层203之间还设有空穴注入层、空穴传输层等膜层，用于将来自所述阳极层的空穴载流子传输至所述发光层203中用于激发发光。
47.所述第二电极层204设于所述发光层203远离所述第一电极层202的一侧，在本实施例中，所述第二电极层204为阴极层，所述阴极层设于所述发光层203的上表面。
48.在所述发光层203与所述第二电极层204之间还设有电子注入层、电子传输层等膜层，用于将来自所述阴极层的电子载流子传输至所述发光层203中，与所述空穴载流子碰撞激发后发光。
49.从整体来看，在本实施例中，所述发光结构200远离所述阵列基板100的一侧面的形状为圆弧形，所述发光结构200的截面形状为椭圆形或半圆形中的一种。
50.在本技术的其他实施例中，所述发光结构200远离所述阵列基板100的一侧面也可为平整面，所述发光结构200的截面形状为梯形或台状结构中的一种。同时，该梯形或是台状结构的上表面的宽度要大于下表面的宽度，这样能确保所述发光结构200的上表面具有较大的表面积，有利于改善发光性能。
51.定义所述发光结构200远离所述阵列基板100一侧的表面为第一表面210，所述第一表面210为粗糙表面，所述第一表面210的平均粗糙度ra小于1.2纳米，所述第一表面210处的最大粗糙度rmax小于6纳米。
52.所述发光结构200从远离所述阵列基板100的一侧到靠近所述阵列基板100的一侧的高度为1微米～2微米，其具体的大小可对应所述显示面板所需像素的大小来设计。
53.所述封装结构300包括：第一无机封装层301、有机封装层302以及第二无机封装层303。
54.所述第一无机封装层301覆盖所述发光结构200的所述第二电极层204，且所述第一无机封装层301具有凸起部，所述凸起部与所述发光结构200的所述发光层203相对设置，形成对所述发光结构200的全面封装。
55.所述有机封装层302设于所述第一无机封装层301远离所述阵列基板100的一侧，所述有机封装层302远离所述第一无机封装层301的一侧面为平整面，即所述有机封装层302的上表面为平整面。
56.所述第二无机封装层303设于所述有机封装层302远离所述第一无机封装层301的一侧。
57.本实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如前文所述的显示面板，还包括背板、盖板等结构，本实施例所述显示装置为oled(organic light-emitting diode)显示装置，又称为有机电激发光显示装置，也可为amoled显示装置，其相较于液晶显示装置均具有更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等优势。
58.本实施例所述显示面板以及显示装置的技术效果在于，将像素定义层做成凸起状，在凸起状的像素定义层上的发光结构整体也呈现为凸起结构，在发光区域面积固定的情况下，上表面较大的凸起发光结构能增加发光活性物质，增大发光面积，提高发光性能。同时，类圆形的凸起状发光结构能激发侧边发光材料发光，减小像素内的全反射现象，可有效调节微腔效应，有利于光提取，进一步增加显示装置的出光效率。
59.如图2至图4所示，本实施例提供的一种显示面板的制备方法，包括步骤s1～s3。
60.s1制备一阵列基板100(参加图3)，在基板100的上表面依次制备出遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、第一金属层106、介电层107、第二金属层108、钝化层109以及平坦层110。具体的制备过程在本实施例中不作详细描述。
61.s2在所述阵列基板100的上表面制备凸起状的发光结构200，具体的，在所述阵列基板100的上表面形成一层绝缘层，图案化处理所述绝缘层后形成凸起状的像素定义层201(参见图4)，所述像素定义层201设于所述阵列基板100的上表面，其整体为一个凸起结构，其上表面的形状可为圆弧形，所述像素定义层201的截面形状可为椭圆形或半圆形中的一种。在本实施例中，所述像素定义层201以类圆形凸起为例进行进一步说明。
62.但在本技术的其他实施例中，所述像素定义层201上表面可为平整面，但是所述像素定义层201的截面形状为梯形或台状结构中的一种，同时，该梯形或是台状结构的上表面的宽度要大于下表面的宽度，这样能确保所述像素定义层201具有较大的表面积，利于后续发光层的铺设。
63.在所述像素定义层201以及所述阵列基板100的上表面刻蚀出第一电极沟道，图案化处理后在所述像素定义层201的上表面形成第一电极层202，所述第一电极层202所用材料为透明的氧化铟锡材料，所述第一电极层202延伸至所述阵列基板100的上表面，并穿过所述阵列基板100上的绝缘膜层，连接至所述阵列基板100上的源漏极层。
64.在所述第一电极层202的上表面采用蒸镀的方式制备有机发光材料，形成发光层203，所述发光层203与所述像素定义层201相对设置，所述发光层203为凸起状膜层。
65.在所述发光层203的上表面制备第二电极层204，在所述发光层203所用材料为金属银材料。
66.s3在所述发光结构200的上表面制备封装结构300，具体地，采用气相沉积法在所述发光结构200的上表面制备出第一无机封装层301，采用喷墨打印的方式在所述第一无机封装层301的上表面制备有机封装层302，采用气相沉积法在所述有机封装层302的上表面制备第二无机封装层303，形成无机-有机-无机的夹层封装结构，对所述发光结构200以及所述阵列基板100进行良好地封装。
67.本实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于，将像素定义层做成凸起状，在凸起状的像素定义层上的发光结构整体也呈现为凸起结构，在发光区域面积固定的情况下，上表面较大的凸起发光结构能增加发光活性物质，增大发光面积，提高发光性能。同时，类圆形的凸起状发光结构能激发侧边发光材料发光，减小像素内的全反射现象，可有效调节微腔效应，有利于光提取，进一步增加显示装置的出光效率。
68.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板；发光结构，呈凸起状设于所述阵列基板的一侧；以及封装结构，设于所述发光结构远离所述阵列基板的一侧。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括：像素定义层，凸出于所述阵列基板的表面；第一电极层，设于所述阵列基板的一侧，且延伸至所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧；发光层，设于所述第一电极层远离所述像素定义层的一侧，且与所述像素定义层相对设置；以及第二电极层，设于所述发光层远离所述第一电极层的一侧。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构远离所述阵列基板的一侧面的形状为圆弧形，所述发光结构的截面形状为椭圆形或半圆形中的一种。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构远离所述阵列基板的一侧面为平整面，所述发光结构的截面形状为梯形或台状结构中的一种。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构从远离所述阵列基板的一侧到靠近所述阵列基板的一侧的高度为1微米～2微米。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，定义所述发光结构远离所述阵列基板一侧的表面为第一表面，所述第一表面为粗糙表面，所述第一表面的平均粗糙度小于1.2纳米，所述第一表面处的最大粗糙度小于6纳米。7.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构包括：第一无机封装层，覆盖所述发光结构的所述第二电极层，且所述第一无机封装层具有凸起部，所述凸起部与所述发光结构的所述发光层相对设置；有机封装层，设于所述第一无机封装层远离所述阵列基板的一侧，所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧面为平整面；以及第二无机封装层，设于所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧。8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备一阵列基板；在所述阵列基板的上表面制备凸起状的发光结构；以及在所述发光结构的上表面制备封装结构。9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述阵列基板的上表面制备凸起状的发光结构的步骤包括：在所述阵列基板的上表面形成一层绝缘层，图案化处理所述绝缘层后形成凸起状的像素定义层；在所述像素定义层以及所述阵列基板的上表面刻蚀出第一电极沟道，图案化处理后在所述像素定义层的上表面形成第一电极层，所述第一电极层设于所述阵列基板的上表面，
并穿过所述阵列基板上的绝缘膜层，连接至所述阵列基板上的源漏极层；在所述第一电极层的上表面制备有机发光材料，形成发光层，所述发光层与所述像素定义层相对设置，所述发光层为凸起状膜层；在所述发光层的上表面制备第二电极层。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的显示面板。

技术总结

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括：阵列基板；发光结构，呈凸起状设于所述阵列基板的一侧；以及封装结构，设于所述发光结构远离所述阵列基板的一侧。本申请的技术效果在于，激发发光结构的侧边发光，增大发光面积，提高发光效率。提高发光效率。提高发光效率。

技术研发人员：

覃事建 黄辉

受保护的技术使用者：

深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

技术研发日：

2022.08.29

技术公布日：

2022/11/25