一种铁电存储器及其写操作方法与流程

1.本发明涉及铁电存储器技术领域，特别涉及一种铁电存储器及其写操作方法。

背景技术：

2.近年来，铁电存储器作为一种高写入速度和高读写次数的新型存储器，受到越来越多的关注。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器。当电场被施加到铁电晶体管时，中心原子顺着电场停留在第一低能量状态，而当电场反转被施加到同一铁晶体管时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停留在第二低能量状态。大量中心原子在晶体单胞中移动并耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以用作存储器。
3.当移去电场以后，中心原子保持在低能量状态，存储器的状态也得以保存不会消失，因此可通过铁电畴在电场下反转形成的高极化电荷或者无反转形成的低极化电荷来判断存储单元是处于“1”还是“0”状态。铁电畴的反转不需要高电场，而是仅用一般的工作电压就可以改变存储单元的“1”或“0”的状态；也不需要电荷泵来产生高电压以进行数据擦除，因而没有擦写延迟。这种特性使得铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据，并且写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。而且，与现有的非易失性内存技术相比，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。
4.现有的铁电存储器阵列设计中，以io作为最小操作单位，其中一个io包括多个字节。但是，在实际写入操作时，数据是逐字节被写入的。这就使得每写入一个字节的数据，就需要对其所在的io中所有的字节做一次读写操作，大大增加了写循环次数，降低了产品的稳定性。

技术实现要素：

5.针对现有技术中的部分或全部问题，本发明一方面提供一种铁电存储器的写操作方法，包括步骤：
6.通过串行数据接口接收待写入数据；
7.在接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据，其中，所述n的取值等于所述铁电存储器的最小操作单位的字节数；
8.数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；
9.当接收完n个字节数据或者片选信号出现上升沿后，在所述n个字节的存储单元中回写1；以及
10.对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写，直至所有数据写入完成。
11.进一步地，对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写包括步骤：
12.在延长指定时刻或接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据；
13.数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；以及
14.当接收完n个字节数据后，或当片选信号出现上升沿时，在所述n个字节的存储单元中回写1。
15.进一步地，所述指定数据位为n个字节中的第一个字节的第三或第四位数据。
16.进一步地，所述写操作方法还包括：回写1后，延迟指定时长，对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写。
17.进一步地，所述n的取值为4。
18.进一步地，所述数据预读包括：
19.对所述n个字节的存储单元所连接的字线加电压，使得所述字线从低电平变为高电平；
20.对所述n个字节的存储单元的所连接的板线施加电压，使得所述板线从低电平变为高电平；以及
21.通过将n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压与参考电压进行比较，确定所述存储单元中的数据是“0”还是“1”。
22.进一步地，所述数据预读还包括：在对所述板线施加电压前，对所述io中的存储单元的位线进行清零放电。
23.进一步地，在所述n个字节的存储单元中写0包括：
24.通过驱动电路控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压变为低电平，实现数据“0”的写入；以及
25.控制所述n个字节中的存储单元所连接的板线电压变为低电平。
26.进一步地，所述回写1包括：
27.控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压变为高电平，实现数据“1”的写入。
28.本发明另一方面提供一种铁电存储器，其能够进行如前所述的写操作，所述铁电存储器包括：
29.寄存器，用于寄存从存储单元中预读的数据；以及
30.计数单元，其耦合至驱动电路，用于对已接收到的数据位进行计数，并在计数达到预设值时，发送字线、板线及位线驱动信号，控制所述字线、板线及位线的电压。
31.进一步地，所述计数单元包括多个d触发器。
32.本发明提供的一种铁电存储器及其写操作方法，基于发明人的如下洞察：铁电存储器的写操作的最小操作单位通常包括多个字节，因此，在现有的写操作方法中，每写入一个字节的数据，都需要对这个字节所在的最小操作单位中所有的字节进行一次预读及回写操作。这就使得当需要连续写入时，每个存储单元都需要经历多次读写操作，长期以往，极可能降低铁电存储器的稳定性。为了提高产品稳定性，进而保证产品寿命，应当考虑减少存储单元的读写次数。发明人进一步发现，假设所述最小操作单位包括n个字节，则当所述n个字节均需要写入新数据时，需要对所述最小操作单位中的所有存储单元进行n次预读及回写，其中，每次回写均在一个字节的存储单元中写入新的数据，而其他字节则回写预读出来的数据，因此，可以考虑将其合并为一次，一次性在所述最小单位中所有需要更新的字节中写入新的数据。基于此，发明人提出一种写操作方法，通过改进写操作时序，使得在一个最
小操作单位中仅进行一次数据预读及回写，具体而言，是在接收到指定数据位之后进行数据预读，并在预读结束后，先对所述最小操作单位中所有的存储单元写0，然后在接收完所述最小操作单位中的所有数据后，回写1。采用所述写操作方法，所述铁电存储器的每个存储单元只会被读写一次，大大降低了写循环次数，进而提升了铁电存储器的稳定性。同时，由于在接收数据的过程中，已完成0的写入，回写时仅需写1，缩短了回写周期，进而可以保证后续数据的输入时序不受影响。
附图说明
33.为进一步阐明本发明的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本发明的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本发明的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。
34.图1示出2t2c铁电存储器的电路结构示意图；
35.图2示出现有技术中铁电存储器的写操作方法的预读及回写时间节点示意图；
36.图3示出本发明一个实施例中的铁电存储器的写操作方法的预读及回写时间节点示意图；
37.图4示出本发明一个实施例的铁电存储器的写操作方法的流程示意图；
38.图5示出本发明一个实施例中的铁电存储器的写操作方法的脉冲时序图；以及
39.图6示出本发明一个实施例的铁电存储器的计数单元的结构示意图。
具体实施方式
40.以下的描述中，参考各实施例对本发明进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免模糊本发明的发明点。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本发明的实施例的全面理解。然而，本发明并不限于这些特定细节。此外，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按正确比例绘制。
41.在本说明书中，对“一个实施例”或“该实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处中出现的短语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。
42.需要说明的是，本发明的实施例以特定顺序对工艺步骤进行描述，然而这只是为了阐述该具体实施例，而不是限定各步骤的先后顺序。相反，在本发明的不同实施例中，可根据工艺的调节来调整各步骤的先后顺序。
43.本发明可以是关于存储器，特别是关于铁电存储器。在本发明中，术语“最小操作单位”是指铁电存储器单次可操作的存储单元集合。例如，目前，常见的铁电存储器单次可操作4个字节数据的读写，则所述最小操作单位就包括4个字节数据对应的共32位的存储单元及相应的感测电路。
44.图1示出2t2c铁电存储器的电路结构示意图。如图1所示，在2t2c结构的铁电存储器中，每一位包括两个相反的电容互为参考。如图1所示，所述2t2c铁电存储器的每个存储
单元包括两个晶体管和两个铁电电容器，其中所述晶体管为cmos晶体管，其包括栅极、源极和漏极，晶体管的源极或者漏极与铁电电容器的一个极板连接。所述2t2c铁电存储器的每个存储单元还包括4根与外部连接的信号线。其中wl为字线，其连接至所述两个晶体管的栅极，用于控制所述两个晶体管的开关，当wl为高电平时，所述两个铁电电容器与位线导通，bl、bl_bar为位线，用于向存储单元中写入或读取数据，以及pl为板线，连接至所述两个铁电电容器的另一个极板，用于给铁电电容充电使其极化。
45.在本发明的实施例中，所述铁电存储器可以包括很多个存储区，其中，每个存储区包括多个存储块，每个存储块可包括多个字节，每个字节包括阵列排列的8个同样的存储单元。在实际的产品中可以根据存储器的容量大小设置不同行不同列的存储单元。其中，同一横向行的存储单元的晶体管的栅极共同连接同一条字线wl，同一纵向列的存储单元的晶体管的源极共同连接于同一条位线bl或bl_bar，以及存储单元的铁电电容的远离晶体管的极板共同连接至同一个共同的板线pl。
46.在进行数据读写操作时，首先存储单元的读写控制电路控制被选中的存储单元连接的字线wl变为高电平，wl与存储单元的晶体管的栅极连接，因为wl变为高电平则晶体管导通，此时存储单元的电容的一个极板经过导通的晶体管与位线bl或bl_bar连接，电容的另一极板与板线pl连接，这样对位线和板线施加不同的电压即可实现对铁电电容两端施加不同的电场，施加的电场不同，铁电电容的极化程度不同，从而利用铁电电容的极化不同，实现对铁电容存储不同的数据。
47.在现有的写操作方法中，如图2所示，每写入一个字节的数据，都需要对这个字节所在的最小操作单位中所有的字节进行一次预读及回写操作。这就使得当需要连续写入时，每个存储单元都需要经历多次读写操作，长期以往，极可能降低铁电存储器的稳定性。为了提高产品稳定性，发明人提出一种写操作方法，通过改进写操作时序，使得在一个最小操作单位中仅进行一次数据预读及回写。如图3所示，所述写操作方法在接收到指定数据位之后进行数据预读，并在预读结束后，先对所述最小操作单位中所有的存储单元写0，然后在接收完所述最小操作单位中的所有数据后，回写1。下面结合实施例附图，对本发明的方案作进一步描述。
48.图4及图5分别示出本发明一个实施例的铁电存储器的写操作方法的流程及脉冲时序示意图。如图4所示，一种铁电存储器的写操作方法，包括：
49.首先，在步骤401，接收数据。通过串行数据接口接收数据，所述数据包括写入指令、地址信息以及有效数据。所述铁电存储器的写操作通过写入指令控制，如图5所示，在收到写入指令时，片选信号csb产生下降沿，使得数据可以输入至串行数据接口。一个串行时钟clock周期可完成1位数据的输入；在所述写入操作码及地址信息输入至串行数据接口si期间，字线wl和板线pl均为低电平；
50.接下来，在步骤402，数据预读。在接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据，其中，所述n的取值等于所述铁电存储器的最小操作单位的字节数，通常，所述n的取值为4，但应当理解的是，在本发明的其他实施例中，可根据铁电存储器单次可操作的存储单元数量确定所述n的取值。在本发明的一个实施例中，所述指定数据位为所述n个字节中的第一个字节的第三或第四位数据。在本发明的一个实施例中，所述数据预读得到的数据存储于寄存器中。以2t2c结构的铁电存储器为例，如图
5所示，进行数据预读包括：
51.首先，对所述n个字节的存储单元所连接的字线wl加电压，使得所述字线wl从低电平变为高电平，此时，所述存储单元中的晶体管导通；
52.接下来，对所述n个字节的存储单元的所连接的板线pl施加电压，使得所述板线从低电平变为高电平，给所述铁电电容充电使其极化。在本发明的一个实施例中，在对所述板线施加电压前，还可对所述n个字节的存储单元的位线进行清零放电；以及
53.最后，通过将n个字节中的存储单元的所连接的位线bl及bl_bar的电压进行比较，确定所述存储单元中的数据是“0”还是“1”；
54.接下来，在步骤403，写“0”。在数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0。以2t2c结构的铁电存储器为例，如图5所示，在所述n个字节的存储单元中写0包括：
55.通过驱动电路控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线bl及bl_bar的电压变为低电平，实现数据“0”的写入；以及
56.控制所述n个字节中的存储单元所连接的板线电压变为低电平，以减小对铁电存储单元的加压(stress)时间，减小疲劳和印记效应；
57.接下来，在步骤404，写“1”。当接收完n个字节数据后或者片选信号csb出现上升沿时，在所述n个字节的存储单元中写1。具体而言，若待写入数据的总字节数m小于等于n，则在片选信号csb出现上升沿时，及所有待写入数据接收完成后进行写1操作；以及若待写入数据的总字节数m大于n，则在接收完n个字节数据后进行写1操作。以2t2c结构的铁电存储器为例，如图5所示，所述写1包括控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线bl_bar的电压变为高电平，实现数据“1”的写入，应当理解的是，若待写入数据的总字节数m小于n，则数据“1”的写入包括：在m个字节的存储单元中根据接收到的待写入数据写“1”，在剩余的n-m个字节的存储单元中，根据数据预读得到的数据回写“1”；应当理解的是，在数据预读及写1的操作过程中，数据的接收不中断；以及
58.最后，回到步骤402，对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写，直至所有数据写入完成。在本发明的一个实施例中，由于写1所需的周期通常为1至2个串口时钟clock周期，因此，可以在完成写1后，即刻进行接下来n个字节的存储单元的数据预读及回写操作，也可以延迟一段时间，在接下来n个字节的第一个字节的第三或第四位数据时，再开始数据预读。具体而言，包括：
59.在前n个字节写1结束后、或延长指定时刻、或接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据；
60.数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；以及
61.当接收完n个字节数据后，在所述n个字节的存储单元中回写1，由于待写入的数据不一定为n的整数倍，因此，最后剩余的字节数量k可能会小于n，此时，写1操作则在片选信号csb出现上升沿时，即所有数据接收完成时进行，此时，写1操作包括：在k个字节的存储单元中根据接收到的待写入数据写“1”，在剩余的n-k个字节的存储单元中，根据数据预读得到的数据回写“1”。
62.根据如前所述的写操作方法，当待写入数据的总字节数m为n的倍数时，则共需要进行m/n次数据预读及回写操作，当待写入数据的总字节数m不是n的倍数时，则需要进行|m/n|+1次数据预读及回写操作。相较于现有技术而言，大大减少了写循环次数。
63.接下来，以n取值为4，以及m分别取值为2、5为例，详细描述所述写操作方法的流程。
64.当铁电存储器的最小操作单位为4个字节，且需要连续写入2个字节时，根据如前所述的写操作方法，具体的写入流程包括：
65.首先，通过串行数据接口接收数据，所述数据包括写入指令、地址信息以及有效数据。在收到写入指令时，片选信号csb产生下降沿，使得数据可以输入至串行数据接口，在所述写入操作码及地址信息输入至串行数据接口si期间，字线wl和板线pl均为低电平；
66.接下来，在接收到指定数据位，例如第三或第四位数据时，开始进行数据预读，所述数据预读读取4个字节的存储单元中的数据，并将所述数据预读得到的数据存储于寄存器中，在此过程中，字线wl及板线pl从低电平变为高电平；
67.接下来，在数据预读完成后，在所述4个字节的存储单元中写0，并在结束后控制板线电压变为低电平；以及
68.最后，当2个字节数据接收完成后，片选信号csb出现上升沿，此时，在所述4个字节的存储单元中写1。具体而言，是在其中2个字节的存储单元中根据接收到的待写入数据写“1”，在剩余的2个字节的存储单元中，根据数据预读得到的数据回写“1”。
69.当铁电存储器的最小操作单位为4个字节，且需要连续写入5个字节时，根据如前所述的写操作方法，具体的写入流程包括：
70.首先，通过串行数据接口接收数据，所述数据包括写入指令、地址信息以及有效数据。在收到写入指令时，片选信号csb产生下降沿，使得数据可以输入至串行数据接口，在所述写入操作码及地址信息输入至串行数据接口si期间，字线wl和板线pl均为低电平；
71.接下来，在接收到指定数据位，例如第三或第四位数据时，开始进行数据预读，所述数据预读读取4个字节的存储单元中的数据，并将所述数据预读得到的数据存储于寄存器中，在此过程中，字线wl及板线pl从低电平变为高电平；
72.接下来，在数据预读完成后，在所述4个字节的存储单元中写0，并在结束后控制板线电压变为低电平；
73.接下来，当接收到4个字节数据后，在所述4个字节的存储单元中，根据接收到的待写入数据写1；以及
74.最后，在前4个字节的写1操作完成后、或延时指定时刻、或接收到指定数据位时，对接下来的4个字节的存储单元进行数据预读，数据预读完成后，在所述4个字节的存储单元中写0，当剩余的一个字节数据接收完成后，片选信号csb出现上升沿，此时，在所述4个字节的存储单元中写1。具体而言，是在其中1个字节的存储单元中根据接收到的待写入数据写“1”，在剩余的3个字节的存储单元中，根据数据预读得到的数据回写“1”。
75.本发明另一方面提供一种铁电存储器，其能够进行如前所述的写操作，所述铁电存储器包括：
76.寄存器，其用于存储数据预读操作中，从存储单元中读取的数据暂存于寄存器中。如前所述，在数据预读结束后，会对最小操作单位中的所有存储单元写0，而回写时，仅需回写1，因此，在待写入数据小于最小操作单位的字节数时，需要根据所述寄存器中存储的数据，将数据为1的部分回写到相应的存储单元中，而寄存器中所存储的数据0均不需要回写操作；以及
77.计数单元，其耦合至驱动电路，用于对已接收到的数据位进行计数，并在计数达到预设值时，发送字线、板线及位线驱动信号，控制所述字线、板线及位线的电压。
78.进一步地，所述计数单元包括多个d触发器。
79.本发明实施例中的写操作方法，相较于现有的铁电存储器写入操作而言，对写入操作的时序做了优化，在接收指定数据位时，先启动预读操作，并在接收到指定数据位后，进行写1。基于此，为了准确地在预设时间点开启预读及写1操作，相较于现有的铁电存储器，本发明实施例中的铁电存储器还应当包括有计数单元和/或计时单元，以确定已接收到的数据位数或计时。所述计数单元和/或计时单元耦合至铁电存储器的驱动电路，当所述计数单元和/或计时单元的计数值达到预设值时，生成驱动信号，以驱动所述io中的字线、板线、位线，进而开始预读或回写操作。图6示出本发明一个实施例的铁电存储器的计数单元的结构示意图。如图6所示，所述计数单元例如可由d触发器构成，图中所述的计数单元可实现0-7的计数，其一次计数周期时长等于8个串行时钟周期。具体而言，计数值qcnt初始值为0，即各个d触发器的输出值qcnt《2》、qcnt《1》、qcnt《0》的值均为0，所述计数单元中的第一个d触发器由sck的上升沿触发，其正向输出值为qcnt《0》，第二个d触发器以第一个d触发器的反向输出的上升沿触发，其正向输出值为qcnt《1》，以及第三个d触发器以第二个d触发器的反向输出的上升沿触发，其正向输出值为qcnt《2》，则根据所述三个d触发器的输出值qcnt《2》、qcnt《1》、qcnt《0》即可确定当前所接收到的数据位。当需要的计数值更多时，则相应地增加d触发器的数量即可。同时，在本发明的其他实施例中，也可采用本领域技术人员公知的其他计数器或计时器电路实现这一功能。
80.尽管上文描述了本发明的各实施例，但是，应该理解，它们只是作为示例来呈现的，而不作为限制。对于相关领域的技术人员显而易见的是，可以对其做出各种组合、变型和改变而不背离本发明的精神和范围。因此，此处所公开的本发明的宽度和范围不应被上述所公开的示例性实施例所限制，而应当仅根据所附权利要求书及其等同替换来定义。

技术特征：

1.一种铁电存储器的写操作方法，其特征在于，包括步骤：通过串行数据接口接收待写入数据；在接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据，其中，所述n的取值等于所述铁电存储器的最小操作单位的字节数；数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；当片选信号出现上升沿，或接收完n个字节数据后，在所述n个字节的存储单元中回写1；以及若仍有数据未写入，则对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写，直至所有数据写入完成。2.如权利要求1所述的写操作方法，其特征在于，对接下来的n个字节的存储单元进行数据预读及回写包括步骤：在前n个字节写1结束后、或延长指定时刻、或接收到指定数据位时，进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据；数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；以及当接收完n个字节数据后，或当片选信号出现上升沿时，在所述n个字节的存储单元中回写1。3.如权利要求1所述的写操作方法，其特征在于，所述指定数据位为所述n个字节中的第一个字节的第三或第四位数据。4.如权利要求1所述的写操作方法，其特征在于，所述n的取值为4。5.如权利要求1所述的写操作方法，其特征在于，所述数据预读包括：对所述n个字节的存储单元所连接的字线加电压，使得所述字线从低电平变为高电平；对所述n个字节的存储单元的所连接的板线施加电压，使得所述板线从低电平变为高电平；以及根据n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压，确定所述存储单元中的数据。6.如权利要求5所述的写操作方法，其特征在于，所述数据预读还包括：在对所述板线施加电压前，对所述i o中的存储单元的位线进行清零放电。7.如权利要求1所述的写操作方法，其特征在于，在所述n个字节的存储单元中写0包括：通过驱动电路控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压变为低电平，实现数据“0”的写入，并控制所述n个字节中的存储单元所连接的板线电压变为低电平；以及所述回写1包括：控制所述n个字节中的存储单元的所连接的位线的电压变为高电平，实现数据“1”的写入。8.一种铁电存储器的写操作方法，其特征在于，包括步骤：通过串行数据接口接收待写入数据；在接收到指定数据位时，开始进行数据预读，所述数据预读读取n个字节的存储单元中的数据，其中，所述n的取值等于所述铁电存储器的最小操作单位的字节数；数据预读完成后，在所述n个字节的存储单元中写0；当待写入数据的字节数m小于最小操作单位的字节数n时，在前述串行数据接口的数据
传输结束，片选信号出现上升沿时在所述n个字节的存储单元中回写1；当待写入数据的字节数m大于最小操作单位的字节数n时，对于m/n的整数倍的存储单元，接收完n个字节数据后，在所述n个字节的存储单元中回写1，对m/n整数倍+1的n个字节的存储单元，在前述串行数据接口的数据传输结束，片选信号出现上升沿时在所述n个字节的存储单元中回写1。9.一种铁电存储器，其特征在于，其被配置为根据如权利要求1至8任一所述的写操作方法进行写操作，所述铁电存储器包括：寄存器，其被配置为寄存从存储单元中预读的数据；以及计数单元，其耦合至驱动电路，且被配置为对已接收到的数据位进行计数，并在计数达到预设值时，发送字线、板线及位线驱动信号，控制所述字线、板线及位线的电压。10.如权利要求9所述的铁电存储器，其特征在于，所述计数单元包括d触发器。

技术总结

本发明公开一种铁电存储器的写操作方法，其通过串行数据接口接收待写入数据，并在接收到指定数据位时，开始进行数据预读，每次数据预读读取N个字节的存储单元中的数据，其中，N的取值等于铁电存储器的最小操作单位的字节数，数据预读完成或者片选信号出现上升沿后，在进行数据预读操作的N个字节的存储单元中写0，并在接收完N个字节数据后，在这N个字节的存储单元中回写1，然后对接下来的N个字节的存储单元按照同样的方法进行数据预读及回写，直至所有数据写入完成。所有数据写入完成。所有数据写入完成。