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UV、R、G、B、IR之任意组合滤光结构及制作方法与流程

uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构及制作方法
技术领域
1.本发明涉及一种关于应用于环境光源感测芯片(ambient light sensor，als)、近接感测芯片(proximity sensor，ps)、rgb温感测芯片及手势感测芯片等光学传感器的感测芯片上的滤光结构及制法方面的技术领域，尤指一种可使滤光薄膜均匀性较佳(uniformity
±
5nm)，以及提供更广域的波段，以形成更多不同波长的图像，使具有更高敏感的分辨率可符合光学规格需求的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构及制作方法。

背景技术：

2.传统的光学传感器，如可见光摄像模块，需要采用红外光截止滤波器，将不必要的低频近红外光过滤掉，以免红外光线对可见光部分造成影响，产生伪或波纹，但该传统的可见光摄像模块，未有uv像素及ir像素。
3.一般已知的彩滤光片及其制造方法，如第100112527号专利所示，其主要是使用喷墨印刷法，彩滤光薄膜厚度在5微米左右，对于颜料光阻液的使用较为浪费，分辨率及位置重现性较差，制造流程随着基板尺寸逐步的增大，最初光阻剂涂布的方式是由中央滴下(tube)再加上旋涂(spin coat)，演进至今成为狭缝式涂布(slit)加上旋涂，其目的无非是为了降低光阻剂的使用量，而未来基板尺寸的更大型化，将会造成滤光薄膜的均匀性(uniformity)无法达到规格需求(
±
2％)及光学透光度和波长无法达到规格需求(截止带低于穿透率1％)，截止带穿透率过高，其造成噪声。已知金属彩滤光器中所使用材料为银，其在环境上来说不稳定且容易腐蚀。
4.有鉴于此，本发明人乃针对上述问题，而深入构思，且积极研究改良试做而开发设计出本发明。

技术实现要素：

5.本发明主要目的在于有效的解决已知彩滤光片及其制造方法所存在的制作大型基板尺寸时滤光薄膜均匀性(uniformity)无法达到规格需求(
±
2％)及光学透光度和波长无法达到规格需求(截止带低于穿透率1％)等问题，从而提供提供一种uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构。
6.为达上述目的，本发明提供一种uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，包括一基板及一滤光层，其中，该基板为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品。该滤光层形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的数个基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的数个像素滤光膜，该数个像素滤光膜包含一uv像素滤光膜、一r像素滤光膜、一g像素滤光膜、一b像素滤光膜或一ir像素滤光膜中的任意组合，且使该像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过。
7.本发明还提供一种uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，包括(a)于基板上形成光阻屏蔽：于一基板的一侧面上形成一光阻屏蔽，于该光阻屏蔽上欲镀像素滤光膜处设有镂空的复数镀膜区域；(b)真空镀膜：利用真空镀膜方法于该镀膜区域形成由不同厚
度的复数铷层及复数高折射率层相互堆栈的复数像素滤光膜；(c)涂布光阻剂：于镀完该像素滤光膜的该光阻屏蔽的镂空镀膜区域上涂布光阻剂，以封住该镂空镀膜区域；(d)蚀刻：利用蚀刻方式于该光阻屏蔽上欲镀复数另一像素滤光膜处形成镂空的复数另一镀膜区域；(e)再次真空镀膜：利用真空镀膜方法于蚀刻形成的该复数另一镀膜区域形成由不同厚度的复数铷(rb)层及比复数高折射率层相互堆栈的复数另一像素滤光膜；(f)清除光阻屏蔽：清除该光阻屏蔽即完成。
8.承上，在(e)步骤后可依需要重覆(c)～(e)步骤，再进行(f)步骤，以制作出由三种或多种像素滤光膜组成的滤光结构。
9.本发明所提供的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构及制作方法，可藉由真空镀膜配合光阻屏蔽的制作方式，使得即使是在制作大型基板尺寸时，均匀性达
±
5nm以下，而符合截止带穿透率低于1％规格需求，此等uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构具有更高透过率及更窄通带，导致彩更鲜艳及更明亮，进而当其应用于环境光感测芯片(ambient light sensor，als)、近接感测芯片(proximity sensor，ps)、rgb温感测芯片及手势感测芯片等光学传感器的感测芯片时，可使反应时间更为快速，相对于同产品颜辨别率及调整灵敏度可大幅提高，更是可大大提升感光对比的亮度呈现，更有业者将光打向水果(如柳橙、奇异果等)，并且使用应用本技术的感测芯片以及ai判别，精确办别水果内皮层熟度，用以实现水果成熟辨识/分级，快速降低过往人力辨别成本。
附图说明
10.图1为本发明的结构示意图。
11.图2为本发明的滤光层的基本单元配置示意图。
12.图3为本发明的uv像素滤光膜的光谱图。
13.图4为本发明的r像素滤光膜的光谱图。
14.图5为本发明的g像素滤光膜的光谱图。
15.图6为本发明的b像素滤光膜的光谱图。
16.图7为本发明的ir像素滤光膜的光谱图。
17.图8为本发明的制作方法的制作流程示意图。
18.图9为本发明的光阻屏蔽的制作流程示意图。
19.图10为本发明的真空溅射反应镀膜系统的结构示意图。
20.符号说明：
21.10:基板
22.20:滤光层
23.21:基本单元
24.22:像素滤光膜
25.23:铷(rb)层
26.24:高折射率层
27.30:真空溅射反应镀膜系统
28.31:滚筒
29.32:镀膜腔室
30.33:溅射源
31.34:反应源区域
32.35:靶材。
具体实施方式
33.请参阅图1及图2所示，显示本发明所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其包括一基板10及一滤光层20，其中：
34.该基板10，为晶圆半导体感测元件。
35.该滤光层20，形成于该基板10的一侧面，由矩阵排列的复数基本单元21所组成，每一基本单元21包含由真空镀膜方式形成的复数像素滤光膜22。该复数像素滤光膜22包含一uv像素滤光膜、一r像素滤光膜、一g像素滤光膜、一b像素滤光膜及一ir像素滤光膜之其中任意复数，且使该复数像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过。
36.本发明的每一基本单元21的复数像素滤光膜22的组合方式可为uv像素滤光膜、r像素滤光膜、一g像素滤光膜、一b像素滤光膜及一ir像素滤光膜中的其中任意二种、任意三种或多种的组合，本实施例是以其中的四种组合举例。其中：
37.该uv像素滤光膜，是由复数铷(rb)层23及折射率比铷(rb)层高的复数高折射率层24相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在300nm至400nm，其余截止带透过率平均低于1％，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于50％。
38.该r像素滤光膜，是由复数铷(rb)层23及折射率比铷(rb)层高的复数高折射率层24相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在580nm至740nm，其余截止带透过率低于1％，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于55％。
39.该g像素滤光膜，是由复数铷(rb)层23及折射率比铷(rb)层高的复数高折射率层24相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在500nm至565nm，其余截止带透过率低于1％，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于55％。
40.该b像素滤光膜，是由复数铷(rb)层23及折射率比铷(rb)层高的复数高折射率层24相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该通带中心波长在400nm至500nm，其余截止带透过率低于1％，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于55％。
41.该ir像素滤光膜，是由铷(rb)层23及折射率比铷(rb)层高的复数高折射率层24相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该中心波长在红外800nm至1100nm的波长范围内仅一部份或部分重叠形成一通带，其余截止带透过率低于1％，该通带的中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于30％。
42.上述的该复数像素滤光膜22，其中该复数铷(rb)层23在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。该复数高折射率层24，其可为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o
5-5#)、混合膜料(h4)及其混合物中的其中任一种。而且，该复数高折射率层24在350nm至1100nm的波长范围内的折射
率大于1.6，消光系数接近0。利用不同厚度及层数的该复数铷(rb)层23及该复数高折射率层24的配合可形成该uv像素滤光膜、该r像素滤光膜、该g像素滤光膜、该b像素滤光膜及该ir像素滤光膜。
43.以下兹就该uv像素滤光膜、该r像素滤光膜、该g像素滤光膜、该b像素滤光膜及该ir像素滤光膜的各种结构条件举例说明。
44.该uv像素滤光膜：该uv像素滤光膜是由复数铷(rb)层23及复数高折射率层24相互堆栈而成，该复数高折射率层24可分别为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o
5-5#)、混合膜料(h4)中的其中任一种，举例，该五氧化三钛(ti3o5)层在350nm至1100nm波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。该铷(rb)层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。其结构条件如下表1中任一种情形：
45.表1 uv像素滤光膜结构
46.47.图3所示，该uv像素滤光膜具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在300nm至400nm，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于50％，其余截止带平均透过率低于1％。
48.该r像素滤光膜：该r像素滤光膜是由复数铷(rb)层23及高折射率层24相互堆栈而成，该高折射率层24分别为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o
5-5#)或混合膜料(h4)中的其中任一种，举例，该五氧化三钛(ti3o5)层在350nm至1100nm波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。该铷(rb)层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。其结构条件如下表2中的任一种情形：
49.表2 r像素滤光膜结构
[0050][0051]
[0052]
如图4所示，该r像素滤光膜具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在580nm至740nm，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于55％，其余截止带透过率低于1％。
[0053]
该g像素滤光膜：该g像素滤光膜是由复数铷(rb)层23及高折射率层24相互堆栈而成，该高折射率层24分别为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o5)或混合膜料(h4)中的其中任一种，举例，该五氧化三钛(ti3o5)层在350nm至1100nm波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。该铷(rb)层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。其结构条件如下3中的任一种情形：
[0054]
表3 g像素滤光膜结构
[0055][0056]
[0057]
如图5所示，该g像素滤光膜具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在500nm至565nm，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于55％，其余截止带透过率低于1％。
[0058]
该b像素滤光膜：该b像素滤光膜是由复数铷(rb)层23及高折射率层24相互堆栈而成，该高折射率层24分别为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o5)或混合膜料(h4)中的其中任一种，举例，该五氧化三钛(ti3o5)层在350nm至1100nm波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。该铷(rb)层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。其结构条件如下表4中的任一种情形：
[0059]
表4 b像素滤光膜结构
[0060][0061][0062]
如图6所示，该b像素滤光膜具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在400nm至500nm，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大
于55％，其余截止带透过率低于1％。
[0063]
该ir像素滤光膜：该ir像素滤光膜是由复数铷(rb)层23及高折射率层24相互堆栈而成，该高折射率层24分别为五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o5)或混合膜料(h4)中的其中任一种，举例，该五氧化三钛(ti3o5)层在350nm至1100nm波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。该铷(rb)层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58。其结构条件如下表5中的任一种情形：
[0064]
表5 ir像素滤光膜结构
[0065][0066]
[0067]
如图7所示，该ir像素滤光膜具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该中心波长在红外800nm至1100nm的波长范围内仅一部份或部分重叠形成一通带，其余截止带透过率低于1％，该通带的中心波长在入射角于0
°
时透过率(transmittance)大于30％。
[0068]
请配合参阅图8所示，显示本发明所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，包括：
[0069]
(a)于基板10上形成光阻屏蔽：于一基板10的一侧面上形成一光阻屏蔽，于该光阻屏蔽上欲镀像素滤光膜22处设有镂空的复数镀膜区域，例如于欲镀r像素滤光膜的区块形成镂空的该复数镀膜区域；
[0070]
(b)真空镀膜：利用真空镀膜方法于该镀膜区域形成由不同厚度的复数铷(rb)层23及高折射率的复数高折射率层24相互堆栈的复数像素滤光膜22，例如r像素滤光膜；
[0071]
(c)涂布光阻剂：于镀完该像素滤光膜的该光阻屏蔽的镂空镀膜区域上涂布光阻剂，以封住该镂空镀膜区域；
[0072]
(d)蚀刻：利用蚀刻方式于该光阻屏蔽上欲镀复数另一的像素滤光膜22处形成镂空的复数另一镀膜区域，例如于欲镀g像素滤光膜的区块形成镂空的该复数另一镀膜区域；
[0073]
(e)再次真空镀膜：利用真空镀膜方法于蚀刻形成的该复数另一镀膜区域形成由不同厚度的复数铷(rb)层23及复数高折射率层24相互堆栈的复数另一像素滤光膜22，例如g像素滤光膜。可依需要重覆(c)～(e)步骤以制作出由三种或多种像素滤光膜组成的滤光结构；
[0074]
(f)清除光阻屏蔽：清除该光阻屏蔽即完成。
[0075]
请参阅图9所示，指出(a)步骤包含(a1)旋转涂布光阻剂；(a2)软烤；(a3)曝光；(a4)软烤；(a5)显影；(a6)软烤及(a7)清洁等制程。
[0076]
请参阅图10所示，指出该(b)步骤及该(e)步骤的真空镀膜制程是在一真空溅射反应镀膜系统30中进行，其主要是以铷(rb)及折射率比铷(rb)高的高折射率材料，如五氧化三钛(ti3o5)、二氧化钛(tio2)、五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o5)、混合膜料(h4)及其混合物等氧化物，作为溅镀的靶材35，制作过程为(a)将干净的基板10放在滚筒31上，使镀膜面朝外；(b)使滚筒31在镀膜腔室32内匀速旋转；(c)当真空度在10-3pa至10-5pa时，开启对应的溅射源33并通氩气，在电场的作用下轰击靶材35使形成离子附着在该基板10上；(d)随着滚筒31的转动，该基板10被带往反应源区域34；(e)反应源区域34通入氧气或氩气，形成等离子，在电场的作用下向该基板10高速运动，最终与该基板10上形成铷(rb)或高折射率材料。
[0077]
其中，该基板10被设置在该滚筒31上，随该滚筒31逆时针转动，转速可调，被镀膜之该基板10先经过靶材35，被沉积一层很薄的铷(rb)膜或高折射率薄膜后，旋转到反应源，被由氧离子和电子等组成的离子化合成所需特性的光学薄膜。控制每一层镀膜的秒数，系可控制每一层镀膜的厚度，时间越久厚度越厚。
[0078]
在制备铷(rb)膜时，通入的氧气占通入氧气和氩气总和的体积百分比为10％至90％，可以制备350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58的薄膜。当使用高折射率材料，通入的氧气占通入氧气和氩气总和的体积百分比为10％至90％，可制备350nm至1100nm的折射率从1.3至2.5逐渐变化，消光系数接近0的高折射率薄膜。
[0079]
本发明所提供的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构及制作方法，可藉由真空镀膜配合光阻屏蔽的制作方式，使得即使是在制作大型基板尺寸时，均匀性达
±
5nm以下，而符合光学规格需求，进而当其应用于环境光感测芯片(ambient light sensor，als)、近接感测芯片(proximity sensor，ps)、rgb温感测芯片及手势感测芯片等光学传感器的感测芯片时，可使反应时间更为快速，相对于同产品颜辨别率及调整灵敏度可大幅提高，更是可大大提升感光对比的亮度呈现。而且，本发明的制作方法，可使形成的uv、r、g、b、ir等像素滤光膜22的厚度在奈米之间，因此可应用于奈米制程技术的科技产品。

技术特征：

1.一种uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，其包括：一基板，为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品中的任一种；以及一滤光层，形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的数个基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的数个像素滤光膜，该像素滤光膜包含一uv像素滤光膜、一r像素滤光膜、一g像素滤光膜、一b像素滤光膜及一ir像素滤光膜中的任意组合，使该像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过。2.如权利要求1所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述uv像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在300nm至400nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率大于50％，其截止带透过率平均低于1％；该r像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm波长范围内形成一通带，该通带中心波长在580nm至740nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率大于55％，其截止带透过率低于1％；该g像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成一通带，该通带中心波长在500nm至565nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率大于55％，其截止带透过率低于1％；该b像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，通过各层不同厚度配置，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该通带中心波长在400nm至500nm，其余截止，该通带中心波长在入射角于0
°
时透过率大于55％，其截止带透过率低于1％；该ir像素滤光膜，是由数层铷层及折射率比铷层高的数层高折射率层相互堆栈形成，使具有在300nm至1100nm的波长范围内形成的一通带，该中心波长在红外800nm至1100nm之波长范围内仅一部份或部分重叠形成一通带，其余截止带透过率低于1％，该通带的中心波长在入射角于0
°
时透过率大于30％。3.如权利要求2所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述像素滤光膜的铷层在350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58，该高折射率层为五氧化三钛、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽混合膜料h4或其混合物，而且该高折射率层在350nm至1100nm的波长范围内的折射率大于1.6，消光系数接近0。4.如权利要求3所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述uv像素滤光膜的结构条件为下表中的任一种情形：
5.如权利要求3所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述r像素滤光膜的结构条件为下表中的任意一种情形：
6.如权利要求3所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述g像素滤光膜的结构条件为下表中的任意一种情形：
7.如权利要求3所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述b像素滤光膜的结构条件为下表中的任意一种情形：
8.如权利要求3所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构，其特征在于，所述ir像素滤光膜的结构条件为下表中的任意一种情形：
9.一种uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(a)于基板上形成光阻屏蔽：于一基板的一侧面上形成一光阻屏蔽，于该光阻屏蔽上欲镀像素滤光膜处设有镂空的数个镀膜区域；(b)真空镀膜：利用真空镀膜方法于该镀膜区域形成由不同厚度的数层铷层及数层高折射率层相互堆栈的数个像素滤光膜；(c)涂布光阻剂：于镀完该像素滤光膜的该光阻屏蔽的镂空镀膜区域上涂布光阻剂，以封住该镂空镀膜区域；(d)蚀刻：利用蚀刻方式于该光阻屏蔽上欲镀复数另一像素滤光膜处形成镂空的复数另一镀膜区域；(e)再次真空镀膜：利用真空镀膜方法于蚀刻形成的该复数另一镀膜区域形成由不同厚度的复数铷层及复数高折射率层相互堆栈的复数另一像素滤光膜；(f)清除光阻屏蔽：清除该光阻屏蔽即完成；以及其中，通过控制(b)步骤及(e)步骤的各层的镀膜厚度，可使最后完成的滤光结构为uv、r、g、b或ir中的任意两种像素滤光膜的组合。10.如权利要求9所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，所述(e)步骤后依需要重覆(c)～(e)步骤，再进行(f)步骤，通过控制(b)步骤及(e)步骤的各层的镀膜厚度，使最后完成的滤光结构为uv、r、g、b或ir中的任意三种或任意多种像素滤光膜的组合。11.如权利要求9或10所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，所述(a)步骤包含(a1)旋转涂布光阻剂；(a2)软烤；(a3)曝光；(a4)软烤；(a5)显影；(a6)软烤及(a7)清洁制程。12.如权利要求9或10所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，所述(b)步骤及该(e)步骤的真空镀膜制程是在真空溅射反应镀膜系统中进行，其主要
是以铷及折射率比铷高的高折射率材料作为溅镀的靶材，制作过程为：(a)将干净的一基板放在一滚筒上，使镀膜面朝外；(b)使该滚筒在一镀膜腔室内匀速旋转；(c)当真空度在10-3pa至10-5pa时，开启对应的靶材并通氩气，在电场的作用下轰击靶材使形成离子附着在该基板上；(d)随着该滚筒的转动，该基板被带往一反应源区域；(e)该反应源区域通入氧气或氩气，以形成等离子，在电场的作用下向该基板高速运动，最终与该基板上形成铷膜或比铷高的高折射率薄膜。13.如权利要求12所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，所述折射率比铷高的高折射率材料为五氧化三钛、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽、混合膜料h4或其混合物中的任意一种。14.如权利要求12所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，所述控制每一层镀膜的秒数能控制每一层镀膜的厚度，时间越久厚度越厚。15.如权利要求12所述的uv、r、g、b、ir之任意组合滤光结构的制作方法，其特征在于，在制备所述铷膜时，通入的氧气占通入氧气和氩气总和的体积百分比为10％至90％，以制备350nm至2000nm波长范围内的折射率为0.25至0.13，消光系数为0.24至5.58的薄膜，当使用高折射率材料，通入的氧气占通入氧气和氩气总和的体积百分比为10％至90％，以制备350nm至1100nm的折射率从1.3至2.5逐渐变化，消光系数接近0的高折射率薄膜。

技术总结

一种UV、R、G、B、IR之其中任意组合滤光结沟，其包括一基板及一滤光层，其中该基板为晶圆半导体感测元件或透光元件的产品，该滤光层形成于该基板的一侧面，由矩阵排列的复数基本单元所组成，每一基本单元包含由真空镀膜方式形成的复数像素滤光膜，该复数像素滤光膜包含UV像素滤光膜、R像素滤光膜、G像素滤光膜、B像素滤光膜或IR像素滤光膜中的任意组合，且使该复数像素滤光膜仅只能供相对应波长的光线通过，而其制作方法则是利用光阻屏蔽与真空镀膜的配合形成；由此可使滤光薄膜均匀性较佳(uniformity