一种电子器件接插件表面处理工艺的制作方法

1.本发明涉及接插件表面处理技术领域，具体为一种电子器件接插件表面处理工艺。

背景技术：

2.接插件也叫连接器。国内也称作接头和插座，一般是指电器接插件。即连接两个有源器件的器件，传输电流或信号。公端与母端经由接触后能够传递讯息或电流，故称之为连接器。
3.金属au是最好的电镀材料。但由于纯金柔软、硬度低，为了提高镀金层硬度，通常加入ni、cu等合金元素，形成au-ni、au-cu等合金镀层。加入合金元素虽然可以起到提高镀层硬度的作用，但必然会导致其电阻增大(纯金的电阻为2.4p)。目前大多数接插件厂家生产的接插件经电镀后，大部分接插件接插端插针与插头插拔几次之后，用肉眼可以明显看见镀金层出现起皮或掉层现象。
4.申请人在申请本发明时，经过检索，发现中国专利公开了“一种提高电火工品接插性能的表面处理方法”，其申请号为“201811092480.3”，该专利主要采用超声波精饰表面处理工艺，使得强酸溶液温度低且处理时间短，不仅不易造成基底的过腐蚀，而且可以对封接件插针表面可以起到去氧化薄膜、提高基材表面光洁度，并具有去除毛刺等功能，对插针表面存在的微小缺陷可以起到整平的作用。然后用去离子水反复清洗，在不引入杂质离子的前提下可以彻底清除插针表面的残留物，保证后续电镀过程中，促进金属au+ 在电极表面均匀形核，晶粒增长速度减缓，不仅可以提高镀层与基底间的结合力，而且所得电镀金层表面光亮、致密，保证了接插件的接插性能；但是该方法仅仅通过化学工艺即超声波精饰表面处理工艺对接插件进行去除氧化膜，其效果不佳，且在电镀金前，未对其进行任何处理，使得镀金层的附着度差。

技术实现要素：

5.（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本发明提供了一种电子器件接插件表面处理工艺，解决了氧化膜的去除效果不佳且镀金层的附着度差的问题。
6.（二）技术方案为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种电子器件接插件表面处理工艺，包括以下步骤：步骤一：打磨处理：将接插件放入打磨机中进行打磨，除去表面的金属氧化物，再将其取出，擦拭干净；步骤二：超声波清洗：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗，将表面的金属氧化物完
全去除；步骤三：初次去离子水清洗：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗，除去其表面附着的金属离子，再将其取出，擦拭干净；步骤四：电镀前处理：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，使金属表面活化；步骤五：电镀处理：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金；步骤六：再次去离子水清洗：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗；步骤七：干燥存储：将上述经过去离子水清洗后的封接件取出，并对其进行真空干燥，自然冷却，并存储。
7.优选的，步骤二中，所述化学溶液是体积浓度为90-100ml/l的硫酸。
8.优选的，步骤二中，所述超声波清洗的清洗温度为30-50℃，时间为1～3min。
9.优选的，步骤四中，所述过氧化氢溶液的体积浓度为25-100ml/l，所述活化处理的温度为20-25℃，时间为1～3min。
10.优选的，所述电镀金的参数为kau（cn）2：1～15g/l、（nh4）3c6h5o7：100～120g/l、ksbc4h4o7·
1/2h2o：0.05～0.3g/l。
11.优选的，步骤六中，所述去离子水清洗的次数若干，清洗时间5min。
12.优选的，步骤七中，所述真空干燥的条件为：在-0.08mpa负压和120-150℃温度条件下对接插件进行真空干燥8-10h。
13.（三）有益效果本发明提供了一种电子器件接插件表面处理工艺。具备以下有益效果：1、通过对接插件进行打磨处理后，再进行超声波清洗，实现物理处理和化学处理的相结合，进而可对接插件外表面的氧化物进行完全去除，效果好。
14.2、通过在对接插件进行镀膜前，进行活化处理，使接插件金属表面活化，促进镀金层的附着度，提高稳定性。
附图说明
15.图1为本发明的工艺流程示意图。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
17.实施例一：
如图1所示，本发明实施例提供一种电子器件接插件表面处理工艺，包括以下步骤：步骤一：打磨处理：由于接插件的表面存在较多的金属氧化物（膜），需要将其去除，具体为：将接插件放入打磨机中进行打磨，除去表面的金属氧化物，再将其取出，擦拭干净；步骤二：超声波清洗：由于物理打磨的方式（即打磨机打磨方式）存在打磨不完善的情况，需要结合化学处理方式将金属氧化物（膜）完全去除，具体为：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗，该化学溶液是体积浓度为90ml/l的硫酸，且超声波清洗的清洗温度为30℃，时间为1min，将表面的金属氧化物完全去除；步骤三：初次去离子水清洗：由于打磨后的接插件表面存在化学溶液附着，需要将其去除，具体为：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗，除去其表面附着的金属离子，再将其取出，擦拭干净；步骤四：电镀前处理：倘若直接对接插件进行镀膜，其效果不佳，易脱落，故需要进行活化处理，提高附着度，具体为：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，该过氧化氢溶液的体积浓度为25ml/l，且活化处理的温度为20℃，时间为1min，使金属表面活化；步骤五：电镀处理：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金，按常规电镀金工艺要求完成（常规镀金参数为kau（cn）2：1～15g/l、（nh4）3c6h5o7：100～120g/l、ksbc4h4o7·
1/2h2o：0.05～0.3g/l）；步骤六：再次去离子水清洗：由于镀膜后的封接件表面会有杂质，需要将其去除，具体为：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗，反复清洗若干次，且每次清洗时间为5min；步骤七：干燥存储：将上述经过去离子水清洗后的封接件取出，并对其进行真空干燥，真空干燥的条件为：在-0.08mpa负压和120℃温度条件下对接插件进行真空干燥8h，自然冷却，并存储。
18.实施例二：如图1所示，本发明实施例提供一种电子器件接插件表面处理工艺，包括以下步骤：步骤一：打磨处理：由于接插件的表面存在较多的金属氧化物（膜），需要将其去除，具体为：将接插件放入打磨机中进行打磨，除去表面的金属氧化物，再将其取出，擦拭干净；步骤二：超声波清洗：由于物理打磨的方式（即打磨机打磨方式）存在打磨不完善的情况，需要结合化学处理方式将金属氧化物（膜）完全去除，具体为：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗，该化学溶液是体积浓度为95ml/l的硫酸，且超声波清洗的清洗温度为40℃，
时间为2min，将表面的金属氧化物完全去除；步骤三：初次去离子水清洗：由于打磨后的接插件表面存在化学溶液附着，需要将其去除，具体为：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗，除去其表面附着的金属离子，再将其取出，擦拭干净；步骤四：电镀前处理：倘若直接对接插件进行镀膜，其效果不佳，易脱落，故需要进行活化处理，提高附着度，具体为：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，该过氧化氢溶液的体积浓度为50ml/l，且活化处理的温度为20℃，时间为2min，使金属表面活化；步骤五：电镀处理：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金，按常规电镀金工艺要求完成（常规镀金参数为kau（cn）2：1～15g/l、（nh4）3c6h5o7：100～120g/l、ksbc4h4o7·
1/2h2o：0.05～0.3g/l）；步骤六：再次去离子水清洗：由于镀膜后的封接件表面会有杂质，需要将其去除，具体为：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗，反复清洗若干次，且每次清洗时间为5min；步骤七：干燥存储：将上述经过去离子水清洗后的封接件取出，并对其进行真空干燥，真空干燥的条件为：在-0.08mpa负压和130℃温度条件下对接插件进行真空干燥9h，自然冷却，并存储。
19.实施例三：如图1所示，本发明实施例提供一种电子器件接插件表面处理工艺，包括以下步骤：步骤一：打磨处理：由于接插件的表面存在较多的金属氧化物（膜），需要将其去除，具体为：将接插件放入打磨机中进行打磨，除去表面的金属氧化物，再将其取出，擦拭干净；步骤二：超声波清洗：由于物理打磨的方式（即打磨机打磨方式）存在打磨不完善的情况，需要结合化学处理方式将金属氧化物（膜）完全去除，具体为：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗，该化学溶液是体积浓度为100ml/l的硫酸，且超声波清洗的清洗温度为50℃，时间为3min，将表面的金属氧化物完全去除；步骤三：初次去离子水清洗：由于打磨后的接插件表面存在化学溶液附着，需要将其去除，具体为：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗，除去其表面附着的金属离子，再将其取出，擦拭干净；步骤四：电镀前处理：倘若直接对接插件进行镀膜，其效果不佳，易脱落，故需要进行活化处理，提高附着度，具体为：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，该过氧化氢溶液的体积浓度为100ml/l，且活化处理的温度为25℃，时间为3min，使金属表面
活化；步骤五：电镀处理：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金，按常规电镀金工艺要求完成（常规镀金参数为kau（cn）2：1～15g/l、（nh4）3c6h5o7：100～120g/l、ksbc4h4o7·
1/2h2o：0.05～0.3g/l）；步骤六：再次去离子水清洗：由于镀膜后的封接件表面会有杂质，需要将其去除，具体为：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗，反复清洗若干次，且每次清洗时间为5min；步骤七：干燥存储：将上述经过去离子水清洗后的封接件取出，并对其进行真空干燥，真空干燥的条件为：在-0.08mpa负压和150℃温度条件下对接插件进行真空干燥10h，自然冷却，并存储。
20.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：打磨处理：将接插件放入打磨机中进行打磨，除去表面的金属氧化物，再将其取出，擦拭干净；步骤二：超声波清洗：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗，将表面的金属氧化物完全去除；步骤三：初次去离子水清洗：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗，除去其表面附着的金属离子，再将其取出，擦拭干净；步骤四：电镀前处理：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，使金属表面活化；步骤五：电镀处理：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金；步骤六：再次去离子水清洗：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗；步骤七：干燥存储：将上述经过去离子水清洗后的封接件取出，并对其进行真空干燥，自然冷却，并存储。2.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤二中，所述化学溶液是体积浓度为90-100ml/l的硫酸。3.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤二中，所述超声波清洗的清洗温度为30-50℃，时间为1～3min。4.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤四中，所述过氧化氢溶液的体积浓度为25-100ml/l，所述活化处理的温度为20-25℃，时间为1～3min。5.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤五中，所述电镀金的参数为kau（cn）2：1～15g/l、（nh4）3c6h5o7：100～120g/l、ksbc4h4o7·
1/2h2o：0.05～0.3g/l。6.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤六中，所述去离子水清洗的次数若干，清洗时间5min。7.根据权利要求1所述的一种电子器件接插件表面处理工艺，其特征在于：步骤七中，所述真空干燥的条件为：在-0.08mpa负压和120-150℃温度条件下对接插件进行真空干燥8-10h。

技术总结

本发明提供一种电子器件接插件表面处理工艺，涉及接插件表面处理技术领域。该电子器件接插件表面处理工艺，包括以下步骤：步骤一：将接插件放入打磨机中进行打磨；步骤二：将上述打磨后的接插件放入化学溶液中进行超声波清洗；步骤三：将上述经过超声波清洗后的封接件放入去离子水中进行清洗；步骤四：将上述经过去离子水清洗后的封接件置于过氧化氢溶液中进行活化处理，使金属表面活化；步骤五：将上述活化后的封接件取出后，进行电镀金；步骤六：将上述电镀后的封接件再次放入去离子水中进行清洗。通过在对接插件进行镀膜前，进行活化处理，使接插件金属表面活化，促进镀金层的附着度，提高稳定性。提高稳定性。提高稳定性。