一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置与流程

1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

2.有机发光二级管(organic light-emitting diode，oled)具有体积小、结构简单、自主发光、亮度高、画质好、可视角度大、功耗低以及响应时间短等优点，因而引起广泛关注，极可能成为取代液晶的下一代显示技术。
3.但是oled的显示屏在切换画面时，亮区和暗区切换至相同灰阶时，会由于晶体管的电滞现象造成短时间内亮度不均，容易出现残影现象，从而严重影响显示效果。

技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。通过减少多晶硅有源层表面凸起的高度，改善阈值电压的漂移，改善短时残影现象。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
6.衬底；
7.位于所述衬底一侧的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；
8.位于所述第一缓冲层远离所述衬底一侧的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；
9.位于所述第二缓冲层远离所述衬底一侧的多晶硅有源层，所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿第一方向，所述凸起的高度为h1，所述多晶硅有源层的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。
10.可选的，所述的阵列基板，沿所述第一方向，所述第一缓冲层的厚度h3满足50nm≤h3≤400nm；
11.沿所述第一方向，所述第二缓冲层的厚度h4满足50nm≤h4≤400nm。
12.可选的，所述阵列基板还包括位于所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层；
13.所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；
14.所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；
15.所述第二金属层包括所述电容的第二极板；
16.所述第三金属层包括所述薄膜晶体管的源级和漏极。
17.第二方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备第一方向所述的阵列基板，所述制备方法包括：
18.提供衬底；
19.在所述衬底一侧制备第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；
20.在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧
化硅；
21.在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，所述多晶硅远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，所述凸起的高度为h1，所述多晶硅有源层的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。
22.可选的，在所述衬底一侧制备第一缓冲层，包括：
23.按照预设气体流量比例输入nh3和sih4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述nh3和所述sih4的气体流量比例为(5-20):1。
24.可选的，在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，包括：
25.按照预设气体流量比例输入n2o和sih4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述n2o和所述sih4的气体流量比例为(20-60):1。
26.可选的，在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，包括：
27.在所述第二缓冲远离所述衬底的一侧制备非晶硅层；
28.采用准分子激光工艺对所述非晶硅进行晶化处理，得到多晶硅层；
29.对所述多晶硅层进行激光退火，得到多晶硅有源层。
30.可选的，所述制备方法还包括：
31.在所述多晶硅有源层远离所述衬底的一侧制备第一绝缘层；
32.在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层；
33.在所述第一金属层远离所述衬底的一侧制备第二绝缘层；
34.在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层；
35.在所述第二金属层远离所述衬底的一侧制备第三绝缘层；
36.在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层；
37.所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；
38.在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层，包括：
39.在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；
40.在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层，包括：
41.在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述电容的第二极板；
42.在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层，包括：
43.在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的源级和漏极。
44.第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板，还包括对置基板；
45.所述对置基板与所述阵列基板对置设置。
46.第四方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。
47.本发明实施例提供的阵列基板，通过在衬底上设置缓冲层包括叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，进一步设置第一缓冲层包括氮化硅，第二缓冲层包括氧化硅，通过调节缓冲层的膜层结构以及膜材，借以调整多晶硅有源层的表面型态，降低多晶硅有源层上表面中凸起的高度，减少凸起捕获的电荷数量，减少阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影现象；进一步的，通过设置多晶硅有源层表面的凸起高度小于多晶硅有源层厚度的一半，可以显著减少阈值电压的漂移，保证阵列基板中薄膜晶体管的阈值一致性，保证显示面板的
显示效果良好。
附图说明
48.为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
49.图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
50.图2是本发明实施例提供的一种多晶硅有源层的结构示意图；
51.图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
52.图4是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
53.图5是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
54.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
55.图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种多晶硅有源层的结构示意图，请结合参考图1和图2，本发明实施例提供的阵列基板100可以包括：
56.衬底110；
57.位于衬底110一侧的第一缓冲层120，第一缓冲层120包括氮化硅；
58.位于第一缓冲层120远离衬底110一侧的第二缓冲层130，第二缓冲层130包括氧化硅；
59.位于第二缓冲层130远离衬底110一侧的多晶硅有源层140，多晶硅有源层140远离衬底110一侧的表面形成有多个凸起a；沿第一方向x，凸起a的高度为h1，多晶硅有源层140的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；第一方向x垂直衬底110所在平面。
60.示例性的，衬底110可以为刚性衬底或者柔性衬底，例如玻璃或者聚酰亚胺，，本发明实施例对衬底110的具体类型不进行限定。。本发明实施例设置第一缓冲层120和第二缓冲层130的材料不同，第一缓冲层120包括氮化硅，第二缓冲层130包括氧化硅。同时，在制备多晶硅有源层140时，多晶硅晶体的改变导致温度会产生剧烈的变化，在晶界处产生凸起a。
61.具体的，缓冲层包括第一缓冲层120和第二缓冲层130，第一缓冲层120位于衬底110一侧，第二缓冲层130位于第一缓冲层120远离衬底110一侧，多晶硅有源层140位于第二缓冲层130远离衬底110一侧，第一缓冲层120和第二缓冲层130起到粘合接下来需要生长的多晶硅有源层140的作用。由于多晶硅的制备是通过对非晶硅晶化处理得到的，在晶化过程中需要经过高温制程，本发明实施例中设置第一缓冲层120包括氮化硅，第二缓冲层130包括氧化硅，通过合理设置缓冲层的膜层结构以及各缓冲层的膜材，保证第一缓冲层120和第二缓冲层130可以缓解多晶硅有源层140制备时温度的剧烈变化，使多晶硅有源层140表面
产生凸起a的高度降低，如果可以降低凸起a捕获的电荷数量，减少阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影现象。
62.具体的，沿垂直衬底110所在平面的第一方向x，凸起a的高度为h1，多晶硅有源层140的厚度为h2，其中，h1≤h2/2。通过实验可以知道，通过设置凸起a的高度h1与多晶硅有源层140的厚度h2满足h1≤h2/2，可以显著减低凸起a捕获的电荷数量，明显减少阈值电压的漂移。
63.具体的，当上述阵列基板100用于显示工作时，由于亮区切换到灰阶和暗区切换到灰阶均存在的电荷跃迁，电荷跃迁过程中被晶界处的凸起a所捕获。由于凸起a的高度降低，电荷捕获的数量减少，减少了阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影效果。
64.综上，本发明实施例提供的阵列基板，通过在衬底上设置缓冲层包括叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，进一步设置第一缓冲层包括氮化硅，第二缓冲层包括氧化硅，通过调节缓冲的膜层结构以及膜材，借以调整多晶硅有源层的表面型态，降低多晶硅有源层上表面中凸起的高度，减少凸起捕获的电荷数量，减少阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影现象；进一步的，通过设置多晶硅有源层表面的凸起高度小于多晶硅有源层厚度的一半，可以显著减少阈值电压的漂移，保证阵列基板中薄膜晶体管的阈值一致性，保证显示面板的显示效果良好。
65.继续参考图1所示，本发明实施例提供的阵列基板100，沿第一方向x，第一缓冲层120的厚度h3满足50nm≤h3≤400nm；
66.沿第一方向x，第二缓冲层130的厚度h4满足50nm≤h4≤400nm。
67.示例性的，发明人经过大量研究发现，第一缓冲层120和第二缓冲层130的厚度对缓解多晶硅有源层140制备时温度的剧烈变化具有重要作用，本发明实施例中通过设置第一缓冲层120沿第一方向x的厚度h3满足50nm≤h3≤400nm，第二缓冲层130的厚度h4满足50nm≤h3≤400nm，保证可以有效降低多晶硅有源层140表面凸起a的高度，改善阈值电压的漂移和短时间的残影效应。
68.具体的，第一缓冲层120的厚度h3满足50nm≤h3≤400nm，沿第一方向x上，可以是h3＝50nm，h3＝400nm或者是h3的厚度在50nm和400nm之间的任一数值。进一步的，第二缓冲层130的厚度h4满足50nm≤h4≤400nm，沿第一方向x上，可以是h4＝50nm，h4＝400nm或者是h4的厚度在50nm和400nm之间的任一数值。本发明实施例对第一缓冲层120和第二缓冲层130具体厚度不做限制。
69.继续参考图1所示，本发明实施例提供的阵列基板100还包括位于多晶硅有源层140远离衬底110一侧的第一绝缘层n1、第一金属层m1、第二绝缘层n2、第二金属层m2、第三绝缘层n3和第三金属层m3；
70.阵列基板100还包括驱动电路150，驱动电路150包括薄膜晶体管151和电容152；
71.第一金属层m1包括薄膜晶体管151的栅极1511和电容152的第一极板1521；
72.第二金属层m2包括电容152的第二极板1522；
73.第三金属层m3包括薄膜晶体管151的源级1512和漏极1513。
74.如图1所示，阵列基板100还包括依次位于多晶硅有源层140远离衬底110一侧的第一绝缘层n1、第一金属层m1、第二绝缘层n2、第二金属层m2、第三绝缘层n3和第三金属层m3。第一绝缘层n1、第二绝缘层n2和第三绝缘n3的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧化铝或者氧化
铪等无机绝缘材料中的至少一种，例如，第一绝缘层n1可以为由氮化硅构成的单层结构、由氧化硅构成的单层结构、还可以为由氮化硅层、氧化硅层、氧化铝或者氧化铪等构成的多层结构。第一金属层m1、第二金属层m2和第三金属层m3的材料可以是导电金属或合金。
75.进一步的，阵列基板100还包括驱动电路150，驱动电路150包括薄膜晶体管151和电容152。薄膜晶体管151包括栅极1511、源级1512和漏极1513。电容152包括第一极板1521和第二极板1522。具体的，如图1所示，第一金属层m1包括薄膜晶体管151的栅极1511和电容152的第一极板1521。栅极1511和电容152的第一极板1521同层设置且采用相同材料在同一工艺中制备得到，保证驱动电路设置方式简单，保证阵列基板膜层结构简单。示例性的，第一金属层m1材料可以包括au、ag、cu、ni、pt、pd、al、mo、w和ti中的至少一种，或者可以利用诸如al-nd合金和mo-w合金等的金属合金形成，但不限于此。同时可以在考虑诸如与相邻层的粘附性、平坦化、电阻或可形成性等性质或特性的情况下，利用各种材料形成，本发明实施例对第一金属层m1的材料不进行限定。第二金属层m2包括电容152的第二极板1522，第一极板1521和第二极板1522构成电容152，维持驱动电路中驱动晶体管的栅极电位稳定。第三金属层m3包括薄膜晶体管151的源级1512和漏极1513，源级1512和漏极1513同层设置。示例性的源极1512和漏极1513的材料可以为导电材料，例如可以为cr、pt、ru、au、ag、mo、al、w、cu和/或alnd的金属，或包括ti-al-ti等合金，本发明实施例对此不进行限定。
76.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备上述实施例所述的阵列基板。图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图，如图3所示，本发明实施例提供的阵列基板的制备方法包括：
77.s110、提供衬底；
78.示例性的，衬底的材料可以为刚性衬底或者柔性衬底，例如玻璃或者聚酰亚胺，本发明实施例对衬底的具体类型不进行限定。
79.s120、在所述衬底一侧制备第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅。
80.示例性的，在衬底上制备第一缓冲层，第一缓冲层包括氮化硅。可以通过在衬底上沉积第一缓冲层材料的方法制备第一缓冲层，制备方法可以是物理气相沉积、真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜及分子束外延等。
81.s130、在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅。
82.示例性的，在第一缓冲层远离衬底的一侧制备第二缓冲层，第二缓冲层包括氧化硅。可以通过在衬底上沉积第一缓冲层材料的方法制备缓冲层，制备方法可以是物理气相沉积、真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜及分子束外延等。
83.s140、在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，所述多晶硅远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，所述凸起的高度为h1，所述多晶硅有源层的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。
84.示例性的，在第二缓冲层远离衬底的一侧制备多晶硅有源层。多晶硅可以通过激光熔融技术将非晶硅转化成多晶硅的方法得到。在制备多晶硅有源层时，多晶硅有源层在远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起。控制沿第一方向x，凸起的厚度h1与多晶硅有源层的厚度h2满足h1≤h2/2。
85.综上，通过在衬底上制备叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，进一步设置第一
缓冲层包括氮化硅，第二缓冲层包括氧化硅，通过调节缓冲层的膜层结构以及膜材，借以调整多晶硅有源层的表面型态，降低多晶硅有源层上表面中凸起的高度，减少凸起捕获的电荷数量，减少阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影现象；进一步的，通过设置多晶硅有源层表面的凸起高度小于多晶硅有源层厚度的一半，可以显著减少阈值电压的漂移，保证阵列基板中薄膜晶体管的阈值一致性，保证显示面板的显示效果良好。
86.可选的，在衬底一侧制备第一缓冲层，包括：
87.按照预设气体流量比例输入nh3和sih4，以在衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，nh3和sih4的气体流量比例为(5-20):1。
88.示例性的，第一缓冲层在制备过程中按照预设的气体流量比例输入nh3和sih4，其中，nh3和sih4的气体流量比例为(5-20):1，例如可以是nh3和sih4的气体流量比例为5:1，还可以是nh3和sih4的气体流量比例为20:1或者nh3和sih4的气体流量比例为y:1(y为5至20中任一数值)。示例性的，当nh3和sih4的气体流量比例为5:1时，nh3的气体通入10000m-3
/min时，sih4的气体通入2000m-3
/min。
89.进一步的，通过合理设置nh3和sih4的气体通入时间，可以调节第一缓冲的厚度，例如，第一缓冲层的厚度可以为50nm-400nm。
90.可选的，在第一缓冲层远离衬底的一侧制备第二缓冲层，包括：
91.按照预设气体流量比例输入n2o和sih4，以在衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，n2o和sih4的气体流量比例为(20-60):1。
92.示例性的，第二缓冲层在制备过程中按照预设的气体流量比例输入n2o和sih4，其中，n2o和sih4的气体流量比例为(20-60):1，例如可以是n2o和sih4的气体流量比例为20:1，还可以是n2o和sih4的气体流量比例为60:1或者n2o和sih4的气体流量比例为z:1(z为20至60中任一数值)。示例性的，当n2o和sih4的气体流量比例为20:1时，nh3的气体通入10000m-3
/min时，sih4的气体通入500m-3
/min。
93.进一步的，通过合理设置n2o和sih4的气体通入时间，可以调节第二缓冲的厚度，例如，第二缓冲层的厚度可以为50nm-400nm。
94.可选的，在第二缓冲层远离衬底的一侧制备多晶硅有源层，包括：
95.在第二缓冲远离衬底的一侧制备非晶硅层；
96.采用准分子激光工艺对非晶硅进行晶化处理，得到多晶硅层；
97.对多晶硅层进行激光退火，得到多晶硅有源层。
98.示例性的，第二缓冲层远离衬底的一侧制备多晶硅有源层，首先需要在第二缓冲远离衬底的一侧制备非晶硅层，之后可以采用准分子激光工艺对非晶硅进行晶化处理，得到多晶硅层。最后对多晶硅层进行激光退火处理，制备多晶硅氧化层，保证多晶体有源层性能稳定。
99.可选的，阵列基板的制备方法还包括：
100.在多晶硅有源层远离衬底的一侧制备第一绝缘层；
101.在第一绝缘层远离衬底的一侧制备第一金属层；
102.在第一金属层远离衬底的一侧制备第二绝缘层；
103.在第二绝缘层远离衬底的一侧制备第二金属层；
104.在第二金属层远离衬底的一侧制备第三绝缘层；
105.在第三绝缘层远离衬底的一侧制备第三金属层；
106.阵列基板还包括驱动电路，驱动电路包括薄膜晶体管和电容；
107.进一步的，在第一绝缘层远离衬底的一侧制备第一金属层，包括：
108.在第一绝缘层远离衬底的一侧制备薄膜晶体管的栅极和电容的第一极板；
109.在第二绝缘层远离衬底的一侧制备第二金属层，包括：
110.在第二绝缘层远离衬底的一侧制备电容的第二极板；
111.在第三绝缘层远离衬底的一侧制备第三金属层，包括：
112.在第三绝缘层远离衬底的一侧制备薄膜晶体管的源级和漏极。
113.示例性的，在多晶硅有源层远离衬底的一侧逐层制备绝缘层和金属层。绝缘层可以为由氮化硅构成的单层结构、由氧化硅构成的单层结构、还可以为由氮化硅层、氧化硅层、氧化铝或者氧化铪等构成的多层结构。金属层可以由导电性良好的材料制备得到。
114.阵列基板还包括驱动电路，驱动电路包括薄膜晶体管和电容。不同金属层之间可以构成薄膜晶体管和电容结构。例如第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和电容的第一极板；第二金属层包括电容的第二极板；第三金属层包括薄膜晶体管的源级和漏极。
115.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，显示面板包括上述实施例所述的阵列基板。具体的，图4是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图4所示，显示面板包括阵列基板100，还包括对置基板200；
116.对置基板200与阵列基板100对置设置。
117.其中，显示面板10包括阵列基板100和对置基板200。对置基板200与阵列基板100对置设置。因此本发明实施例提供的显示面板10包括的阵列基板100也具备阵列基板100所描述的有益效果，此处不再赘述。
118.显示面板10还包括位于第三金属层m3远离衬底110一侧的发光元件，发光元件具体可以包括位于第三金属层m3远离衬底110一侧的阳极160，位于阳极160远离衬底110一侧的发光层170，位于发光层170远离衬底110一侧的阴极180。
119.对置基板200还包括至少一个间隔物210，位于对置基板200上靠近阵列基板100一侧，用于支撑对置基板200。
120.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述实施例所述的显示面板。具体的，图5是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图5所示，一种显示装置1，包括显示面板10。
121.因此，本发明实施例提供的显示装置1具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置1可以为图5所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。。
122.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。
因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；位于所述第一缓冲层远离所述衬底一侧的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；位于所述第二缓冲层远离所述衬底一侧的多晶硅有源层，所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿第一方向，所述凸起的高度为h1，所述多晶硅有源层的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一缓冲层的厚度h3满足50nm≤h3≤400nm；沿所述第一方向，所述第二缓冲层的厚度h4满足50nm≤h4≤400nm。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层；所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；所述第二金属层包括所述电容的第二极板；所述第三金属层包括所述薄膜晶体管的源级和漏极。4.一种阵列基板的制备方法，用于制备权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底一侧制备第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，所述多晶硅远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，所述凸起的高度为h1，所述多晶硅有源层的厚度为h2，其中，h1≤h2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧制备第一缓冲层，包括：按照预设气体流量比例输入nh3和sih4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述nh3和所述sih4的气体流量比例为(5-20):1。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，包括：按照预设气体流量比例输入n2o和sih4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述n2o和所述sih4的气体流量比例为(20-60):1。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，包括：在所述第二缓冲远离所述衬底的一侧制备非晶硅层；采用准分子激光工艺对所述非晶硅进行晶化处理，得到多晶硅层；对所述多晶硅层进行激光退火，得到多晶硅有源层。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述多晶硅有源层远离所述衬底的一侧制备第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层；在所述第一金属层远离所述衬底的一侧制备第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层；在所述第二金属层远离所述衬底的一侧制备第三绝缘层；在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层；所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层，包括：在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层，包括：在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述电容的第二极板；在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层，包括：在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的源级和漏极。9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的阵列基板，还包括对置基板；所述对置基板与所述阵列基板对置设置。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

技术总结

本发明实施例公开了一种阵列基板，包括：衬底；位于衬底一侧的第一缓冲层，第一缓冲层包括氮化硅；位于第一缓冲层远离衬底一侧的第二缓冲层，第二缓冲层包括氧化硅；位于第二缓冲层远离衬底一侧的多晶硅有源层，多晶硅有源层远离衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，凸起的高度为H1，多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；第一方向垂直衬底所在平面。由于在多晶硅有源层制备过程中由于热量急速的变化会产生凸起引起阈值电压漂移，本发明实施例提供的阵列基板，通过设置缓冲层包括叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，避免多晶硅有源层制备过程中热量的急速变化，可减少凸起的高度，可以改善阈值电压的漂移，具有改善短时残影的效果。短时残影的效果。短时残影的效果。