发光芯片打件偏差的打印头的制作方法

1.本实用新型属于光感应打印技术领域，特别涉及一种可调节发光芯片打件偏差的打印头。

背景技术：

2.目前，光感应打印技术使用的光源主要有激光及发光组件数组两种。前者需要配合高速旋转的多角棱镜进行扫描，结构较为复杂；后者可选择性控制发光组件数组中对应需曝光位置的发光组件点亮，无需复杂的结构，因而视为潮流。
3.然而，发光组件数组往往需由多个发光模块组合而成，若发光模块彼此间的位置与预定位置存有偏差，将影响打印点的分布均匀度。当发生上述问题时，使用者可能选择将文件取出，而后转换一个方向重新放入馈纸机构，但非常浪费时间。或者，因为懒得重新放置文件，而选择歪头观看，但在确认上不仅不够清楚也不方便，而且也会造成颈椎不适。因此，确实有待进一步提出较佳的解决方案。

技术实现要素：

4.为解决上述问题，本实用新型提出一种发光芯片打件偏差的打印头，以解决当发光芯片打件偏差发生时的问题，从而可调节发光点位置，以使打印点能分布均匀。
5.可调节发光芯片打件偏差的打印头包括基板及多个发光芯片。发光芯片沿轴线排列于基板并于轴线的两侧交错间隔设置。各发光芯片包括平行于轴线线性排列的多个常规发光组件。发光芯片中两两相邻的第一芯片的与第二芯片分别具有相邻端。第一芯片还包括位于相邻端且接续常规发光组件线性排列的至少一个第一备用发光组件。若第一芯片与第二芯片均位于目标打件位置，第一芯片的第一备用发光组件分别与第二芯片的位于相邻端的前n个常规发光组件两两成组彼此相对，且每个第一备用发光组件被配置为禁止发光，n相当于第一备用发光组件的数量。
6.在一些实施例中，第二芯片还包括位于相邻端且接续常规发光组件线性排列的至少一个第二备用发光组件。若第一芯片与第二芯片均位于目标打件位置，第二芯片的第二备用发光组件分别与第一芯片的位于相邻端的前m个常规发光组件两两成组彼此相对，且每个第二备用发光组件被配置为禁止发光，m相当于第二备用发光组件的数量。
7.在一些实施例中，常规发光组件及备用发光组件以相同的相邻间距排列。
8.在一些实施例中，宽度打件区间为相邻间距的0.4至1.6倍的范围。
9.在一些实施例中，发光芯片打件偏差的调节方法还包括：判断横向间距是否位于低宽度子区间；以及若横向间距位于低于标准子区间的低宽度子区间，缩短第二芯片的位于相邻端的第一常规发光组件的发光时间。
10.在一些实施例中，低宽度子区间为相邻间距的0.4至0.5倍的范围。
11.在一些实施例中，发光芯片打件偏差的调节方法还包括：判断横向间距是否位于高宽度子区间；以及若横向间距位于高于标准子区间的高宽度子区间，延长第二芯片的位
于相邻端的第一常规发光组件的发光时间。
12.在一些实施例中，高宽度子区间为相邻间距的1.5至1.6倍的范围。
13.在一些实施例中，若横向间距高于宽度打件区间，设定第一芯片与第二芯片的常规发光组件相对的第一备用发光组件为禁止发光；设定第一芯片的不与第二芯片的常规发光组件相对的第一备用发光组件为常规发光；及设定第二芯片的每个第二备用发光组件为禁止发光。
14.在一些实施例中，若横向间距高于宽度打件区间，设定第一芯片的每个第一备用发光组件为禁止发光；设定第二芯片与第一芯片的常规发光组件相对的第二备用发光组件为禁止发光；及设定第二芯片的不与第一芯片的常规发光组件相对的第二备用发光组件为常规发光。
15.在一些实施例中，横向间距位于相邻间距的1.6至2倍的范围。
16.在一些实施例中，若横向间距低于宽度打件区间，设定第一芯片的每个第一备用发光组件及第二芯片的每个第二备用发光组件为禁止发光，且设定第二芯片的位于相邻端且与第一芯片的常规发光组件相对的常规发光组件为禁止发光。
17.在一些实施例中，若横向间距低于宽度打件区间，设定第一芯片的每个第一备用发光组件及第二芯片的每个第二备用发光组件为禁止发光，且设定第一芯片的位于相邻端且与第二芯片的常规发光组件相对的常规发光组件为禁止发光。
18.在一些实施例中，横向间距小于相邻间距的0.4倍。
19.综上所述，本实用新型实施例提出的发光芯片打件偏差的打印头，能在发光芯片发生打件偏差时设定特定的发光单元为常规发光或禁止发光，也能通过控制发光时间来调节微幅的打件偏差，使得打印头的曝光能够均匀，提高打印清晰度。并且，调节步骤精要且便利。
20.为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并结合附图，作详细说明如下。
附图说明
21.下面将结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明。
22.图1为本实用新型一种实施例的打印头的使用状态示意图；
23.图2为本实用新型一种实施例的发光模块的示意图；
24.图3为本实用新型一种实施例的打印头的方块示意图；
25.图4为本实用新型一种实施例的控制信号示意图；
26.图5为本实用新型一种实施例的移位电路示意图；
27.图6a为本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片位于目标打件位置的示意图；
28.图6b为本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片发生外扩偏移的示意图；
29.图6c为本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片发生内缩偏移的示意图；
30.图6d为本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片发生内缩偏移的另一
种示意图；
31.图7a为本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片位于目标打件位置的示意图；
32.图7b为本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片发生外扩偏移的示意图；
33.图7c为本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片发生内缩偏移的示意图；
34.图7d为本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片发生内缩偏移的另一种示意图；
35.图8a为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片位于目标打件位置的示意图；
36.图8b为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片发生外扩偏移的示意图；
37.图8c为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片发生外扩偏移的另一种示意图；
38.图8d为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片发生内缩偏移的示意图；
39.图8e为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片发生内缩偏移的另一种示意图；
40.图9a为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片位于目标打件位置的示意图；
41.图9b为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片发生外扩偏移的示意图；
42.图9c为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片发生外扩偏移的另一种示意图；
43.图9d为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片发生内缩偏移的示意图；
44.图9e为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片发生内缩偏移的另一种示意图；
45.图10a为本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片位于目标打件位置的示意图；
46.图10b为本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片发生外扩偏移的示意图；
47.图10c为本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片发生外扩偏移的另一种示意图；
48.图10d为本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片发生内缩偏移的示意图；
49.图10e为本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片发生内缩偏移的另一种示意图；
50.图11为本实用新型一种实施例的发光芯片打件偏差的调节方法的流程图；
51.图12为本实用新型一种实施例的发光芯片打件偏差的调节方法的另一种流程图。
52.附图标号说明：
53.100：感光鼓；
54.200：透镜数组；
55.210：透镜单元；
56.300：发光模块；
57.310：发光芯片；
58.310a：第一芯片；
59.310b：第二芯片；
60.311：发光单元；
61.312：相邻端；
62.313a：第一常规发光组件；
63.313b：第二常规发光组件；
64.314a：第一备用发光组件；
65.314b：第二备用发光组件；
66.320：轴线；
67.330：基板；
68.400：驱动电路；
69.d：相邻间距；
70.d：横向间距；
71.t：闸流体；
72.vcc：电源信号线；
73.gnd：接地信号线；
74.第一移位信号线；
75.第二移位信号线；
76.s510，s520，s530，s540，s550，s560：步骤；
77.s531～s533：步骤。
具体实施方式
78.以下是对实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本实用新型要保护的范围。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的组件做说明。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考所附图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本实用新型。
79.以下将结合附图揭示本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用于限制本案。也就是说，在本案部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些本领域常规的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示。
80.参照图1，是本实用新型一种实施例的打印头的使用状态示意图。打印头可设置于
打印装置中，如打印机、复印机等。打印头包含发光模块300与透镜数组200，用以朝向感光鼓100输出光。感光鼓100接收光线之处将产生光电效应而可吸附碳粉，因此可打印文件。
81.参照图2，是本实用新型一种实施例的发光模块300的示意图。发光模块300包含多个发光芯片310及基板330。发光芯片310沿轴线320排列于基板330并在轴线320的两侧交错间隔设置，其中各发光芯片310包括平行于轴线320排列的多个发光单元311。这些发光单元311位于发光芯片310上靠近于邻近轴线320的一侧。在本实施例中，发光单元311为发光闸流体，但本实用新型不以此为限，也可能是如发光二极管等发光器件。发光芯片310呈长方形，这些发光单元311沿所在发光芯片310的长轴成串排列。在此，发光模块300呈长方形，轴线320平行于发光模块300的长轴方向。
82.再次参照图1，透镜数组200包含多个透镜单元210，对应于发光单元311成两列排列，以对应接收发光单元311输出的光(如图中箭头示意)。以此，可校准光线而输出至感光鼓100(如图中箭头示意)。在此，虽然发光芯片310设置于发光模块300的长轴两侧，然而整体来看，对感光鼓100的曝光为直线。换言之，不仅各发光芯片310上的发光单元311是以打印分辨率的密度成串排列；整体来看，这些发光芯片310的发光单元311也是以对应于打印分辨率的密度成串排列。也就是说，发光单元311之间的密度(发光芯片310的长轴方向)为单位长度内的发光单元311数量，一般常以每一英吋的点数量(dots per inch，dpi)为单位。举例来说，以打印600dpi的a4尺寸纸张为例。因为打印尺寸的不同，发光模块300上的发光芯片310的数量不同。例如，600dpi的打印分辨率的发光模块300具有20个发光芯片310。在一些实施例中，因为打印纸张尺寸a4、a3、a1的不同，一个发光模块300上具有10至60个发光芯片310。相似地，根据点亮控制方法的不同，发光芯片310上的发光单元311的数量不同。在一些实施例中，一个发光芯片310上具有200至300个发光单元311。
83.参照图3，是为本实用新型一种实施例的打印头的方块示意图。打印头还包含驱动电路400。驱动电路400连接于发光模块300中各个发光芯片310的发光单元311，以此驱动发光单元311循序点亮。同时参照图4及图5，图4为本实用新型一种实施例的控制信号示意图，图5为本实用新型一种实施例的移位电路示意图。发光芯片310具有移位电路。换言之，移位电路是集成在集成电路上。移位电路包含电源信号线vcc、接地信号线gnd、第一移位信号线φ1及第二移位信号线φ2，与驱动电路400连接，而接收驱动电路400通过这些信号线传送的控制信号，以此控制发光单元311点亮。详细的工作原理请参照我国公告第i688841号专利。
84.参照图6a，是本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片310位于目标打件位置(即工程设计时预计摆放的位置)的示意图。发光芯片310中两两相邻的第一芯片310a与第二芯片310b分别具有相邻端312。前述成串排列的发光单元311包括连续排列的多个常规发光组件，即同一发光芯片310上的常规发光组件平行于轴线320线性排列。为了便于区分，之后将位于第一芯片310a的常规发光组件称为「第一常规发光组件313a」，将位于第二芯片310b的常规发光组件称为「第二常规发光组件313b」。第一芯片310a还包括位于相邻端312且接续第一常规发光组件313a线性排列的至少一个备用发光组件(之后称「第一备用发光组件314a」)。在本实施方式中，第一备用发光组件314a为一个。
85.在本文中，常规发光组件(图中以实线方块呈现)与备用发光组件(图中以虚线方块呈现)可以是结构相同的组件。在本文中，若没有特别说明，常规发光组件默认为常规发
光，备用发光组件默认为禁止发光。常规发光(图中以无填方块呈现)是指可以作为打印点的感光光源，在需要打印出数据点时可点亮，在不需打印出数据点时则不点亮。禁止发光(图中以填方块呈现)是指不作为打印点的感光光源，不论是否需要打印出数据点均不点亮。这些发光芯片310上的常规发光组件及备用发光组件构成了前述发光单元311。后文将再进一步说明如何调节各个常规发光组件与备用发光组件应设定为禁止发光或为常规发光。
86.若第一芯片310a与第二芯片310b均位于目标打件位置，第一芯片310a的第一备用发光组件314a分别与第二芯片310b的位于相邻端312的前n个第二常规发光组件313b两两成组彼此相对，n相当于第一备用发光组件314a的数量(即n≥1)。在此实施方式中，如图6a所示，n为1。在每一对成组相对的两个发光组件中，其中一个被配置为禁止发光，另一个被配置为常规发光，使得各个数据点位置能被均匀曝光。
87.同一发光芯片310上的常规发光组件及备用发光组件以相同的相邻间距d排列。第一芯片310a的位于相邻端312的第一个常规发光组件与第二芯片310b的位于相邻端312的第一个常规发光组件(即第一个第一常规发光组件313a与第一个第二常规发光组件313b)在轴线320的垂直投影具有横向间距d。若第一芯片310a与第二芯片310b均位于目标打件位置，横向间距d实质等同于相邻间距d。在一些实施例中，若打印分辨率为600dpi，横向间距d为42.3微米；若打印分辨率为1200dpi，横向间距d为21.15微米。
88.参照图6b，是本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的示意图。对照图6a与图6b，相较于图6a的目标打件位置，图6b中第一芯片310a与第二芯片310b较远离彼此，即第一芯片310a与第二芯片310b彼此重叠区域较少。参照图6c，是为本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的示意图。对照图6a与图6c，相较于图6a的目标打件位置，图6c中第一芯片310a与第二芯片310b较接近彼此，即第一芯片310a与第二芯片310b彼此重叠区域较多。以下将说明如何调节此两种情形的发光芯片310打件偏差，使得各个数据点位置能被均匀曝光。
89.参照图11，是本实用新型一种实施例的发光芯片打件偏差的调节方法的流程图。在将发光芯片310打件至基板330上之后，可执行发光芯片打件偏差的调节方法。首先，测量第一芯片310a的位于相邻端312的第一个常规发光组件与第二芯片310b的位于相邻端312的第一个常规发光组件(即第一个第一常规发光组件313a与第一个第二常规发光组件313b)在轴线320的垂直投影之间的横向间距d(步骤s510)。在一些实施例中，可通过机器视觉测量技术来测量，通过显微镜相机来拍摄影像，并测量影像中的横向间距d的数值。进一步地，判断横向间距d是否位于宽度打件区间(步骤s520)。若是，则代表偏差在容许范围内，因此仍让备用发光组件维持不使用的状态，将第一芯片310a的第一备用发光组件314a设定为禁止发光(步骤s530)。若否，则判断横向间距d是低于或高于宽度打件区间(步骤s540)。
90.图6b为第一实施方式的发光芯片310发生横向间距d高于宽度打件区间的情形(外扩偏移)。为了利于调节，可仅调节轴线320一侧的发光芯片310。如图6b所示，在步骤s550中，因第二芯片310b不具有备用发光组件，而调节第一芯片310a。具体来说，若第一备用发光组件314a是与第二常规发光组件313b相对，则设定为禁止发光；若第一备用发光组件314a是不与第二常规发光组件313b相对，则设定为常规发光。在第一实施方式中，第一芯片310a在相邻端312仅有一个第一备用发光组件314a，且所述第一备用发光组件314a没有相
对于第二常规发光组件313b，因此设定第一备用发光组件314a为常规发光。
91.图6c为第一实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。为了利于调节，可仅调节轴线320一侧的发光芯片310。如图6c所示，在步骤s560中，调节第一芯片310a。具体来说，设定第一备用发光组件314a为禁止发光，并且将第一芯片310a的位于相邻端312且与第二芯片310b的第二常规发光组件313b相对的第一常规发光组件313a设定为禁止发光。
92.参照图6d，是本实用新型一种实施例的第一实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的另一种示意图。图6d和图6c相同，也是第一实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。图6d是示意步骤s560的另一种实现方式，是改为将第二芯片310b的位于相邻端312且与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二常规发光组件313b设定为禁止发光，而第一备用发光组件314a仍设定为禁止发光。
93.在一些实施例中，宽度打件区间为相邻间距d的0.4至1.6倍的范围。高于宽度打件区间的横向间距d位于相邻间距d的1.6至2倍的范围。低于宽度打件区间的横向间距d小于相邻间距d的0.4倍。
94.参照图7a，是本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片310位于目标打件位置的示意图。与第一实施方式的差异在于，第二实施方式的第一芯片310a的位于相邻端312的第一备用发光组件314a的数量为两个。也就是说，第一芯片310a的两个第一备用发光组件314a分别与第二芯片310b的位于相邻端312的前n个第二常规发光组件313b两两成组彼此相对，n＝2。
95.参照图7b，是本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的示意图。在步骤s550中，因第二芯片310b不具有备用发光组件，故对第一芯片310a的备用发光芯片进行设定。具体来说，由于第一个第一备用发光组件314a与第二常规发光组件313b相对，因此设定为禁止发光；而第二个第一备用发光组件314a没有与第二常规发光组件313b相对，因此设定为常规发光。
96.参照图7c，是本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的示意图。在步骤s560中，设定第一备用发光组件314a为禁止发光，并且将第一芯片310a的位于相邻端312且与第二芯片310b的第二常规发光组件313b相对的第一常规发光组件313a设定为禁止发光。
97.参照图7d，是本实用新型一种实施例的第二实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的另一种示意图。图7d和图7c相同，也是第二实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。图7d是示意步骤s560的另一种实现方式，改为将第二芯片310b的位于相邻端312且与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二常规发光组件313b设定为禁止发光，而每一个第一备用发光组件314a仍设定为禁止发光。
98.前述第一与第二实施方式说明了两两相邻的发光芯片310的其中之一具有备用发光组件的情形，以下将以几个实施方式来举例说明两两相邻的发光芯片310均具有备用发光组件的情形。
99.在一些实施例中，除了第一芯片310a包括第一备用发光组件314a之外，第二芯片310b也包括位于相邻端312且接续第二常规发光组件313b线性排列的至少一个第二备用发光组件314b。若第一芯片310a与第二芯片310b均位于目标打件位置，第一芯片310a的第一
备用发光组件314a分别与第二芯片310b的位于相邻端312的前n个第二常规发光组件313b两两成组彼此相对，第二芯片310b的第二备用发光组件314b分别与第一芯片310a的位于相邻端312的前m个第一常规发光组件313a两两成组彼此相对，且每个第二备用发光组件314b被配置为禁止发光，m相当于第二备用发光组件314b的数量。换言之，若第一芯片310a与第二芯片310b均位于目标打件位置，第一芯片310a与第二芯片310b的位于相邻端312的前n+m个发光单元311两两成组彼此相对，n+m≥1(前述第一及第二实施方式为n+m＝1；后续说明的实施方式例示n+m≥2)。在每对成组相对的两个发光组件中，其中一个被配置为禁止发光，另一个被配置为常规发光，使得各个数据点位置能被均匀曝光。
100.参照图8a，是本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片310位于目标打件位置的示意图。与第一实施方式的差异在于，第三实施方式的第二芯片310b具有位于相邻端312的一个备用发光组件(即m＝1)。
101.参照图8b，是本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的示意图。在步骤s550中，由于第一芯片310a的第一备用发光组件314a没有与第二常规发光组件313b相对，因此设定为常规发光，并且设定第二芯片310b的第二备用发光组件314b为禁止发光。
102.在一些实施例中，是将第一备用发光组件314a设定为禁止发光，并将没有与第一常规发光组件313a相对的第二备用发光组件314b设定为常规发光。如图8c所示，是为本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的另一种示意图。
103.参照图8d，是本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的示意图。在步骤s560中，设定第一备用发光组件314a及第二备用发光组件314b为禁止发光，并且将第一芯片310a的位于相邻端312且与第二芯片310b的第二常规发光组件313b相对的第一常规发光组件313a设定为禁止发光。
104.参照图8e，是本实用新型一种实施例的第三实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的另一种示意图。图8e和图8d相同，也是第三实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。图8e是示意步骤s560的另一种实现方式，改为将第二芯片310b的位于相邻端312且与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二常规发光组件313b设定为禁止发光，而第一备用发光组件314a及第二备用发光组件314b仍设定为禁止发光。
105.参照图9a，是本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片310位于目标打件位置的示意图。与第三实施方式的差异在于，第四实施方式的第二芯片310b的位于相邻端312的第二备用发光组件314b的数量为两个(即m＝2)。
106.参照图9b，是本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的示意图。在步骤s550中，由于第一芯片310a的第一备用发光组件314a没有与第二常规发光组件313b相对，因此设定为常规发光，并且设定第二芯片310b的每个第二备用发光组件314b为禁止发光。
107.在一些实施例中，是将第一备用发光组件314a设定为禁止发光，并将与第一常规发光组件313a相对的第一个第二备用发光组件314b设定为禁止发光，且将没有与第一常规发光组件313a相对的第二个第二备用发光组件314b设定为常规发光。如图9c所示，是为本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的另一种示意图。
108.参照图9d，是本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的示意图。在步骤s560中，设定第一备用发光组件314a及每个第二备用发光组件314b为禁止发光，并且将第一芯片310a的位于相邻端312且与第二芯片310b的第二常规发光组件313b相对的第一常规发光组件313a设定为禁止发光。
109.参照图9e，是本实用新型一种实施例的第四实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的另一种示意图。图9e和图9d相同，也是第四实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。图9e是示意步骤s560的另一种实现方式，改为将第二芯片310b的位于相邻端312且与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二常规发光组件313b设定为禁止发光，而第一备用发光组件314a及每个第二备用发光组件314b仍设定为禁止发光。
110.参照图10a，是本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片310位于目标打件位置的示意图。与第四实施方式的差异在于，第五实施方式的第一芯片310a的位于相邻端312的第一备用发光组件314a的数量为两个(即n＝2)。
111.参照图10b，是本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的示意图。在步骤s550中，由于第一芯片310a的第一个第一备用发光组件314a与第二常规发光组件313b相对，因此设定为禁止发光；而第一芯片310a的第二个第一备用发光组件314a没有与第二常规发光组件313b相对，因此设定为常规发光；并且设定第二芯片310b的每个第二备用发光组件314b为禁止发光。
112.在一些实施例中，是将每个第一备用发光组件314a设定为禁止发光，并将与第一常规发光组件313a相对的第一个第二备用发光组件314b设定为禁止发光，且将没有与第一常规发光组件313a相对的第二个第二备用发光组件314b设定为常规发光。如图10c所示，是本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片310发生外扩偏移的另一种示意图。换言之，第一芯片310a的每个第一备用发光组件314a被配置为禁止发光，第二芯片310b的与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二备用发光组件314b被配置为禁止发光，且第二芯片310b的不与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二备用发光组件314b被配置为常规发光。
113.参照图10d，是本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的示意图。在步骤s560中，设定每个第一备用发光组件314a及每个第二备用发光组件314b为禁止发光，并且将第一芯片310a的位于相邻端312且与第二芯片310b的第二常规发光组件313b相对的第一常规发光组件313a设定为禁止发光。
114.参照图10e，是本实用新型一种实施例的第五实施方式的发光芯片310发生内缩偏移的另一种示意图。图10e和图10d相同，也是第五实施方式的发光芯片310发生横向间距d低于宽度打件区间的情形(内缩偏移)。图10e是示意步骤s560的另一种实现方式，改为将第二芯片310b的位于相邻端312且与第一芯片310a的第一常规发光组件313a相对的第二常规发光组件313b设定为禁止发光，而每个第一备用发光组件314a及每个第二备用发光组件314b仍设定为禁止发光。
115.参照图12，是本实用新型一种实施例的发光芯片打件偏差的调节方法的另一种流程图。在一些实施例中，当横向间距d位于宽度打件区间，可执行如图12所示的流程，根据偏移的程度来调节曝光时间。当曝光时间延长，可增加碳粉吸附的数量；当曝光时间缩短，可
减少碳粉吸附的数量。因此，在执行步骤s530之后或者在步骤s520与步骤s530之间可执行下列步骤，图12是以在步骤s530之后执行为例。宽度打件区间可定义成三个子区间，分别为低宽度子区间、标准子区间及高宽度子区间。其中，高宽度子区间高于标准子区间，低宽度子区间低于标准子区间。在步骤s531中，判断横向间距d位于打件区间中的哪一个子区间。若横向间距d位于标准子区间，则不做任何调节。若横向间距d位于低宽度子区间，表示横向间距d稍微小了一些，需减少碳粉浓度，因此缩短第二芯片310b的位于相邻端312的第一个常规发光组件的发光时间(步骤s532)。若横向间距d位于高宽度子区间，表示横向间距d稍微大了一些，需增加碳粉浓度，因此延长第二芯片310b的位于相邻端312的第一个常规发光组件的发光时间(步骤s533)。
116.在一些实施例中，低宽度子区间为相邻间距d的0.4至0.5倍的范围，标准子区间为相邻间距d的0.5至1.5倍的范围，高宽度子区间为相邻间距d的1.5至1.6倍的范围。
117.在一些实施例中，虽然前述实施方式均仅绘示发光芯片310的一个相邻端312，但不排除发光芯片310的另一个相邻端312也具有备用发光组件。然而，本实用新型的实施例并非限制同一发光芯片310的两端需具有相同数量的备用发光组件。此外，本实用新型的实施例也不限制同一发光芯片310的两端均具有备用发光组件，也可以仅有一端具有备用发光组件。可以理解的是，也可以如第一与第二实施方式，部分的发光芯片310是不具有备用发光组件的。
118.在一些实施例中，如同图10b与图10c所示，或者如图10d及图10e所示，在同一偏移情形，可以有不同的点亮方式。因此，本实用新型的实施例也不限制同一发光芯片310的两端皆采用相同的点亮方式，只要遵守图11的流程即可。
119.在一些实施例中，发光芯片310的两端具有相同数量的备用发光组件，且第一芯片310a与第二芯片310b的备用发光组件的数量相同。因此，同一个发光芯片310可适于摆放在轴线320的任意一侧。也就是说，仅需制作同一规格的发光芯片310，而可用于作为第一芯片310a或第二芯片310b。
120.在一些实施例中，驱动电路400内建或外接有储存单元，为非挥发式储存媒体，如闪存。储存单元可供储存前述参数设定，也就是说各个发光单元311被配置为常规发光或禁止发光，以及是否需要延长或缩短发光时间。因此，驱动电路400可读取储存单元储存的设定，以此产生对应的控制信号。
121.参照图5，在一些实施例中，是使用移位电路来循序点亮发光单元311。在点亮次序的最末s个闸流体t，是作为负载平衡之用，使得在此s个闸流体t之前的闸流体t均能在预定的发光时间稳定点亮。因此，虽然此s个闸流体t的结构可能跟其他的闸流体t的结构相同，然而其并非作为曝光之用。在本文中所提及的发光单元311(常规发光组件及备用发光组件)均不包括此s个闸流体t。s个闸流体t的数量相当于移位信号线φ1、φ2的数量，在此为两个。
122.根据本实用新型实施例提出的发光芯片打件偏差的调节方法及打印头，能在发光芯片发生打件偏差时设定特定的发光单元为常规发光或禁止发光，也能通过控制发光时间来调节微幅的打件偏差，使得打印头的曝光能够均匀，提高打印清晰度。并且，调节步骤精要且便利。
123.综上所述，本实用新型提供的上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功
效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

技术特征：

1.一种可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，包括：基板；以及多个发光芯片，沿轴线排列于所述基板并在所述轴线的两侧交错间隔设置，其中各所述发光芯片包括平行于所述轴线线性排列的多个常规发光组件，各所述发光芯片中两两相邻的第一芯片与第二芯片分别具有相邻端，所述第一芯片还包括位于所述相邻端且接续各所述常规发光组件线性排列的至少一个第一备用发光组件；其中，若所述第一芯片与所述第二芯片均位于目标打件位置，所述第一芯片的所述至少一个第一备用发光组件分别与所述第二芯片的位于所述相邻端的前n个所述常规发光组件两两成组彼此相对，且每个所述第一备用发光组件被配置为禁止发光，n相当于所述第一备用发光组件的数量。2.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第二芯片还包括位于所述相邻端且接续各所述常规发光组件线性排列的至少一个第二备用发光组件，若所述第一芯片与所述第二芯片均位于所述目标打件位置，所述第二芯片的所述至少一个第二备用发光组件分别与所述第一芯片的位于所述相邻端的前m个所述常规发光组件两两成组彼此相对，且每个所述第二备用发光组件被配置为禁止发光，m相当于所述第二备用发光组件的数量。3.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件与所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件在所述轴线的垂直投影具有横向间距，若所述横向间距位于宽度打件区间，所述第一芯片的每个所述第一备用发光组件被配置为禁止发光。4.如权利要求3所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述宽度打件区间定义有低于标准子区间的低宽度子区间，若所述横向间距位于所述低宽度子区间，所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件或所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件被配置为缩短发光时间；其中所述标准子区间为相邻间距的0.5至1.5倍的范围，所述相邻间距为同一所述发光芯片中相邻两个所述常规发光组件之间或相邻两个所述备用发光组件之间的距离。5.如权利要求3所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述宽度打件区间定义有高于标准子区间的高宽度子区间，若所述横向间距位于所述高宽度子区间，所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件或所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件被配置为延长发光时间；其中所述标准子区间为相邻间距的0.5至1.5倍的范围，所述相邻间距为同一所述发光芯片中相邻两个所述常规发光组件之间或相邻两个所述备用发光组件之间的距离。6.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件与所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件在所述轴线的垂直投影具有横向间距，若所述横向间距高于宽度打件区间，所述第一芯片的不与所述第二芯片的所述常规发光组件相对的所述第一备用发光组件被配置为常规发光。7.如权利要求6所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中若所述横向间距高于宽度打件区间，所述第一芯片与所述第二芯片的所述常规发光组件相对的所述
第一备用发光组件被配置为禁止发光。8.如权利要求7所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第二芯片还包括位于所述相邻端且接续各所述常规发光组件线性排列的至少一个第二备用发光组件，若所述横向间距高于所述宽度打件区间，所述第二芯片的每个所述第二备用发光组件被配置为禁止发光。9.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第二芯片还包括位于所述相邻端且接续各所述常规发光组件线性排列的至少一个第二备用发光组件，所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件与所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件在所述轴线的垂直投影具有横向间距，若所述横向间距高于宽度打件区间，所述第一芯片的每个所述第一备用发光组件被配置为禁止发光，所述第二芯片与所述第一芯片的所述常规发光组件相对的所述第二备用发光组件被配置为禁止发光，且所述第二芯片的不与所述第一芯片的所述常规发光组件相对的所述第二备用发光组件被配置为常规发光。10.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件与所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件在所述轴线的垂直投影具有横向间距，若所述横向间距低于宽度打件区间，所述第一芯片的每个所述第一备用发光组件被配置为禁止发光，所述第二芯片的位于所述相邻端且与所述第一芯片的所述常规发光组件相对的所述常规发光组件被配置为禁止发光。11.如权利要求10所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第二芯片还包括位于所述相邻端且接续各所述常规发光组件线性排列的至少一个第二备用发光组件，若所述横向间距低于所述宽度打件区间，所述第二芯片的每个所述第二备用发光组件被配置为禁止发光。12.如权利要求1所述的可调节发光芯片打件偏差的打印头，其特征在于，其中所述第一芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件与所述第二芯片的位于所述相邻端的第一个所述常规发光组件在所述轴线的垂直投影具有横向间距，若所述横向间距低于宽度打件区间，所述第一芯片的每个所述第一备用发光组件被配置为禁止发光，所述第一芯片的位于所述相邻端且与所述第二芯片的所述常规发光组件相对的所述常规发光组件被配置为禁止发光。

技术总结

本实用新型提出一种发光芯片打件偏差的打印头。打印头包括基板及多个发光芯片。发光芯片沿轴线排列于基板并在轴线的两侧交错间隔设置。各发光芯片包括连续排列的多个常规发光组件。两两相邻的发光芯片中的至少一个还包括至少一个备用发光组件，是接续常规发光组件并线性排列。若发光芯片中两两相邻的发光芯片均位于目标打件位置，两个发光芯片的前N个发光单元两两成组彼此相对，N≥1。每一组彼此相对的两个发光单元中的其中之一被配置为禁止发光。发光。发光。

技术研发人员：

王建智 陈琰成 王伦

受保护的技术使用者：

虹光精密工业（苏州）有限公司

技术研发日：

2022.08.24

技术公布日：

2023/2/20