一种EMC优化电路[实用新型专利]

专利名称:一种EMC优化电路专利类型:实用新型专利
发明人:杜戈阳,胥海东
申请号:CN202020501069.3申请日:20200408
公开号:CN211506230U
公开日:
20200915
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开了一种EMC优化电路,该EMC优化电路包括驱动IC,驱动IC在给出驱动信号高电平,经过电阻R30限流后,二极管D2此时是正向导通满,在经过电阻R12驱动MOS晶体管
Q1,使其开通。在当驱动IC给出低电平信号时,MOS晶体管Q1会截止,此时PNP型三极管Q3为低电平导通。将驱动电压通过电阻R12到地,直至放到0V,MOS晶体管停止工作,并不会通过二极管D2流向驱动IC,此时二极管D2方向截止。通过以上原理,本实用新型能够把PNP型三极管Q3、电阻R12、电阻R13放到接近MOS晶体管Q1的位置,以上工作的环路就会非常小,又起到很好的EMC控制作用。
申请人:深圳市创芯技术有限公司
地址:518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区福园一路德金工业园二区B栋第二、三层国籍:CN
代理机构:深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:陈文姬

本文发布于:2024-09-21 00:23:41,感谢您对本站的认可!

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