一种绝缘体上硅结构及其形成方法

1.本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种绝缘体上硅结构及其形成方法。

背景技术：

2.随着集成电路的不断发展以及电子元件的特征尺寸不断减小，由此作为契机发展的finfet技术和soi(silicon-on-insulator，soi)技术成为目前的两种主流路线。而随着soi技术的不断发展对soi结构的需求也日益增大。通常soi结构由支撑衬底、绝缘层以及器件层组成，soi结构的制备方法目前主要有besoi(键合及背面腐蚀技术)、simox(注氧隔离技术)和smartcut
tm
。其中，besoi通过腐蚀停止层和器件层对腐蚀溶液的不同腐蚀选择比，腐蚀去除位于所述器件层上的腐蚀停止层，可以有效提高所述器件层的厚度均匀性。
3.目前，腐蚀停止层主要由硼、碳、氮等重掺杂的硅或锗硅合金来充当，其中，锗硅合金作为腐蚀停止层时，需要使用hf、hno3和hac的混合溶液来将其移除，这个过程会在器件层的表面形成一层几十纳米的多孔层，而为了不影响后道器件的相关性能，该多孔层需要被有效移除。通常可以通过化学机械抛光工艺来移除这一多孔层，但是化学机械抛光工艺使得器件层的厚度均匀性不易控制；还可以通过hf和hno3的混合溶液来将其移除，但是，经过该移除工艺后器件层的微区表面状态仍然达不到后道工艺的需求。

技术实现要素：

4.本发明的目的在于，提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，可以有效修复腐蚀停止层移除造成的多孔层，并且提高器件层表面的厚度均匀性。
5.为了解决上述问题，提供一种绝缘体上硅结构的形成方法，包括以下步骤：
6.步骤s1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面；
7.步骤s2：对所述第二正面和所述器件层的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层；
8.步骤s3：从所述第一背面减薄所述第一衬底，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底和所述腐蚀停止层，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及
9.步骤s4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。
10.可选的，步骤s1包括：
11.提供第一衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面；
12.在所述第一正面上形成腐蚀停止层；
13.在所述腐蚀停止层上形成器件层；
14.提供第二衬底，所述第二衬底的表面形成有多晶硅捕获层，所述多晶硅捕获层的表面为所述第二正面；
15.通过氧化工艺，形成绝缘层；以及
16.其中，所述绝缘层位于所述器件层的表面，或者，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述器件层的表面，所述第二绝缘层位于所述第二正面。
17.进一步的，步骤s2包括：
18.所述绝缘层位于所述器件层的表面时，使用氧等离子体活化处理所述第二正面和所述绝缘层的表面；以及
19.所述第二正面朝向所述绝缘层的表面，并进行低温加固处理。
20.进一步的，步骤s2包括：
21.所述第一绝缘层位于所述器件层的表面，所述第二绝缘层位于所述第二正面时，使用氧等离子体活化处理所述第一绝缘层的表面和所述第二绝缘层的表面；以及
22.所述第一绝缘层的表面朝向所述第二绝缘层的表面，并进行低温加固处理。
23.进一步的，加固处理的温度为300℃～500℃，且处理时间不高于4小时。
24.可选的，步骤s3包括：
25.使用机械研磨从所述第一背面减薄所述第一衬底；
26.通过第一腐蚀剂第一次选择性腐蚀剩余的所述第一衬底，并刻蚀停止在所述腐蚀停止层；
27.通过第二腐蚀剂第二次选择性腐蚀所述腐蚀停止层，并刻蚀停止在所述器件层的表面，使得所述器件层的表面具有多孔层。
28.进一步的，所述第一腐蚀剂为tmah，所述第一腐蚀剂的浓度不高于25％，腐蚀温度为55℃～70℃。
29.进一步的，所述第二腐蚀剂为hf、hno3和hac的混合溶液，或hf、h2o2和hac的混合溶液。
30.可选的，步骤s4包括：
31.在干氧、湿氧或干氧湿氧结合的气氛下，对所述器件层的表面进行氧化处理，以在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层；
32.通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构；以及
33.通过热处理对所述器件层的表面进行粗糙度优化处理。
34.进一步的，所述湿法刻蚀工艺使用了hf溶液，所述hf溶液的浓度小于20％。
35.另一方面，本发明还提供一种绝缘体上硅结构，由所述的绝缘体上硅结构的形成方法制备而成。
36.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
37.本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，包括以下步骤：步骤s1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面；步骤s2：对所述第二正面和所述器件层的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层；步骤s3：从所述第一背面减薄所述第一衬底，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底和所述腐蚀停止层，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及步骤s4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。本发明通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了键合工艺所需的温度，从
而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分(锗)热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层表面没有高频腐蚀起伏的多孔层存在。
附图说明
38.图1是本发明一实施例提供的一种绝缘体上硅结构的形成方法的流程示意图；
39.图2～8是本发明一实施例提供的绝缘体上硅结构在形成过程中的结构示意图；
40.图9是一种绝缘体上硅结构的器件层表面的afm示意图；
41.图10是本发明一实施例提供的绝缘体上硅结构的器件层表面的afm示意图。
42.附图标记说明：
43.100-第一衬底；100a-第一正面；100b-第一背面；110-腐蚀停止层；120-器件层；121-多孔层；130-绝缘层；140-牺牲氧化层；
44.200-第二衬底；200a-第二正面；210-多晶硅捕获层。
具体实施方式
45.以下将对本发明的一种绝缘体上硅结构及其形成方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
46.为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
47.为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
48.图1是本实施例提供的一种绝缘体上硅结构的形成方法的流程示意图。如图1所示，本实施例提供一种绝缘体上硅结构的形成方法，包括以下步骤：
49.步骤s1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面；
50.步骤s2：对所述第二正面和所述器件层的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层；
51.步骤s3：从所述第一背面减薄所述第一衬底，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底和所述腐蚀停止层，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及
52.步骤s4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。
53.以下结合图2～10对本实施例提供的一种绝缘体上硅结构的形成方法进行详细说明。
54.如图2和3所示，首先执行步骤s1，提供第一衬底100和第二衬底200，所述第一衬底具有相对设置的第一正面100a和第一背面100b，所述第一正面100a上依次形成有腐蚀停止层110和器件层120，所述第二衬底200具有第二正面200a。
55.本步骤具体包括：
56.如图2所示，首先，提供第一衬底100，所述第一衬底100可以为单晶硅衬底、锗硅衬底、碳化硅衬底以及各种iii-v族半导体衬底。其中，所述第一衬底100具有相对设置的第一正面100a和第一背面100b。在本实施例中，所述第一衬底100可以均为p型硅衬底，且所述第一衬底100的电阻率大于5ω
·
cm，优选的，所述第一衬底100的电阻率大于10ω
·
cm。
57.接着，在所述第一正面100a上形成腐蚀停止层110。其中，所述腐蚀停止层110可以为锗硅合金，优选的，所述腐蚀停止层110中的锗含量为0.1～0.5，硅含量为0.2～0.3。所述腐蚀停止层110的厚度为10nm～60nm。
58.在本步骤中，形成所述腐蚀停止层110所需的温度低于800℃，且形成所述腐蚀停止层110的整个过程为减压外延，且硅和锗的外延前驱体分别为dcs和geh4。
59.接着，在所述腐蚀停止层110上形成器件层120。其中，所述器件层120的材料为硅材料，所述器件层120掺杂有p型离子或者n型离子，所述器件层120中掺杂的离子类型以及掺杂浓度取决于后续形成的绝缘体上硅结构的具体要求。为了保证所述绝缘体上硅结构的厚度均匀性，所述器件层120的厚度不高于600nm。
60.本步骤中，形成所述器件层120所需的温度低于800℃，且形成所述器件层120的整个过程为减压外延，且所述器件层120的外延前驱为dcs。
61.如图3所示，提供第二衬底200，所述第二衬底200作为后续形成的绝缘体上硅结构的支撑衬底，其主要起到支撑的作用，所述第二衬底200可以为单晶硅衬底、锗硅衬底、碳化硅衬底、各种iii-v族半导体衬底、沉积了多晶捕获层的硅衬底、蓝宝石衬底、石英衬底和玻璃衬底等。
62.在本实施例中，所述第一衬底100的形状和所述第二衬底200的形状相同，所述第一衬底100的尺寸和所述第二衬底200的尺寸相同。所述第二衬底200为高电阻率的硅衬底，所述硅衬底上形成有多晶硅捕获层210，且所述第二衬底200的电阻率大于1000ohm
·
cm。所述多晶硅捕获层210的表面为所述第二正面200a。
63.接着，通过氧化工艺，形成绝缘层130。
64.如图2所示，在本实施例中，所述绝缘层130可以位于所述器件层120的表面，并作为所述绝缘体上硅结构的最终绝缘层，此时，所述多晶硅捕获层210的表面(即所述第二正面200a)为键合时所述第二衬底侧的键合表面，所述绝缘层130的表面为键合时所述第一衬底侧的键合表面。
65.在其他实施例中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述器件层的表面上形成有所述第一绝缘层，所述第二正面200a上形成有所述第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层共同作为所述绝缘体上硅结构的最终绝缘层，此时，所述第一绝缘层的表面为键合时所述第一衬底侧的键合表面；所述第二绝缘层的表面为键合时所述第二衬底侧的键合表面。
66.为了防止所述器件层120和/或所述第二衬底200中的掺杂离子的热扩散，所述氧化工艺的氧化温度不高于850℃，优选为不高于800℃，而氧化时间则取决于所述绝缘层130的厚度要求。
67.如图4所示，接着执行步骤s2，对所述第二正面200a和所述器件层120的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底100和第二衬底200，所述第二正面200a朝向所述器件层120。
68.首先，在本实施例中，由于所述绝缘层130位于所述器件层120的表面，因此使用氧等离子体活化处理所述多晶硅捕获层的表面(即第二正面200a)和所述绝缘层130的表面，以增加常温键合强度。
69.在其他实施例中，由于所述绝缘层的第一绝缘层和第二绝缘层分别位于所述器件层的表面和所述第二正面200a，因此使用氧等离子体活化处理所述第一绝缘层的表面和所述第二绝缘层的表面，以增加常温键合强度。
70.接着，在本实施例中，所述第二正面200a朝向所述绝缘层130的表面，且所述绝缘层130作为中间层进行键合，并进行低温加固处理，低温加固处理的温度不高于700℃，优选为300℃～500℃，且处理时间不高于4小时。
71.由于对所述第二正面200a和所述器件层120的表面进行活化处理，使得本步骤加固处理时的温度较低，降低了所述腐蚀停止层110中的异质组分(锗)热扩散，保证了所述腐蚀停止层110与器件层120之间的界面清晰，从而避免了所述器件层120在后续去除腐蚀停止层110之后所述器件层120的厚度均匀性恶化。
72.在其他实施例中，所述第一绝缘层的表面朝向所述第二绝缘层的表面，且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共同作为中间层进行键合，并进行低温加固处理。低温加固处理的温度不高于700℃，优选为300℃～500℃，且处理时间不高于4小时。
73.由于对所述第一绝缘层的表面和所述第二绝缘层的表面进行活化处理，使得本步骤加固处理时的温度较低，降低了所述腐蚀停止层110中的异质组分(锗)热扩散，保证了所述腐蚀停止层110与器件层120之间的界面清晰，从而避免了所述器件层120在后续去除腐蚀停止层110之后所述器件层120的厚度均匀性恶化。
74.如图5和图6所示，接着执行步骤s3，从所述第一背面100b减薄所述第一衬底100，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底100和所述腐蚀停止层110，并刻蚀停止在所述器件层120的表面，使得所述器件层120的表面具有多孔层121，以通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层120的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅薄膜厚度均匀性小于10％。
75.本步骤具体包括：
76.如图5所示，首先，使用机械研磨例如化学机械研磨从所述第一背面100b减薄所述第一衬底100，其中，减薄后的所述第一衬底100的厚度控制在2μm以内，且减薄后的所述第一衬底100的厚度差小于0.5μm，也就是说，减薄后的所述第一衬底100的厚度为1.5μm～2μm。
77.接着，第一次选择性腐蚀剩余的所述第一衬底100，并刻蚀停止在所述腐蚀停止层110的表面。详细的，通过应力敏感的第一腐蚀剂第一次选择性腐蚀剩余的所述第一衬底100，并刻蚀停止在所述腐蚀停止层110表面。
78.在本步骤中，所述第一腐蚀剂可以为tmah(四甲基氢氧化铵)，所述第一腐蚀剂的浓度不高于25％，且腐蚀温度为50℃～90℃，优选的，所述腐蚀温度为55℃～70℃。
79.如图6所示，接着，第二次选择性腐蚀所述腐蚀停止层110，并刻蚀停止在所述器件层120的表面。详细的，通过具有高腐蚀选择比第二腐蚀剂第二次选择性腐蚀所述腐蚀停止层110，并刻蚀停止在所述器件层120表面，使得所述器件层120的表面具有多孔层121。
80.在本步骤中，所述第二腐蚀剂可以为hf、hno3和hac的混合溶液或hf、h2o2和hac的混合溶液。
81.由于本步骤中所述器件层120受到所述第二腐蚀剂的腐蚀，所述器件层120表面形成了一层几十纳米深度的多孔层，所述器件层120的多孔层的材料有硅和硅氧化合物，其中，所述硅氧化合物为第二腐蚀剂中的h2o2或hno3与器件层的表面反应形成。
82.如图7和图8所示，接着执行步骤s4，在所述器件层120上生成牺牲氧化层140，所述牺牲氧化层140填充并覆盖所述多孔层121，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层140和多孔层121，以得到绝缘体上硅结构。
83.本步骤具体包括：
84.如图7所示，首先，为了移除所述多孔层121，在干氧、湿氧或干氧湿氧结合的气氛下，对所述器件层120表面进行氧化处理，以在所述器件层120上生成牺牲氧化层140，所述牺牲氧化层140填充并覆盖所述多孔层121。氧化处理时的氧化温度为700℃～1100℃，优选的，所述氧化温度为750℃～1000℃。其中，所述牺牲氧化层140的厚度为50nm～200nm，也就是说，所述器件层120的表面50nm～200nm的硅被氧化为牺牲氧化层。所述氧化处理时的氧化时间根据所述牺牲氧化层140的厚度以及氧化温度来确定。
85.如图8所示，接着，湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层140和多孔层121，以得到绝缘体上硅结构。
86.详细的，首先，所述湿法刻蚀工艺使用hf溶液去除所述牺牲氧化层140和多孔层121。其中，所述hf溶液的浓度小于20％，优选的，所述hf溶液的浓度为5％，此时，所述多孔层121为有效去除。
87.接着，通过热处理(即快速热处理或长时间热处理或两者交替)对所述器件层120的表面进行粗糙度优化处理，从而进一步的降低所述器件层120的表面粗糙度。其中，热处理时的气氛为氢氩混合气氛或纯氩气氛。本步骤通过去除所述牺牲氧化层140将高频腐蚀起伏的多孔形貌的多孔层121去除，使得所述器件层120的表面没有多孔层121的存在。
88.如图9所示，现有技术中的绝缘体上硅结构的所述器件层的表面形成有多孔层121，该多孔层使得器件层的厚度均匀性不易控制。如图10所示，本实施例的所述绝缘体上硅结构的器件层的表面，由于将多孔层121去除，使得所述器件层的厚度均匀性较高。
89.本实施例还提供一种绝缘体上硅结构，由上述绝缘体上硅结构的形成方法制备而成。
90.综上所述，本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，包括以下步骤：步骤s1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面；步骤s2：对所述第二正面和所述器件层的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层；步骤s3：从所述第一背面减薄所述第一衬
底，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底和所述腐蚀停止层，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及步骤s4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。本发明通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了键合工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分(锗)热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏(多孔形貌)的多孔结构(即多孔层)存在。
91.此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

技术特征：

1.一种绝缘体上硅结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤s1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面，所述第一正面上依次形成有腐蚀停止层和器件层，所述第二衬底具有第二正面；步骤s2：对所述第二正面和所述器件层的表面进行活化处理，并键合所述第一衬底和第二衬底，所述第二正面朝向所述器件层；步骤s3：从所述第一背面减薄所述第一衬底，并通过两次选择性腐蚀工艺依次去除剩余的所述第一衬底和所述腐蚀停止层，使得所述器件层的表面具有多孔层；以及步骤s4：在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层，并通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，步骤s1包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有相对设置的第一正面和第一背面；在所述第一正面上形成腐蚀停止层；在所述腐蚀停止层上形成器件层；提供第二衬底，所述第二衬底的表面形成有多晶硅捕获层，所述多晶硅捕获层的表面为所述第二正面；通过氧化工艺，形成绝缘层；以及其中，所述绝缘层位于所述器件层的表面，或者，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述器件层的表面，所述第二绝缘层位于所述第二正面。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，步骤s2包括：所述绝缘层位于所述器件层的表面时，使用氧等离子体活化处理所述第二正面和所述绝缘层的表面；以及所述第二正面朝向所述绝缘层的表面，并进行低温加固处理。4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，步骤s2包括：所述第一绝缘层位于所述器件层的表面，所述第二绝缘层位于所述第二正面时，使用氧等离子体活化处理所述第一绝缘层的表面和所述第二绝缘层的表面；以及所述第一绝缘层的表面朝向所述第二绝缘层的表面，并进行低温加固处理。5.如权利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，加固处理的温度为300℃～500℃，且处理时间不高于4小时。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，步骤s3包括：使用机械研磨从所述第一背面减薄所述第一衬底；通过第一腐蚀剂第一次选择性腐蚀剩余的所述第一衬底，并刻蚀停止在所述腐蚀停止层；以及通过第二腐蚀剂第二次选择性腐蚀所述腐蚀停止层，并刻蚀停止在所述器件层的表面，使得所述器件层的表面具有多孔层。7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一腐蚀剂为tmah，所述第一腐蚀剂的浓度不高于25％，腐蚀温度为55℃～70℃。8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二腐蚀剂为hf、hno3和hac的混合溶液，或hf、h2o2和hac的混合溶液。9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，步骤s4包括：
在干氧、湿氧或干氧湿氧结合的气氛下，对所述器件层的表面进行氧化处理，以在所述器件层上生成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层填充并覆盖所述多孔层；通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层和多孔层，以得到绝缘体上硅结构；以及通过热处理对所述器件层的表面进行粗糙度优化处理。10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺使用了hf溶液，所述hf溶液的浓度小于20％。11.一种绝缘体上硅结构，其特征在于，由权利要求1～10中任一项所述的绝缘体上硅结构的形成方法制备而成。

技术总结

本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在。