RVDT角位移传感器[实用新型专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201822188671.1
(22)申请日 2018.12.25
(73)专利权人 陕西东方航空仪表有限责任公司
地址 723102 陕西省汉中市南郑县汉中经
济开发区南区57号信箱
(72)发明人 严海平 马锁学 韩军浩 严军辉 
(74)专利代理机构 西安知诚思迈知识产权代理
事务所(普通合伙) 61237
代理人 李思
(51)Int.Cl.
G01B  7/30(2006.01)
(54)实用新型名称
RVDT角位移传感器
(57)摘要
一种RVDT角位移传感器,包括位于壳体内并
同轴安装的定子叠层转子叠层。构成转子叠层
的转子叠片包括中心圆环和两个相同的扇形凸
部,两个扇形凸部均布于中心圆环的外圆周上,
转子叠片导磁面的圆心角为50°~70°
构成定子叠层的定子叠片设有四个相同的极靴,相邻极靴
之间设有条形孔,定子叠片导磁面的圆心角与转
子叠片导磁面的圆心角相同。本实用新型在缩小
整体外径的同时,减小了转子叠层和定子叠层上
的导磁面积,而在总磁通不变的情况下,可以提
高单位面积的磁通量,以此获得更高的输出电
压,进而增大输出梯度。本实用新型能够达到整
体外径为φ20mm,其输出电压梯度可达125mV/°
。权利要求书1页  说明书2页  附图2页CN 209246936 U 2019.08.13
C N  209246936
U
1.一种RVDT角位移传感器,包括位于壳体内并同轴安装的定子叠层和转子叠层,定子叠层由定子叠片同轴、对位重合压制构成,转子叠层由转子叠片同轴、对位重合压制构成;其特征在于:所述转子叠片包括中心圆环和两个相同的扇形凸部,两个扇形凸部均布于中心圆环的外圆周上,两个扇形凸部的导磁面与中心圆环同心,扇形凸部的外圆弧端面为转子叠片导磁面,圆心角为50°~70°
;所述定子叠片为设有中心圆孔的圆环形部件,定子叠片上绕中心圆等间隔设有四个相同的极靴,极靴指向中心圆孔的端面为定子叠片导磁面,定子叠片导磁面为圆弧形并且与中心圆孔的圆周重合,相邻极靴之间设有条形孔,定子叠片导磁面的圆心角与转子叠片导磁面的圆心角相同。
2.按照权利要求1所述的RVDT角位移传感器,其特征在于:所述转子叠片导磁面的圆心角和定子叠片导磁面的圆心角为60°。
3.按照权利要求1所述的RVDT角位移传感器,其特征在于:所述定子叠层的两端分别压合有绝缘的端面片,端面片的形状与所述定子叠片的形状相同。
权 利 要 求 书1/1页CN 209246936 U
RVDT角位移传感器技术领域
[0001]本实用新型属于传感器技术领域,涉及的是一种角位移传感器。
背景技术
[0002]电磁式RVDT角位移传感器用于将机械偏转角位移量转换为成比例的交流电压信号,实时反馈系统的机械偏转角度。RVDT角位移传感器主要由壳体、定子组件、转子组件和端盖等组成。目前,市场上常见的电磁式RVDT角位移传感器主要以外径大于等于φ28mm、设计输出电压梯度约50mV/°的产品为主。由于受到转子和定子在结构和形状上的限制,现有RVDT角位移传感器无法在获得小型化体积的同时还具有大梯度。由于输出电压梯度越高,传感器相应的精度越高。所以现有的RVDT角位移传感器的精度难以满足更高的要求。发明内容
[0003]本实用新型提供一种RVDT角位移传感器,在具有小型化的同时还能够增大输出梯度。
[0004]本实用新型所采用的技术方案是:一种RVDT角位移传感器,包括位于壳体内并同轴安装的定子叠层和转子叠层,定子叠层由定子叠片同轴、对位重合压制构成,转子叠层由转子叠片同轴、对位重合压制构成;其特征在于:所述转子叠片包括中心圆环和两个相同的扇形凸部,两个扇形凸部均布于中心圆环的外圆周上,两个扇形凸部的导磁面与中心圆环同心,扇形凸部的外圆弧端面为转子叠片导磁面,圆心角为50°~70°
;所述定子叠片为设有中心圆孔的圆环形部件,定子叠片上绕中心圆等间隔设有四个相同的极靴,极靴指向中心圆孔的端面为定子叠片导磁面,定子叠片导磁面为圆弧形并且与中心圆孔的圆周重合,相邻极
靴之间设有条形孔,定子叠片导磁面的圆心角与转子叠片导磁面的圆心角相同。
[0005]进一步,所述转子叠片导磁面的圆心角和定子叠片导磁面的圆心角为60°。
[0006]进一步,所述定子叠层的两端分别压合有绝缘的端面片,端面片的形状与所述定子叠片的形状相同。
[0007]本实用新型的有益效果是:由于将转子叠片和定子叠片的导磁面均设置为圆弧形并且圆心角相同,均为50°~70°
。所以当形成定子叠层和转子叠层之后,在缩小RVDT角位移传感器整体外径的同时,转子叠层和定子叠层上的导磁面积也会相应减小。而在总磁通不变的情况下,减小定子叠层和转子叠层的导磁面积,可以提高单位面积的磁通量,以此获得更高的输出电压,相应的也会增大输出梯度。本实用新型能够达到整体外径为φ20mm,其输出电压梯度可达125mV/°。
附图说明
[0008]图1是本实用新型一个实施例过轴线剖切的示意图。
[0009]图2是本实用新型中转子叠片的结构示意图。
[0010]图3是本实用新型中定子叠片的结构示意图。
[0011]图4是本实用新型中转子叠层与定子叠层的装配位置示意图。
[0012]图中:1、壳体,2、定子叠层,3、转轴,4、转子叠层,5、端盖,6、转子叠片,7、中心圆环,8、扇形凸部,9、转子叠片导磁面,10、定子叠片,11、中心圆孔,12、极靴,13、定子叠片导磁面,14、条形孔。
具体实施方式
[0013]下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0014]如图1所示,本实用新型包括壳体1,以及位于壳体1中并通过转轴3同轴安装的定子叠层2和转子叠层4。壳体1的后端设有端盖5。定子叠层2通过多个相同的定子叠片10同轴、对位重合压制而成。转子叠层4则通过多个相同的转子叠片6同轴、对位重合压制而成。上述结构与现有角位移传感器的结构一致,在此不再赘述。
[0015]本实用新型的重点在于:通过改变转子叠片6和定子叠片10的形状,从而达到缩小RVDT角位移传感器的整体体积,同时提高输出电压梯度的目的。实现该目的的核心所在是,缩短转子叠层4和定子叠层2的导磁面积,使得在总磁通不变的前提下,提高单位面积的磁通量,以此获得更高的输出电压,最
终增大输出电压梯度。
[0016]转子叠片6和定子叠片10的具体形状如下:
[0017]如图2所示,转子叠片6包括中心圆环7和两个相同的扇形凸部8。两个扇形凸部8均布于中心圆环7的外圆周上。扇形凸部8的外圆弧端面为转子叠片导磁面9。转子叠片导磁面9与中心圆环7同心。转子叠片导磁面9对应的圆心角θ为50°~70°
。[0018]如图3所示,定子叠片10为设有中心圆孔11的环形部件。定子叠片10上绕中心圆孔11等间隔设有四个相同的极靴12。极靴12指向中心圆孔11的端面为定子叠片导磁面13。定子叠片导磁面13为圆弧形并且与中心圆孔11的圆周重合。定子叠片导磁面13对应的圆心角β与转子叠片导磁面9对应的圆心角θ相同。相邻极靴12之间分别设有条形孔14。当多个定子叠片10同轴、对位重合压制成定子叠层2之后,同位的多个条形孔14便形成用于缠绕线圈的型腔。
[0019]圆心角θ和圆心角β优选为60°。当RVDT角位移传感器的外径设计为φ20mm时,在圆心角θ和圆心角β为60°的基础上,定子叠片导磁面13和转子叠片导磁面9可选择较短的长度,进而缩小定子叠层2和转子叠层4的导磁面积,最终可获得125mV/°的输出梯度。
[0020]为了加强定子叠层2的绝缘性能,在定子叠层2的两端分别压合有端面片。端面片的形状与定子叠片10的形状相同。端面片采用非金属绝缘材料制成。
图1
图2

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