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一种二元低共熔溶剂中制备无机多孔材料的方法[发明专利]

专利名称：一种二元低共熔溶剂中制备无机多孔材料的方法专利类型：发明专利

发明人：房大维，隗思傲，马晓雪，曹景同，田莹，宋宗仁

申请号：CN202210127418.3

申请日：20220211

公开号：CN114436325A

公开日：

20220506

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明属于无机材料合成的领域，具体涉及一种二元低共熔溶剂中制备无机多孔材料的方法。用的技术方案是：向低共熔溶剂二元体系中，加入配体，25‑160℃常压条件，不断搅拌，反应10‑12h，所得产物用洗涤溶剂洗涤，离心，真空干燥，得无机多孔材料；所述低共熔溶剂二元体系是氢键供体与氢键受体熔化混合形成的二元体系。本方法具有价格低廉、操作简单、条件温和、绿等优点，发展前景良好。

申请人：辽宁大学

地址：110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-21 15:48:59，感谢您对本站的认可！

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