垂直结构NiOSiOZnO紫外探测器及其制备方法[发明专利]

专利名称:垂直结构NiO/SiO/ZnO紫外探测器及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:唐利斌,贾梦涵,王方,项金钟
申请号:CN202111524701.1
申请日:20211214
公开号:CN114497271A
公开日:
20220513
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:垂直结构NiO/SiO2/ZnO紫外探测器及其制备方法,涉及一种紫外探测器,尤其是一种加入SiO2绝缘层的p‑NiO/n‑ZnO紫外光电探测器。紫外探测器从下至上分别为石英衬底、ITO电极层、NiO薄膜、SiO2薄膜、ZnO薄膜和Al电极层。方法包括前期多晶p‑NiO、SiO2和n‑ZnO薄膜的制备、后退火处理。本发明器件对紫外光显示出良好的敏感性且具有良好的整流特性和低的暗电流,器件性能优异。
申请人:昆明物理研究所
地址:650000 云南省昆明市五华区教场东路31号
国籍:CN

本文发布于:2024-09-20 23:31:09,感谢您对本站的认可!

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