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硅系薄膜太阳能电池及其制造方法[发明专利]

专利名称：硅系薄膜太阳能电池及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：吉河训太，市川满，山本宪治

申请号：CN200980140938.0

申请日：20091009

公开号：CN102187471A

公开日：

20110914

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法，该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1～12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明，在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场，因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下，也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此，晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能，能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。

申请人：株式会社钟化

地址：日本大阪府

国籍：JP

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-20 19:43:42，感谢您对本站的认可！

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