(12)发明专利说明书 | ||
(10)申请公布号 CN 114566440 A (43)申请公布日 2022.05.31 | ||
权利要求说明书 说明书 幅图 |
本发明公开了一种硅电极气孔刻蚀装置,包括带有酸液循环结构的治具组件,所述的治具组件内部设置有卡接装置,所述的卡接装置内部卡接有多层分流板,多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽;所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔,相邻两层分流板上的液孔错位设置。还公开了一种利用硅电极气孔刻蚀装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。该硅电极气孔刻蚀装置,解决了硅电极刻蚀时气孔刻蚀不到和不均匀的问题;酸液从底部进入,在内循环流动,酸液槽及分流板的设置,既能够降低酸液的压力,又能够有效阻挡杂质,并通分流板上下错位转动,调节酸液的流速,使整体更加均匀;装置采用耐腐蚀性好的塑料材质,有效避免杂质离子的代入和掺杂。 | |
法律状态公告日 | 法律状态信息 | 法律状态 |
2022-05-31 | 公开 | 发明专利申请公布 |
2022-06-17 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/67专利申请号:202111421361X申请日:20211126 | 实质审查的生效 |
本文发布于:2024-09-20 13:37:12,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.17tex.com/tex/1/446050.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
留言与评论(共有 0 条评论) |