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集成电子器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：集成电子器件及其制造方法

专利类型：发明专利

发明人：宓晓宇，水野义博，松本刚，奥田久雄，上田知史申请号：CN200610128807.9

申请日：20060830

公开号：CN1925321A

公开日：

20070307

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种集成电子器件及其制造方法，该集成电子器件包括衬底、无源元件、用于外部连接的焊盘和三维布线。无源元件包括设置在衬底上的多级线圈电感器。多级线圈电感器具有设置在多层中的多个线圈。相邻的线圈线彼此隔开。三维布线包括在衬底上延伸的第一布线区、与衬底隔开但沿着衬底延伸的第二布线区以及与第一布线区和第二布线区连接的第三布线区。

申请人：富士通株式会社

地址：日本神奈川县川崎市

国籍：JP

代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：张龙哺

本文发布于:2024-09-21 17:23:20，感谢您对本站的认可！

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