专利名称：多层半导体集成电路结构的制作方法及其电路结构专利类型：发明专利 发明人：必兰德拉·N.·阿格沃拉，康拉德·A.·巴瑞勒，郝玛兹德亚·M.·达拉，布莱特·H.·安格尔，迈克尔·莱恩，欧内斯特
·莱文，刘晓虎(音译)，文森特·迈克格黑，约翰·F.·迈克格
雷斯，克耐尔·E.·默里，查瓦哈·P.·纳雅克，杜·B.·恩古耶
源，哈扎拉·S.·雷索，托马斯·M.·肖
申请号：CN200310117999.X
申请日：20031126
公开号：CN1536643A
公开日：
20041013
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种多层面半导体集成电路(IC)结构包含：第一互连层面，它包括在半导体衬底上的介电材料层，介电材料层包括钝化半导体器件和其下局部互连线的致密材料；多层介电材料互连层，制作在致密介电材料层上，每个介电材料层都包含至少一层低κ值介电材料；以及，在低κ值介电材料层中的一组叠置通路柱，所述这组叠置通路柱的每一个都与一个或多个图形导电结构互连，导电结构包含制作在低κ值介电材料中的悬臂。多个互连层面中每一个的介电层都包括软低κ值介电材料，其中悬臂和叠置通路柱组集成在软低κ值材料内，以增强抗御形成热疲劳断裂的能力。 申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
豫公网安备41160202000603
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