TFT基板及其制作方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114447119 A (43)申请公布日 2022.05.06

(21)申请号 CN202210064257.8

(22)申请日 2022.01.20

(71)申请人广州华星光电半导体显示技术有限公司

地址 510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417

(72)发明人史文

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L29/786

H01L27/12

H01L21/77

G02F1/1368

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

TFT基板及其制作方法

(57)摘要

本申请实施例提供一种TFT基板及其制作方法。本申请实施例提供的TFT基板，通过设置功能层包括栅极、第一遮光区、第二遮光区、源极接触区以及漏极接触区，并设置源极通过栅极绝缘层上的源极接触孔与源极接触区电性连接，漏极通过栅极绝缘层上的漏极接触孔与漏极接触区电性连接，使得有源层的侧面被源极和漏极遮挡，有源层的背面被功能层遮挡，也即是说，对有源层的侧面和背面进行全方位的遮光保护，避免光线从侧面和背面照射至有源层导致有源层中产生光生载流子，提升了TFT器件的光照稳定性。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-06	公开	发明专利申请公布
2022-05-24	实质审查的生效IPC(主分类):H01L29/786专利申请号:2022100642578申请日:20220120	实质审查的生效