发明人：张学军，唐瓦，薛栋林，邓伟杰，尹小林
申请号：CN201610590627.6
申请日：20160725
公开号：CN106855895A
公开日：
20170616
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种基于离子束技术的复杂曲面去除函数计算方法，一、测量离子束流在距离离子源L处的离子浓度分布d；二、通过去除函数实验获得所选定的离子源工作参数在距离L处的平面基准去除函数；并对去除函数进行标定，获得离子浓度与材料去除率的对应系数矩阵C；三、测量离子束流在距离离子源L处离子浓度分布d，计算得到与距离离子源L处离子束流浓度分布所对应的平面去除函数F；四、测量离子束流浓度空间分布并进行归一化得到离子束流空间分布矩阵I；五、计算复杂曲面表面曲率半径变化对去除函数的影响获得矩阵ω；六、根据平面去除函数F、离子束流空间分布矩阵I和矩阵ω，得到去除函数R；本发明能够对离子束抛光复杂曲面过程中去除函数的变化进行准确计算。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
国籍：CN
代理机构：北京理工大学专利中心
豫公网安备41160202000603
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