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一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法[发明专利]

专利名称：一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法专利类型：发明专利

发明人：丁雷，滕蛟，于广华

申请号：CN200710179580.5

申请日：20071214

公开号：CN101182632A

公开日：

20080521

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，属于信息电子、功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火。其特征在于：采用两次退火，退火顺序依次为在1000～3000Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h后，降至室温；再在50～300Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h；第一次退火时的磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向，第二次退火时的磁场方向与第一次退火时的磁场方向垂直；退火时本底真空度为1×10～1×10Pa；退火时通入一定流量的N作为保护气体。本发明的优点在于：利用两次退火，既提高了自旋阀薄膜在室温下的磁阻效应，又明显降低了薄膜的矫顽力。本发明对改进磁传感器的性能有重要的应用价值。

申请人：北京科技大学

地址：100083 北京市海淀区学院路30号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-22 13:36:58，感谢您对本站的认可！

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