梁骏吾：“永求创造”的非凡人生
作者：***
来源：《红岩春秋》2022年第07期
2022年6月29日，中国工程院院士、中国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾的追悼会在北京举行。笔者敬赠挽联“木兰山铭旌颂巨匠，烟波江溅泪吊梁公”，寄托同乡后学的哀思。 14年前，笔者与梁骏吾院士因传记写作结缘。重温那些故事，一代人的感奋历历可见。
怀揣科学梦“海归”效力
梁骏吾祖籍湖北省黄陂县（今武汉市黄陂区），1933年9月18日出生于汉口。受父母影响，梁骏吾自幼兴趣广泛、文理兼优。他平时喜欢吟咏新诗，曾到广播电台录制诗朗诵。
1945年，梁骏吾考入汉口市立第一中学（今武汉市第一中学）。1946年7月，中共中央南方局领导董必武、钱瑛派中共党员陈梅影到汉口一中担任地理教师，以职业为掩护做地下学运工作。不久，地下党员胡进吾、陈育和张师韩先后到一中任课并领导学运，张兆贺（张孟林）被发展为学校第一位学生地下党员。 在他们的影响下，进步教师常在教学中激发学生的爱国热情。梁骏吾的化学老师时常提及中国工业的落后，激励大家为振兴中华而读书。潜移默化中，梁骏吾许下心愿：一定要努力学习科学知识，将来科技报国，去改变这种落后的状况。他曾写道：“牛顿说，我好像不过
是一个在海滨玩耍的小孩，不时为到一个比通常更光滑的卵石或更好看的贝壳而感到高兴。但是，有待探索的真理海洋正展现在我的面前，我立志当一名科学海洋的探索者！”
高中毕业后，梁骏吾以优异成绩考取武汉大学化学系。
1955年，梁骏吾大学毕业。此时，基于1950年签订的《中苏友好同盟互助条约》，中国正大规模向苏联派遣留学生。20世纪50年代，国家派遣留苏学生，原本是从各岗位上抽调具有革命经历的青年知识分子。但到梁骏吾大学毕业时，大部分留苏学生是大学应届毕业生，甚至有部分是高中应届毕业生。梁骏吾因成绩优异，个人表现不错，加上“社会关系简单，历史清白”，得以入选。
留学人员攻读的专业，由国家根据需要进行统筹安排，梁骏吾被派往苏联科学院冶金研究所主攻半导体材料。那时，世界上的半导体研究已经取得突破，中国在此领域的研究却还是一张白纸。半导体与化学专业相关，但梁骏吾对此一无所知。
梁骏吾深知责任重大，必须努力拼搏，学成后报效祖国。在莫斯科留学四年期间，他几乎每天都搭最后一班公共汽车从学校回住所，在寝室也是出了名的“夜猫子”。
一分耕耘，一分收获。在1960年研究生毕业考试中，他取得优异成绩，获得副博士学位。
小试牛刀问鼎国家奖
20世纪50年代，美国已做出世界上第一块集成电路，半导体技术在许多领域展开应用。而新中国还没有掌握集成电路所需关键材料——硅单晶的制备方法。 1956年，在苏联专家的帮助下，国家制定并开始实施《1956—1967年科学技术发展远景规划》。根据规划，中科院将高纯硅单晶的制备列为重点。1958年秋，留美归国的半导体材料科学家林兰英，主持拉制出了中国第一根硅单晶，这比苏联专家为我国制定的规划整整提前了10年。
梁骏吾1960年回国时，中国科学院半导体研究所刚成立。不久，半导体研究所决定研制区熔硅单晶炉和区熔硅单晶项目。时任半导体所室主任林兰英任命梁骏吾为课题组长。
自然界天然存在的硅大多含有杂质，为保证硅具有较高的电阻率，需要通过“区熔”技术扫除杂质，得到纯度较高的硅单晶。20世纪60年代，“区熔”是一项前沿研究。进行这类开拓
性研究，无可供借鉴的工艺技术，缺必不可少的工艺设备，一切都得从头做起。尽管困难重重，但梁骏吾二話不说，承担起这项十分艰巨的任务。
1961年初，梁骏吾和团队开始研制工作。经过300多个日夜的辛勤攻关，科研团队取得关键技术的突破，使高频加热圈连续24小时工作不打火，不仅解决了在对硅材料进行多次区熔时所必须具备的长时间加热的稳定性，使加工成的区熔炉比国外的同类产品更先进，而且为后来的外延生长工艺中的感应加热技术提供了经验，被高熔炉生产厂家一直沿用至今。
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