一种STM32单片机FLASH存储器存储、读取算法[发明专利]

专利名称:一种STM32单片机FLASH存储器存储、读取算法专利类型:发明专利
发明人:赵志,谢帅
申请号:CN202011151047.X
申请日:20201024
公开号:CN112286452A
公开日:
20210129
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种STM32单片机FLASH存储器存储和读取算法,存储算法包括以下步骤,步骤一,STM32单片机出厂时芯片厂家已将FLASH所有bit位置为“1”,为了保险起见,烧录程序时再将所有FLASH进行擦除;步骤二,将存储数据的存储器第一个单元地址设置为初始地址;步骤三,写入数据前先以Word字为单位从第一单元开始依次读取每个单元的数据;步骤四,若当前单元读取到数据为0xFFFFFFFF,则停止对下个单元的数据读取并将要存储的数据存储到当前单元,步骤五,若读取到最后一个单元的数据都不为0xFFFFFFFF,则将所有单元的数据都擦除,并将要存储的数据存储到第一个单元,本发明采用一种新的逻辑算法,实现了大幅减少对FLASH存储器存储数据时擦写次数,从而大大增加了FLASH存储器的使用寿命,相较外挂EEPROM存储器芯片的方法,降低了物料成本、缩小了PCB面积、增加了单片机可用IO端口等优点。
申请人:北京东方百士电子有限公司
地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区康定街1号1幢B3六层601室
国籍:CN
代理机构:北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:安军永

本文发布于:2024-09-21 23:30:45,感谢您对本站的认可!

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标签:单元   数据   存储器   读取
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