一种新型全光学原子磁强计实现装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113253165 A (43)申请公布日 2021.08.13

(21)申请号 CN202110657872.5

(22)申请日 2021.06.11

(71)申请人中国科学院精密测量科学与技术创新研究院

地址 430071 湖北省武汉市武昌区小洪山西30号

(72)发明人蒋双辉李松松张奕祝孝杰田原顾思洪陈杰华

(74)专利代理机构 42001 武汉宇晨专利事务所(普通合伙)

代理人

(51)Int.CI

G01R33/032(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种新型全光学原子磁强计实现装置

(57)摘要

本发明公开了一种新型全光学原子磁强计实现装置，分布式反馈半导体激光器产生的单线偏光经光斑整形器整理成圆形光斑后入射电光调制器，电光调制器由微波源、信号发生器、微波开关、功率放大器组成的分时调制系统驱动。从电光调制器出射的光束被扩束器调节至所需的光斑大小。光束在依次经过偏振片、四分之一波片、衰减片后转化为偏振性能和强度合适的原子气室入射光。原子气室出射光被偏振分光棱镜分裂为第一待测线偏光和第二待测线偏光，分别被第一探测器和第二探测器探测。本发明结构简单、测磁灵敏度高，使用单光束结构就可实现高灵敏度的全光学磁传感器，所有器件均可利用芯片级的器件代替，适合开发芯片级的原子磁传感器。

法律状态