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难发生软错误的半导体存储电路[发明专利]

专利名称：难发生软错误的半导体存储电路专利类型：发明专利

发明人：新居浩二

申请号：CN02147053.7

申请日：20021025

公开号：CN1423283A

公开日：

20030611

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：SRAM存储单元(1)包含串联连接在第1存储节点(N1)与接地电位(GND)线之间的2个N沟道MOS晶体管(13、13’)和串联连接在第2存储节点(N2)与接地电位(GND)线之间的2个N沟道MOS晶体管(14、14’)。由于只要是1个α粒子不通过2个N沟道MOS晶体管(13、13’或14、14’)，存储数据就不反转，所以软错误很难发生。

申请人：三菱电机株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国专利代理(香港)有限公司

本文发布于:2024-09-24 18:13:58，感谢您对本站的认可！

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