提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法[发明专利]

专利名称:提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法专利类型:发明专利
发明人:韩恒利,李佳,廖乃镘
申请号:CN201510215780.6
申请日:20150430
公开号:CN104867952A
公开日:
20150826
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法,其创新在于:在制作硅基背照式图像传感器的过程中,采用湿法腐蚀或者干法刻蚀对背面注入层进行处理,去除背面注入层上的死区,然后再进行后续工艺操作;本发明的有益技术效果是:能提高硅基背照式图像传感器的紫外响应。
申请人:中国电子科技集团公司第四十四研究所
地址:400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所
国籍:CN
代理机构:重庆辉腾律师事务所
代理人:侯懋琪

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