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像素级CMOS兼容的掺氢非晶硅宽光谱图像传感器[发明专利]

专利名称：像素级CMOS兼容的掺氢非晶硅宽光谱图像传感器专利类型：发明专利

发明人：刘舒扬，姜洪妍，王天鹤，王才喜

申请号：CN202011341609.7

申请日：20201125

公开号：CN112510056A

公开日：

20210316

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明属于光谱成像技术领域，具体涉及一种光谱成像微型传感器，该传感器是由像素级CMOS图像传感器和一体化集成在传感器上的fp腔滤波器构成。fp腔滤波器组合材料为兼容半导体工艺的掺氢非晶硅和二氧化硅，优选掺氢非晶硅参数，展宽650nm到1000nm的截止带宽，展宽光谱可调谐谱段范围，提高光谱分辨率。

申请人：天津津航技术物理研究所

地址：300308 天津市东丽区空港经济区中环西路58号

国籍：CN

代理机构：中国兵器工业集团公司专利中心

代理人：周恒

本文发布于:2024-09-20 14:39:10，感谢您对本站的认可！

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