PEDOT:PSS空穴传输材料的掺杂改性方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113644205 A (43)申请公布日 2021.11.12

(21)申请号 CN202110826280.1

(22)申请日 2021.07.21

(71)申请人武汉工程大学

地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

(72)发明人李昱达汪锋

(74)专利代理机构 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人刘洋;崔友明

(51)Int.CI

H01L51/46(20060101)

H01L51/42(20060101)

H01L51/48(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

PEDOT:PSS空穴传输材料的掺杂改性方法

(57)摘要

本发明公开了一种PEDOT:PSS空穴传输材料的掺杂改性方法，包括如下步骤：向PEDOT:PSS溶液中加入小分子掺杂剂，室温搅拌得到均质体系；采用透析处理移除体系中的小分子掺杂剂，得到改性PEDOT:PSS产品。本发明采用二次掺杂剂添加改性与透析技术相结合的方式，有效解决了传统单一后处理模式中成膜性与导电性此消彼长的问题，实现导电性与成膜性同步提升，大幅提高有机光电器件性能。

法律状态