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热载流子注入测试电路及方法[发明专利]

专利名称：热载流子注入测试电路及方法专利类型：发明专利

发明人：冯军宏，甘正浩

申请号：CN201310093705.8

申请日：20130321

公开号：CN104062573A

公开日：

20140924

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种热载流子注入测试电路及方法，所述热载流子注入测试电路包括至少三个依次相连的测试单元，所述测试单元的数量为奇数，每个测试单元包括：一个二极管、一个PMOS管和一个NMOS管。本发明技术方案提供的热载流子注入测试电路及方法，同时采用了多个NMOS管样品进行测试，既节约了测试时间，又减小了因不同NMOS管样品产生的测试差异，提高了评估NMOS管热载流子注入寿命的准确度。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：骆苏华

本文发布于:2024-09-21 03:15:28，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/1/430266.html

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