晶片压焊键合方法及其结构[发明专利]

专利名称：晶片压焊键合方法及其结构专利类型：发明专利

发明人：黄河，高大为，王津洲，毛剑宏申请号：CN200610119163.7

申请日：20061205

公开号：CN101197297A

公开日：

20080611

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种晶片间三维互连的方法，包括：首先将两半导体晶片面对面粘合，再将其中一片进行背面减薄并完成晶片之间三维互连，然后在完成互连的半导体晶片背面再进行面对背粘合并减薄、互连，然后重复面对背粘合、减薄、互连工艺，将多个半导体晶片表面顺次层叠。本发明还提供一种晶片间的三维互连结构，两半导体晶片表面相对粘结，在其中一半导体晶片背面衬底中形成有第二连接焊块，多个半导体晶片顺次层叠于所述具有第二连接焊块的半导体晶片衬底之上。本发明方法在键合中不会引起晶片破损，形成的半导体晶片键合结构能够节省半导体晶片上的芯片面积。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：逯长明

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