半导体装置[发明专利]

专利类型：发明专利

发明人：西川幸江，赤池康彦申请号：CN201510096580.3申请日：20150304

公开号：CN105374865A

公开日：

20160302

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高耐压及降低损失的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在第一导电型的第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上；第二导电型的第四半导体层，选择性地设置在所述第一半导体层上；及控制电极，隔着绝缘膜而与所述第二半导体层及所述第三半导体层相邻，且位于所述第二半导体层与所述第四半导体层之间。而且，还包括半导体区域，所述半导体区域隔着所述绝缘膜而与所述控制电极的底部相邻，并设置于所述第一半导体层中或所述第四半导体层中的至少任一者中，且包含至少一种电惰性的元素。

申请人：株式会社东芝

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：张世俊

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