(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920667626.6
(22)申请日 2019.05.10
(73)专利权人 上海磊强实业有限公司
地址 200333 上海市普陀区真光路1473弄3
号6层6313室
(72)发明人 马贤平
(74)专利代理机构 杭州君度专利代理事务所
(特殊普通合伙) 33240
代理人 黄前泽
(51)Int.Cl.
H02M 1/00(2007.01)
H05K 7/20(2006.01)
(54)实用新型名称一种1140V高压可控硅功率控制器(57)摘要本实用新型公开了一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器，本实用新型的有益效果在于：采用微机技术，用PIC18F45K22单片机为控制核心，通过脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，实现六路脉冲变压器触发，使电路起控电压变低，不会引起冲击电流过大，稳定性良好，并且采用散热冷 风单元配合功率电阻解决了，电压过高，发热过大，散热不易的问题，同时为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅模块安全运行，在可控硅两端并联RC阻容吸收器来滤除谐波，
有效地提高产品的稳定性。权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 209982317 U 2020.01.21
C N 209982317
U
权 利 要 求 书1/1页CN 209982317 U
1.一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，其特征在于：所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器、RC阻容吸收器、可控硅模块、负载设备、脉冲变压器、微处理器和三相同步变压器，所述互感器连接在1140V三相负载电源的每一相电路上，所述可控硅模块分别耦接于1140V三相负载电源的输入端和互感器之间，所述可控硅模块上均并联RC阻容吸收器，所述负载设备连接于1140V三相负载电源的输出端，所述脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，所述微处理器分别连接主电源、互感器输出接线端子、控制信号接线端子、启动/停止开关接线端子、故障报警接线端子、220V电源接线端子和调功/调压切换接线端子，连接启动/停止开关接线端子的电路上外接有限幅器和手动电位器，所述控制 板上设置有输出限幅调节旋钮和电位器时间调节旋钮，所述主电源连接微处理器和三相同步变压器，所述三相同步变压器和220V电源接线端子相连接。
2.根据权利要求1所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述散热风冷单元包括插片式散热器和大功率风机。
3.根据权利要求1所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述互感器的变比为1000:1。
4.根据权利要求1所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述可控硅模块为耐压4200V的光隔离单向晶闸管反并联模块。
5.根据权利要求2所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述控制板上还设置有散热器温度开关。
6.根据权利要求1所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述负载设备为加热元件。
7.根据权利要求1所述的1140V高压可控硅功率控制器，其特征在于：所述微处理器为单片机。
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