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形成浅沟槽隔离(STI)结构的方法[发明专利]

专利名称：形成浅沟槽隔离(STI)结构的方法

专利类型：发明专利

发明人：贾斯丁·希罗奇·萨托，格雷戈里·艾伦·斯托姆申请号：CN201680032734.5

申请日：20160603

公开号：CN107690692B

公开日：

20220125

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种形成用于集成电路的沟槽隔离(例如，STI)的方法，所述方法包含：在半导体衬底上方形成垫氧化物层且接着形成氮化物层；穿透所述结构执行沟槽蚀刻以形成沟槽；沉积沟槽氧化物层于所述结构上方以形成经填充沟槽；沉积牺牲平坦化层于所述经沉积氧化物上方，所述牺牲平坦化层对所述沟槽氧化物层具有蚀刻选择性；执行平坦化蚀刻工艺，其移除所述牺牲平坦化层且减小所述沟槽氧化物层的上表面中的表面变化；执行氧化物蚀刻工艺，其对所述沟槽氧化物层具有选择性以移除所述经填充沟槽外侧的所述沟槽氧化物层的剩余部分；及移除剩余氮化物层，使得所述剩余经氧化物填充沟槽界定突出于所述半导体衬底的经曝露上表面上方的沟槽隔离结构。

申请人：密克罗奇普技术公司

地址：美国亚利桑那州

国籍：US

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：沈锦华

本文发布于:2024-09-21 08:02:09，感谢您对本站的认可！

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