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一种背接触晶体硅电池及其制作方法[发明专利]

专利名称：一种背接触晶体硅电池及其制作方法专利类型：发明专利

发明人：李鸿儒，兰立广，童翔

申请号：CN201310721710.9

申请日：20131224

公开号：CN103746011A

公开日：

20140423

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种背接触晶体硅电池，包括硅基底（1），所述硅基底（1）包括硅基底非受光面（101）；位于所述硅基底非受光面（101）的PN掺杂区（2），所述PN掺杂区（2）包括位置交替排列的表面具有汇流导电带的P型区（201）和N型区（202），其中，沿所述每条P型区（201）或N型区（202）的延伸方向，相邻条之间存在距离差，所述相邻条之间的第一条沿所述延伸方向，超出第二条之外的部分作为所述第一条的边缘条；所述边缘条为P型区边缘条（203）或N型区边缘条（204）；所述边缘条作为电极引出部。本发明还提供所述背接触晶体硅电池的制作方法，避免了开孔步骤和电极副栅末端与主栅之间保留必要的间隙，简化了制作工艺并降低了生产成本。

申请人：北京汉能创昱科技有限公司

地址：102209 北京市昌平区北七家镇宏福创业园15号院

国籍：CN

代理机构：北京康盛知识产权代理有限公司

代理人：张良

本文发布于:2024-09-22 06:49:26，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/1/425514.html

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