一种基于注入锁定技术的数控电容阵列N分频器

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114124087 A (43)申请公布日 2022.03.01

(21)申请号 CN202010875743.9

(22)申请日 2020.08.27

(71)申请人天津科技大学

地址 300457 天津市滨海新区经济技术开发区第13大街9号

(72)发明人张维佳

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H03L7/18(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于注入锁定技术的数控电容阵列N分频器

(57)摘要

本发明首先完成了一款数控电容阵列的注入锁定N分频器，该注入锁定分频器的核心是基于CMOS 0.18um工艺LC结构振荡器，并采取单管直接注入的方式。在电路设计上，利用了衬底偏置技术、电流复用结构来达到宽锁定范围和低功耗的目标；同时，利用数控模块控制电容阵列，通过不同电容模块的切换组合来实现了N种模式分频。最终得到了满足设计要求的高性能注入锁定分频器。

法律状态