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一种具有抗汞特性的喜温硫杆菌基因工程菌及其应用[发明专利]

专利名称：一种具有抗汞特性的喜温硫杆菌基因工程菌及其应用

专利类型：发明专利

发明人：林建，陈丹丹，林建强，刘相梅，颜望明

申请号：CN200610070170.2

申请日：20061120

公开号：CN101016521A

公开日：

20070815

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一株具有抗汞特性的喜温硫杆菌，该菌株于2006年6月26日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(中国科学院微生物研究所，中国北京)，其保藏编号为CGMCC 1742。本发明还公开了所述的喜温硫杆菌抗汞基因工程菌的制备及在含汞培养基中的生长应用，其制备方法包括(1)抗汞质粒载体的构建，(2)抗汞基因工程菌A.caldus CGMCC 1742的构建及鉴定，(3)A.caldus CGMCC 1742的种子培养，(4)A.caldus CGMCC 1742的扩大培养，(5)A.caldus CGMCC 1742在含汞培养基中的生长应用及抗汞性能的检测等步骤；该喜温硫杆菌的抗汞基因工程菌较野生型的喜温硫杆菌在抗汞特性方面有很大的提高，且抗汞性能稳定，在对含汞矿粉的生物浸出领域具有很大的应用前景。

申请人：山东大学

地址：250100 山东省济南市历下区经十路73号

国籍：CN

代理机构：济南圣达专利商标事务所

代理人：李健康

本文发布于:2024-09-20 22:28:18，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/1/424460.html

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