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一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法[发明专利]

专利名称：一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法

专利类型：发明专利

发明人：汪巍，方青，涂芝娟，曾友宏，蔡艳，余明斌

申请号：CN201910780844.5

申请日：20190822

公开号：CN112414673A

公开日：

20210226

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本申请提供一种硅基片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。

申请人：上海新微技术研发中心有限公司

地址：201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

国籍：CN

代理机构：北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：刘元霞

本文发布于:2024-09-21 14:30:55，感谢您对本站的认可！

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