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一种新型屏蔽结构及其设计方法[发明专利]

专利名称：一种新型屏蔽结构及其设计方法

专利类型：发明专利

发明人：潘东华，李立毅，孙芝茵，李吉，曹沁婕，林生鑫申请号：CN201610388904.5

申请日：20160603

公开号：CN106102427A

公开日：

20161109

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列，由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层，闭合线圈串联在一起，连接电源，设计方法步骤为，利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型；采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型；通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x＝0时为零，解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉，磁场屏蔽效果好的特点。

申请人：哈尔滨工业大学

地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

国籍：CN

代理机构：北京天奇智新知识产权代理有限公司

代理人：范光晔

本文发布于:2024-09-20 22:43:18，感谢您对本站的认可！

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