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一种SiO薄膜红外特征吸收峰分峰数量确定方法[发明专利]

专利名称：一种SiO薄膜红外特征吸收峰分峰数量确定方法专利类型：发明专利

发明人：刘华松，刘丹丹，季一勤，王利栓，姜承慧，姜玉刚

申请号：CN201410720154.8

申请日：20141202

公开号：CN104458641A

公开日：

20150325

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明属于光学薄膜低折射技术领域，具体涉及一种SiO2薄膜红外特征吸收峰数量确定方法。本发明涉及光学薄膜在红外特征吸收峰叠加情况，对叠加吸收峰数量的精确分解方法，具体提出一种对薄膜材料红外特征吸收光谱吸收峰数量的确定方法，其将不同的吸收峰等效为化学物质的成分，利用红外光谱测量技术确定化学物质成分组成的原理，对薄膜样品进行处理后进行吸收峰数量的确定。本发明优点是在于可以准确确定薄膜的吸收峰数量，特别是对于相近吸收峰叠加的情况效果最为明显。由此，本发明提出通对吸收峰的分解方法，实现能够精确确定吸收峰的叠加数量，为材料介电常数的反演计算奠定技术基础。

申请人：中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所

地址：300308 天津市东丽区空港经济开发区中环西路58号

国籍：CN

代理机构：中国兵器工业集团公司专利中心

代理人：刘东升

本文发布于:2024-09-23 03:19:29，感谢您对本站的认可！

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