近室温红外成像用稀土锰氧化物薄膜制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114150296 A (43)申请公布日 2022.03.08

(21)申请号 CN202111503874.5

(22)申请日 2021.12.09

(71)申请人昆明理工大学

地址 650000 云南省昆明市一二一大街文昌路68号

(72)发明人杨盛安陈清明张辉马吉

(74)专利代理机构 37276 济南知来知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人李真

(51)Int.CI

C23C18/12(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

近室温红外成像用稀土锰氧化物薄膜制备方法

(57)摘要

本发明公开了近室温红外成像用稀土锰氧化物薄膜制备方法，具体包括如下步骤：基底高温退火、基底还原、基底活化、前驱体配置、前驱体净化、基底旋涂、基底热处理、薄膜烧结；本发明的方法在保证稀土锰氧化物薄膜组分函数高度吻合设计值的同时，制备出大面积、高平整度、在近室温区范围具有高值TCR的稀土锰氧化物薄膜，强化其作为红外探测成像器件的性能基础，进一步拓宽红外探测器敏感材料的选择范围。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-08	公开	发明专利申请公布
2022-03-25	实质审查的生效IPC(主分类):C23C18/12专利申请号:2021115038745申请日:20211209	实质审查的生效
2023-01-24	授权	发明专利权授予