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一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：姜春艳，吴昊，田亮，吴军民，潘艳

申请号：CN201910908017.X

申请日：20190924

公开号：CN110581181A

公开日：

20191217

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。

申请人：全球能源互联网研究院有限公司，国网山东省电力公司，国家电网有限公司

地址：102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

国籍：CN

代理机构：北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人：李亚南

本文发布于:2024-09-23 18:22:54，感谢您对本站的认可！

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